半导体外延生长厚度

半导体外延生长厚度是500-800微米。通过气相外延沉积的方法在衬底上进行长晶，与最下面的衬底结晶面整齐排列进行生长，新生长的单晶层称为外延层，长了外延片的衬底称为外延片。作为衬底的硅片根据尺寸不同，厚度一般在500-800微米，常用的外延层厚度为2-100微米。

主要是起支撑和改善薄膜特性的作用。薄膜生长在衬底上，衬底材料性质和衬底表面形状对薄膜的特性有很大的影响，因为薄膜一般厚度尺寸在纳米至微米之间，要求衬底表面有超高平整度；薄膜和衬底的结合也是一个非常重要的方面，如果两者晶格不匹配，则在薄膜形成初期阶段会形成一个较长的过渡区域。

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