激子绝缘体，研究证明了上世纪60年代的预测

伍伦贡大学和莫纳什大学的一项合作研究发现了证据，证明上世纪60年代预测的物质新阶段——激子绝缘体，在锑锑(110)纳米薄片中观察到激子绝缘相的独特特征。这一发现为寻找可能携带激子超流体的激子绝缘体提供了一种新策略，进一步研究将需要充分理解这一物质新阶段的丰富物理学。发现物质新相是凝聚态物理学的主要目标之一。

对开发低能量电子新技术具有重要意义，而低能量电子技术是ARC中心的主要目标。上世纪60年代提出，在小的间接带隙材料中，由于载流子密度过低，无法屏蔽电子与空穴之间具有吸引力的库仑相互作用，因此可以自发形成激子。

其结果是一种新型的强相互作用绝缘相，称为激子绝缘体。在绝缘子族中，第一个成员是带隙绝缘子。除了带隙绝缘体外，电子-电子相互作用或量子干涉引起的无序也可能产生其他绝缘状态。

研究团队使用扫描隧道显微镜(STM)和光谱(STS)来表明：在量子限制的单质锑纳米薄片中，库仑相互作用的增强将系统驱动到激子绝缘体状态。直接观察到激子绝缘子的独特特性，即电荷密度波(CDW)无周期性晶格畸变，此外，STS显示了费米表面附近CDW引起的间隙。这些结果表明锑(Sb(110))纳米薄片是一种激子绝缘体。量子限制的Sb纳米薄片中可能存在激子绝缘相，其研究发表在《纳米快报》上。

激子是玻色子和空穴的强束缚对，是通过吸引电子-空穴库仑相互作用而形成。其结合能(Eb)的值降低了系统能量。如果这样的激子可以自发形成，那么结果将是一个激子绝缘子相。在半导体或绝缘体中，激子的形成需要克服带隙能量(如产生电子空穴对所需的能量)。激子的自发形成需要Eb >。然而，在半导体和绝缘体中，Eg通常比Eb大得多，可以阻止自发激子的形成。

在这项研究中，研究人员利用非常薄的材料中强库仑相互作用来促进锑中的激子绝缘子相。迄今为止，许多显示CDW的材料被认为是激子绝缘体候选材料。不幸的是，这些候选激子绝缘子表现出强烈的周期晶格畸变(PLD)，这表明CDW是由电子-声子耦合驱动，而不是由激子绝缘子状态驱动。这项新研究通过在没有PLD的情况下对CDW的观测，为锑纳米薄片中激发态绝缘子相的形成提供了可靠证据。

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译，这是和电子三极管最早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西，实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的，否则就麻烦大咯，严谨地说，在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇！

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