半导体国产替代进程加速 华微电子等龙头有望率先受益

半导体国产替代进程加快

2017年以后，国内半导体设备企业的自主化率水平持续加快，实现了多个从0到1的突破，国产替代已成为国内半导体行业的发展新趋势。

据中信建投统计，2019年全球半导体设备市场约576亿美金，国内约130亿美金，占比约22.4%，高于韩国的18%。中信建投表示，中国本土设计、制造、封测、存储等环节不断突破，部分领域已追赶至国际水平。设备和材料环节作为半导体产业链上游核心部分，也正受到重视和扶持，有望加速本土配套。

从电子行业2019年报整体表现来看，2019年半导体板块实现营业收入1333亿元，同比增长19.13%；归属于上市公司股东净利润97亿元，同比增长92.64%。毛利率与净利率分别为23.41%、7.42%。2020年Q1半导体板块营业收入同比增长17.76%，环比下降20.99%；归属于上市公司股东净利润同比增长46.81%，环比下降7.59%。

随着人工智能的快速发展，以及5G、物联网、节能环保、新能源 汽车 等战略性新兴产业的推动下，半导体的需求持续增加。全球半导体协会、中商产业研究院预计2020年中国半导体市场需求规模将进一步扩大，市场需求规模有望达到19850亿元。

A股电子企业有望率先受益

从国内上市公司来看，有不少半导体行业上市公司在新一轮产能扩展期，有望带来新的发展机会。

比如，华微电子就在近期顺势而上，积极向新能源 汽车 、军工、家电等领域快速拓展。作为我国功率半导体生产龙头企业，华微电子自主掌握了IGBT薄片工艺、Trench工艺、寿命控制和终端设计等核心工业技术，达到同行业先进水平。华微电子当前拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，芯片加工能力为每年400余万片，封装资源为24亿只/年，模块为1800万块/年。公司8英寸生产线预计今年6月份即将投入使用，将成为替代进口的有力竞争者。

近日，国内半导体龙头中芯国际在港交所披露公告称，国家大基金二期与上海集成电路基金二期同意分别向其附属公司中芯南方注资15亿美元、7.5亿美元，汇率换算后，两大国家级基金分别注资106亿元 、53亿元，合计获注资近160亿元。在业内人士看来，中芯国际获大基金重金注资，其背后则是国产芯片自主化的进程正在加快。

国盛证券分析指出， 2019年A股电子板块增速引领全球，同时在2020年一季度疫情影响之下，一批优质龙头仍然交出高增长答卷。随着后续疫情拐点到来，需求恢复叠加新一轮创新启动，A股电子企业有望率先受益，继续迎来黄金发展期。

在半导体领域，功率器件的总体表现一向以平稳著称，然而近段时期产业热度却在迅速提高，相关投资扩建的消息不断涌现。这与市场需求的迅速增长密切相关。

“新基建”的激励之下，市场对电力电子设备的需求越来越强烈，这为功率半导体器件行业的发展添了一把火。在功率半导体领域深耕多年的华微电子，也携带自身优势，率先入局新基建赛道，助推行业发展。

在过去的半个多世纪中，华微电子持续突破诸多关键技术，加速推动功率半导体器件的国产化替代，助力我国工业强基与民族产业发展，成为具有国际竞争力的功率半导体企业。

现如今，华微电子厚积薄发，在国内功率半导体器件市场低端产品竞争加剧且中高端产品大量依赖进口的形势下，华微电子也加快高端产品的推广和研发布局，从2016 年开始，华微电子便开始规划生产高性能功率器件，包括超结MOSFET、CCTMOSFET、Trench FS IGBT、超高压快恢复二极管、Trench肖特基产品和大功率IGBT模块等。

未来几年，随着新能源汽车、5G通信等新兴产业日益崛起，功率半导体市场需求势必会持续增长，而作为国内主要功率半导体生产商之一的华微电子，其具有全系列的功率半导体器件门类，随着国内功率半导体器件市场保持快速且稳定的增长，华微电子也将迎来发展的快车道。

替代进口的有力竞争者

作为全球汽车和工业大国，中国是全球最大的功率半导体器件市场。然而，在经济的快速发展中，国外在极力阻止中国的崛起特别是美国对中国高科技技术发展制造了障碍，中兴、华为事件给我国功率半导体行业的发展敲响了警钟，目前中国功率半导体市场被美国、欧洲和日本品牌掌控，在国内市场占有绝对的优势，市场占有率60%以上。

华微电子自成立以来，一直致力于建设芯片制造能力，扩大生产线规模及提高芯片交付能力，目前拥有4英寸、5英寸与6英寸功率半导体芯片生产线，加工能力为每年400万片，在建8英寸生产线，设计产能96万片/年，具有单管封装资源为24亿只/年，IPM模块封装1800万块/年。

经历了半个多世纪的技术积累，华微电子在终端设计、工艺制造和产品设计方面拥有了多项专利及工艺诀窍，尤其在IGBT薄片工艺、Trench工艺、寿命控制和终端设计技术等方面拥有独特的核心技术达到国内领先，国际同行业先进水平。其中，IGBT产品五大关键技术，包括薄片制造技术、透明集电极IGBT制造技术、纵向和横向结构设计技术、背面注入及激活和硅片测试技术均已攻破难关，研发完成600V-650V，1200V-1350V的IGBT产品，产品采用国际主流的Trench-FS技术，主要应用在新能源电动汽车、变频家电和电磁炉等领域。Trench MOS先后经历了几代产品开发后，成功解决了深Trench刻蚀技术、阻挡层金属化淀积技术、W回刻技术等，已经完成了30V-250V的产品开发。

“要实现国产化替代，目前公司面临的主要困难是客户对国产半导体功率器件的接受度，主要是在新的应用领域和高端应用领域，需要客户给予一定的机会和时间，给予国产品牌与客户磨合的机会。”华微电子表示，当下，公司主要解决的问题是，在产品应用方面加强与客户的交流和改进，同时根据客户的实际应用需求开发更加契合应用场景的定制化产品。而这也逐渐在实现，华微电子的产品广泛应用于消费类电子、汽车电子、电力电子、工业控制与LED照明等领域，并不断在新能源汽车、光伏逆变、轨道交通等战略性新兴领域快速拓展，是飞利浦、松下、日立、海信、创维、长虹等国内外知名企业的配套供应商。

向高端细分领域迈进

在国内功率半导体器件市场低端产品竞争加剧且中高端产品大量依赖进口的形势下，华微电子也加快高端产品的推广和研发布局，在工业、汽车电子、5G、充电桩等领域产品的应用，已经取得一定的效果，并获得了国内知名企业的认可。

谈及未来的发展，华微电子表示将继续以公司传统的功率半导体芯片制造为核心，继续做大做强芯片制造能力，纵向发展建立8英寸芯片生产线，实现高端VDMOS、IGBT器件制造，满足快速增长的市场需要，横向扩展建立硅外延生产线，保证材料安全供应，建立封装测试生产线，重点建设模块生产线，向高压大功率方向发展，打造功率半导体产业制造基地，完善功率半导体产业链，加速功率半导体国产化进程。

“华微电子会继续发展自主研发、平台建设的IDM优势，不断升级硅基功率器件的性能和品质。公司具有IGBT、MOSFET、二极管、可控硅和BJT等全功率器件工艺平台，包括单管、IPM及PM等各类封装形式的产品，未来公司仍会把功率半导体作为主要的技术发展方向，结合公司市场领域，逐步建立配套的驱动IC生产线。”华微电子表示，在中低压MOSFET上，公司将进一步升级现有技术平台，不久将会推出第二代CCT MOSFET，以100V产品为例，单位面积导通电阻达到40毫欧。完善产品电压等级，建立起从10V~250V产品的全系列的电压平台，除了在消费类领域内应用外，拓展到服务器电源、5G、工业、人工智能和汽车电子。

对于高压MOSFET，今年年底会推出第二代超结MOSFET产品，进一步提升该系列产品的耐用性和效率，应用于充电桩和基站电源。在未来2~3年我们会继续提升超结MOS平台，采用多层外延结构，开发第三代超结MOS平台，达到与国际品牌一致的性能，产品系列涵盖了500V-900V，4A-72A全系列，能满足各个领域的产品需求。

“FRD二极管和IGBT一直是我们的核心产品，在未来2~3年，我们将致力于开发用于轨道交通和电网领域内需求的超高压产品系列，电压涵盖1700V~6500V。”华微电子还表示，Trench肖特基方面，公司已完成45V、60V、100V产品Trench SBD平台建设，正在开发80V、150V产品平台，具备势垒高度可调技术，可满足客户对于使用效率的更高需求，比平面产品具有更高的可靠性能力，应用在光伏领域和电源领域。此外，华微电子积极布局GaN和SiC器件，研发和生产增强型GaNHEMT，先在快充领域做GaN器件和应用方案，然后过渡到工业和通信电源领域；对于SiC器件，目前已经研发出了650V SBD二极管产品，将进一步拓展到1200V二极管和SiC MOSFET，主要应用于新能源汽车及充电桩。

市场红利渐释放

近几年来，中国功率半导体器件在工业控制、汽车电子、网络通讯等多领域应用带动下，需求持续上涨，中国功率半导体器件市场保持快速且稳定的增长。

“受新冠肺炎疫情影响，2020年功率半导体市场将会面临一定幅度的回落，之后将迎来快速复苏，预计到 2022年，中国功率半导体市场规模将达到 1960 亿元，2019~2022年年均复合增长率将会达到3.7%。”华微电子认为，未来几年，国内市场对功率半导体的需求仍然强劲。

这对华微电子来说，公司利润持续稳定增长已经有迹可循，公司具有全系列的功率半导体器件门类，随着市场需求的增长，公司也将会迎来发展的快车道。

而从细分市场结构来看，工业控制、汽车和网络通信，需求将大幅增长，其中 MOSFET和IGBT 成为最大受益产品。业内预计，2022年，MOSFET和IGBT 的市场份额合计占比超过30%，其MOSFET复合增长率为5.4%，至2022年市场规模将达到365 亿元；IGBT年市场规模达到251亿元，复合增长率7.4%。

“ MOSFET 和IGBT 已成为最主流的功率器件之一，广泛应用于汽车电子、工业电子、新能源汽车、充电桩、物联网、光伏新能源等领域。”但是，高端的MOSFET和IGBT绝大部分进口，只有华微电子等少数厂商可以生产，目前先进的生产技术基本被国外厂商垄断，全球最大的功率器件生产商有德国的英飞凌、美国的安森美、日本的三菱机电等。

2019 年初，华微电子计划投资新型电力电子器件基地项目建设，本次投资主要是为了建设8英寸生产线，以满足公司新型功率器件的生产，项目生产的产品主要有IGBT、低压Trench-MOS 、超结MOS 以及IC芯片，针对的市场是目前国内相对空白的高低功率半导体市场，产品下游市场增长迅速，进口替代空间巨大。投资项目产品性能和技术水平虽然与国际大厂的产品还略有差距，但是其主要性能已经和国际主流公司的产品相当，个别参数还具有一定优势。业内预测，未来几年，随着中高端技术产品在市场规模化应用，新产品、新领域重点项目指标的达成将带动华微电子整体业绩持续稳步增长。

为什么说美国彻底失算了，我国究竟是哪家企业如此低调，竟突破了5nm芯片制程，感兴趣的朋友别忘了点赞加关注，精彩内容现在开始，最近这几个月的时间，我国芯片领域发展，可谓是频频传出好消息，首先就是中科院旗下的光机所，国产14纳米芯片成功取得突破，并且预计明年将实现量产，正当我们沉浸在国产芯片，即将能够迎来自给自足的喜悦当中的时候，我国的芯片技术发展，直接一连串来两大好消息，首先第一个好消息就是，根据6月26日发布的相关消息显示，我国 科技 代表企业华为，将在武汉建立起首个晶圆厂，这对于此前因华为被芯片断供而，捏一把汗的人们

可谓是松了一口气，这代表着华为终于将不再仅仅是，设计高端芯片，制造高端芯片也提上了日程，不仅如此，根据有关消息透露，华为新建的首个晶圆厂，预计将在明年实现分阶段投产，虽然对于此消息华为还没有做出正式回应，但华为早在2019年，在华为投资控股公司2019年度第一期，中期票据募集说明书上，就已经透露了一定的消息，根据表格内容显示，华为的确是计划投资18亿，在武汉新建一座名为武汉海思的工厂，并且这座工厂将由华为全资建设，牢牢掌握在自己的手中，因此 华为要自己建晶圆厂一事，基本上是八九不离十了，正当华为这边还在筹备建厂的时候，我国另一家半导体企业

竟然十分低调的做出了巨大技术突破，这家十分低调突破5nm制程技术的，中国企业究竟是谁呢，北京屹唐半导体 科技 股份有限公司，可能很多人都没听说过这个名字，然而就在华为被曝出要新建晶圆厂的同时，该公司申请的IPO正式获得了受理，不仅如此 该公司的蚀刻机设备，现如今已经成功进入到了，5纳米逻辑芯片量产线，要知道14纳米芯片如果量产，那么我国将实现国内芯片的自给自足，而7纳米和5纳米等芯片的制作技术突破，则是真正的世界半导体领域的技术顶流，北京屹唐半导体这家企业，作为我国十分低调的国产芯片企业，当我们还在谈论中芯国际以及中微半导体，所取得的技术突破成就的时候，北京屹唐半导体所拥有的相关技术，如今在国内甚至是国际上

都算的上数一数二的水平，其蚀刻机设备不仅已经正式运用到了，5纳米生产线，该公司在制作芯片的干法去胶设备，以及快速热处理设备，早在2020年的时候，已经取得了全球市场占有率的“头把交椅”，蚀刻机虽然与光刻机，在技术层面有着很大的区别，但是蚀刻机却是芯片制造中，不可忽视十分关键的一环，如今北京屹唐半导体领先世界，相关技术率先做到了5纳米进程，这就意味着 我国在突破国外技术封锁方面，又迈进了重要的一步，再反观美国制裁和禁令，似乎已然受到了反噬，为什么说美国彻底失算了呢，美国制裁虽然对华为的芯片供应，造成了极大的影响，但是其本身也并不好过

由于市场增长的规律，芯片制造商并不会一味的大规模量产芯片，而是根据市场日益增长的需求，从而适度生产，全球范围内之所以都会出现“缺芯”的现象，主要是因为美方这近几年来，为了巩固自己在 科技 领域的霸权地位，对我国大多数 科技 企业，实行了所谓了封禁和打压限制，我国 科技 企业的芯片需求量，对于整个芯片市场的影响力，自然是不言而喻的，美国的一番 *** 作直接是扰乱了，整个芯片市场的正常发展秩序，我国部分企业的确是面临芯片紧缺的情况，但是国外受美国影响，从而出现内卷 囤芯现象的芯片企业，也不在少数，而美国之所以此前大搞制裁禁令

不仅是为了遏制我国的 科技 发展，更是垂涎于我国半导体领域的巨大市场，因此 美方自然是不想看到我国走向芯片自研自产的道路，然而 当我们来看真实情况，我国并没有因为封锁打压 而惨遭溃败，尤其是华为等我国 科技 企业，不仅没有在打压中屈服，反倒发展的越发迅速，时至今日更是准备进入芯片制造行业，并且 华为此前已经积累下了设计高端芯片的实力，可能的话 未来完全可以跟国内企业，进行技术上的交流共同攻破技术封锁，如今华为的双叠加芯片技术的专利，已然是十分耀眼，通过两块芯片的共同叠加运用

从而使其性能直接上升一个维度，简单来说 两块14纳米的芯片性能叠加，则可以直接达到主流7纳米芯片的性能，不得不说 我国 科技 领域的发展，现如今正向着光明的未来前进，一个接着一个的技术突破，都将是我们引以为傲的资本，最后 对于我国芯片领域的发展，您有什么想说的呢，欢迎您在下方评论区留言讨论，我们下期不见不散

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