6寸碳化硅晶圆尺寸

1英寸＝25.4mm，所以6等价于150mm晶圆；晶圆越大越厉害（W），反过来，晶体管越小（体积为n）越厉害，晶体管总数（W/n）。晶圆的原始材料是硅，最开始的形态就是我们地表随时可见的沙子（二氧化硅）；经过几个步骤处理后，形成了高纯度的多晶硅。

主要用途是6寸：功率半导体，汽车电子等。8寸：主要用于中低端产品，如电源管理IC，LCD/LED驱动IC，MCU，功率半导体MOSFE，汽车半导体等。12寸：主要用于高端产品，如CPU/GPU等逻辑芯片和存储芯片，例如我们手机的主芯片。

硅晶圆由于对纯度要求高，行业壁垒高，呈现高度垄断格局。目前以日本信越／三菱住友Sumco/环球晶圆／德国Siltronic/韩国SK Siltronic为代表的5家公司掌握了90%以上的市场份额。而中国的企业主要在4—6英寸，少量8寸，12寸还处于起步阶段。

作为卡脖子的技术问题，未来这个赛道如果能突围，将非常可期。

6英寸碳化硅衬底晶圆晶片

6英寸碳化硅(半绝缘型)规格书材质:4H碳化硅晶体直径:150 ± 0.2 mm厚度:500 ± 20 um表面取向:On axis ±0.5°主参考面取向:平行于±1°主参考面长度:47.5 mm ±2 mm微管密度:≤50个 cm^2(数据仅作参考)导电类型:半绝缘型电阻率:75%面积区域 ≥1E7 Ω·cm抛光:双面抛光Si 面粗糙度:RaTTV≤15 um(数据仅作参考)WARP≤40 um(数据仅作参考)BOW≤45 um(数据仅作参考)倒边:无多型:累计面积≤10%裂纹,缺口: ≤2个,且每个长度宽度均<1mm包装:单片盒包装

晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主。 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅衬底材料主要应用于智能电网、轨道交通、电动汽车、新能源并网、开关电源、工业电机以及家用电器等领域的功率元器件。

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