英特尔、高通、海力士等28家全球主要半导体企业2019年一季度业绩

综合性

英特尔(Intel)公布2019财年第一季度财报。报告显示，英特尔第一季度营收为161亿美元，与去年同期的161亿美元相比持平；净利润为40亿美元，与去年同期的45亿美元相比下降11%。这是鲍勃-斯旺今年1月被任命为首席执行官以来的第一份业绩报告。

美光 科技 (Micron Technology)发布2019财年第二财季财报。在截至2月28日的这一财季，美光 科技 营收为58.35亿美元，去年同期为73.51亿美元；净利润为16.19亿美元，与去年同期的33.09亿美元相比下降51%。

记忆体芯片生产商韩国SK海力士(SK Hynix)公布2019年第一季度业绩。当季营收6.77万亿韩元(约56.8亿美元)，比上年同期减少了22%。季度营业利润1.37万亿韩元，比上年同期减少了69%。净利润1.10万亿韩元，比上年同期减少了65%。

德州仪器(Texas Instruments)第一财季收入下降5%，为连续第二个季度下降，同时半导体市场总体放缓。第一财季利润降至12.2亿美元，上年同期为13.7亿美元。收入从上年同期的37.9亿美元降至35.9亿美元。

英飞凌(Infineon Technologies)公布2019财年第二季度(截至3月31日)业绩。当季营收19.83亿欧元(约22.1亿美元)，上年同期为18.36亿欧元。当季净利润2.31亿欧元，上年同期为4.57亿欧元。

恩智浦半导体(NXP Semiconductors)发布截至2019年第一季度财务报道，营业收入为20.94亿美元，上年同期为22.69亿美元。当季营业利润5400万美元，上年同期为2.24亿美元。

意法半导体(STMicroelectronics)公布截至2019年3月30日的第一季度财报。第一季度实现净营收20.8亿美元，净利润1.78亿美元。

瑞萨电子(Renesas Electronics)公布2019财年第一季度业绩。当季营收1503亿日元(约13.8亿美元)，上年同期为1856亿日元。当季营业利润72亿日元，上年同期为301亿日元。

安森美半导体(ON Semiconductor)公布2019财年第一季度业绩。当季营收13.87亿美元，上年同期为13.78亿美元。当季净利润1.14亿美元，上年同期为1.40亿美元。

微芯 科技 (Microchip Technology Inc)公布2018财年第四季度和全年业绩(截至3月31日)。第四财季净销售额13.30亿美元，净利润1.75亿美元。财年营收53.59亿美元，净利润3.56亿美元。

IC设计

博通(Broadcom)公布2019财年第一季度(截至2019年2月3日)业绩。当季净营收57.89亿美元，上年同期为53.27亿美元。当季净利润4.71亿美元，上年同期为62.30亿美元。

高通(Qualcomm)发布2019财年第二财季财报。在截至3月31日的这一财季，高通净利润为7亿美元，比去年同期的3亿美元增长101%；营收为50亿美元，比去年同期的52亿美元下降5%。高通第二财季来自设备和服务的营收为37.53亿美元，来自授权的营收为12.29亿美元。

英伟达(NVIDIA)公布第一季度财报。第一季度营收为22.20亿美元，与上年同期的32.07亿美元相比下降31%；净利润为3.94亿美元，与上年同期的12.44亿美元相比下降68%。

手机芯片大厂联发科(MediaTek)公告2019年第一季财报，营收527.22亿元新台币(约16.7亿美元)，年增6.2%。税后纯益为34.16亿元新台币，年增34.8%。

亚德诺半导体(Analog Devices)公布2019财年第二季度(截至5月4日)业绩。当季营收15.27亿美元，上年同期为15.64亿美元。当季净利润3.68亿美元，上年同期为4亿美元。

美国芯片巨头AMD公布今年第一季度营业收入12.7亿美元，比上年同期的16.5亿美元下降23%，主要源于计算和图形业务收入下降。净利润为1600万美元，比上年同期的8100万美元下降80%。

赛灵思(Xilinx Inc)公布2018财年第四季度和全年业绩(截至3月30日)。第四财季净营收8.28亿美元，上年同期为6.38亿美元。当季净利润2.45亿美元，上年同期为1.45亿美元。财年营收30.59亿美元，上财年为24.67亿美元。财年净利润8.90亿美元，上财年为4.64亿美元。

美满电子 科技 (Marvell Technology Group)公布2019财年第一财季(截至5月4日)业绩。当季净营收6.62亿美元，上年同期为6.05亿美元。当季净亏损4845万美元，上年同期净利润12.86亿美元。

代工

台积电(TSMC)公布2019年第一季财务报告，合并营收约新台币2187亿元(71亿美元)，与2018年同期相较减少11.8%。税后纯益约新台币613.9亿元，与上年同期相比减少了31.6%。

联华电子(UMC)公布2019年第一季财务报告，合并营业收入为新台币325.8亿元(约10.3亿美元)，与去年同期的新台币375.0亿元相比减少13.1%。归属母公司净利为新台币12.0亿元。第一季，联华电子晶圆专工营收达到新台币325.6亿元，出货量为161万片约当八吋晶圆。

半导体代工制造商中芯国际公布截至2019年3月31日止三个月的综合经营业绩。第一季的销售额为6.689亿美元，2018年第一季为8.31亿美元。第一季度净利润1230万美元。

设备

应用材料公司(Applied Materials, Inc.)公布第二财季(截至2019年4月28日)业绩。当季净销售额35.39亿美元，上年同期为45.79亿美元。当季净利润6.66亿美元，上年同期为11.00亿美元。其中，半导体系统净销售额21.84亿美元，全球应用服务净销售额9.84亿美元。

东京电子(Tokyo Electron Limited)公布截至3月31日的2018财年业绩。财年净销售额1.28万亿日元(118亿美元)，上年同期为1.13万亿日元。财年营业利润3106亿日元，上财年为2812亿日元。财年净利润2482亿日元，上财年为2044亿日元。

阿斯麦(ASML Holding N.V.)发布2019年第一季度业绩。净销售额22.29亿欧元(24.9亿美元)，上年同期为22.85亿欧元。当季净利润3.55亿欧元，上年同期为5.40亿欧元。

芯片设备公司泛林集团(Lam Research Corp)公布2019年第三季度业绩(截至3月31日)。当季营收24.39亿美元，上年同期为25.23亿美元。当季净利润5.47亿美元，上年同期为5.69亿美元。

半导体公司科磊(KLA-Tencor Corp.)公布2019年第三季度业绩(截至3月31日)。当季营收10.97亿美元，上年同期为10.21亿美元。当季净利润1.93亿美元，上年同期为3.07亿美元。

其他

日月光投资控股(ASE Technology Holding Co., Ltd.)公布2019年第一季度业绩。当季营业收入净额新台币888.61亿元(约28.1亿美元)，上年同期为649.66亿元。营业净利22.93亿元，上年同期为43.16亿元。税后净利26.35亿元，上年同期为37.76亿元。归属于本公司业主净利20.43亿元，上年同期为20.96亿元。其中，半导体封装测试营收544亿元，电子代工服务营收350亿元。

安靠(Amkor Technology Inc)发布2019年第一季度业绩。净销售额8.95亿美元，上年同期为10.25亿美元。当季净亏损2300万美元，上年同期为净利润1000万美元。

激光雷达发射器先发射激光，经过物体（ O b j e c t ObjectObject ）反射后被 C M O S CMOSCMOS （一种图像传感器，即图中 I m a g e r ImagerImager ）捕捉，设捕捉点为 x 2 x_2x

2

​

。现过焦点 O OO 作一条虚线平行于入射光线，交 I m a g e r ImagerImager 于 x 1 x_1x

1

​

，由于 β \betaβ 已知，所以可得到 x 1 x_1x

1

​

的位置。记 x 1 , x 2 x_1,x_2x

1

​

,x

2

​

之间距离为 x xx，易得左右两个三角形相似，所以有：q f = s x \frac{q}{f}=\frac{s}{x}

f

q

​

=

x

s

​

，又有 s i n β = q d sin\beta=\frac{q}{d}sinβ=

d

q

​

，二者联立可得 d = s f x s i n β d=\frac{sf}{xsin\beta}d=

xsinβ

sf

​

.

这样就可得到物体到激光发射器的距离 d dd 了，激光雷达将这样的发射器和接收器组装在一起，经过机械旋转360°即可得到一周障碍物的距离。

TOF测距原理

由三角测距的计算公式不难发现，当距离 d dd 很大时，每变化 δ d \delta dδd 引起的 x xx 变化很小，导致精度下降，这就限制了测量范围。

而TOF（Time of flight）原理克服了测量距离这一难点，并且提高了精度：

TOF原理十分简单，就是利用光速测距。首先激光发射器发射激光脉冲，计时器记录发射时间；脉冲经物体反射后由接收器接受，计时器记录接受时间；时间差乘上光速即得到距离的两倍。

TOF原理看似简单，但是实现起来确有很多难点：

计时问题：由于光速过快，测量时间会变得很短。据网上数据得：1cm的测量距离对应65ps的时间跨度。这需要计时器的精确度很高。

脉冲问题：发射器需要发射高质量的脉冲光，接收器接受脉冲光的时候需要尽量保持信号不失真。

对于同一距离的物体测距时，得到的回波信号可能不一样，如下图的黑白纸，这就需要特殊的处理方式来处理。

但总的来说TOF原理的精度远远超过三角测距，只是由于诸多难点导致成本略高。像大一立项时因为没钱，所以用的三角测距的思岚A1，精度不是很高。而ROBOCON战队里的sick激光雷达就是TOF原理，精度非常高，贵是有道理的~

雷达分类

机械激光雷达

机械激光雷达使用机械部件旋转来改变发射角度，这样导致体积过大，加工困难，且长时间使用电机损耗较大。但由于机械激光雷达是最早开始研发的，所以现在成本较低，大多数无人驾驶公司使用的都是机械激光雷达。

MEMS激光雷达

MEMS全称Micro-Electro-Mechanical System，是将原本激光雷达的机械结构通过微电子技术集成到硅基芯片上。本质上而言MEMS激光雷达是一种混合固态激光雷达，并没有做到完全取消机械结构。

主要原理为：通过MEMS把机械结构集成到体积较小的硅基芯片上，并且内部有可旋转的MEMS微振镜，通过微振镜改变单个发射器的发射角度，从而达到不用旋转外部结构就能扫描的效果。

大致原理如下图：

相控阵激光雷达

两列水波干涉时会出现某处高某处低的情形：

光学相控阵原理类似干涉，通过改变发射阵列中每个单元的相位差，合成特定方向的光束。经过这样的控制，光束便可对不同方向进行扫描。雷达精度可以做到毫米级，且顺应了未来激光雷达固态化、小型化以及低成本化的趋势，但难点在于如何把单位时间内测量的点云数据提高以及投入成本巨大等问题。

动态原理图如下：

FLASH激光雷达

FLASH激光雷达原理非常简单：在短时间内发射出一大片覆盖探测区域的激光，再以高度灵敏的接收器，来完成对环境周围图像的绘制。

激光雷达的数据

分成N份

分成M份

N线点云数据

1线点云数据

时间戳

1个点云数据

点云数量M

X方向偏移量

Y方向偏移量

Z方向偏移量

反射强度

激光雷达数据的处理顺序一般为：

数据预处理（坐标转换，去噪声）

聚类（根据点云距离或反射强度）

提取聚类后的特征，根据特征进行分类等后处理工作。

激光雷达数据的处理顺序一般为：

数据预处理（坐标转换，去噪声）

聚类（根据点云距离或反射强度）

提取聚类后的特征，根据特征进行分类等后处理工作。

功率半导体元件或简称功率元件，是电子装置的电能转换与电路控制的核心。主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功率控制等，并同时可具有节能的功效，因此，功率元件广泛应用于移动通讯、消费电子、新能源交通等众多领域。

▲图片来源于网络

功率元件全球市场规模约140亿美元

据麦姆斯咨询报道，电力电子市场规模预计将从2018年的390.3亿美元增长到2023年的510.1亿美元，2018~2023年预测期间的复合年增长率（CAGR）为5.5%。推动该市场增长的主要因素为电力基础设施的升级、便携式设备对高能效电池的需求增长。

功率元件全球市场规模约140亿美元，占全球半导体市场的3.5％，其中MOSFET规模约68亿美元、IGBT约12.6亿美元，占功率半导体元件分别为48％与9％；根据IEK调查指出，近年受惠电动汽车与油电混和车快速发展、汽车电子化比重提升以及手机快充、物联网（IoT）新应用兴起，功率元件在提高能源转换效率上占据重要地位，产业需求逐渐提升；而未来电动车半导体的需求为传统汽车的两倍以上，预期MOSFET等功率元件用量将大幅提升。

MOSFET与IGBT市场过去皆呈大厂寡占的态势，英飞凌、安森美与瑞萨占MOSFET市场近50％，IGBT市场英飞凌、三菱电机与富士电机三家市场占率更达61％；此类IDM垂直整合大厂以英飞凌为首，均优先将产能给毛利率较高的新产品，相继退出中低压MOSFET一般消费性产品线，导致MOSFET供需缺口扩大，使台厂自去年第2季开始即逐渐感受到转单效应，预料这股缺货风潮恐将持下去。

而在发展中国家地区，由于电力需求的增加，现有的电力资源正在被快速的消耗。全球对电力基础设施的需求和对可再生能源的使用的关注日益增加。全球各国政府不断增大对可再生能源的投资，比如太阳能和风能，并且不断制定出更好的上网电价补贴政策，以帮助和鼓励光伏项目的发展。

因此，随着功率半导体的不断发展和技术进步，功率器件下游产业的稳步扩张，未来在政策资金支持以及国内新能源汽车的蓬勃发展下，中国国内功率半导体产业将迎来黄金发展期。

MOSFET市场供需失衡

按器件类型细分，电力电子市场可分成功率分立器件、功率模组和功率集成电路（IC）。在2017年，功率IC占据了主要的电力电子市场份额。功率IC包括电源管理集成电路（PMIC）和专用集成电路（ASIC），主要用于高频、高功率放大和微波辐射等应用领域。

在晶圆供给方面，MOSFET与IGBT产品考量8吋光罩费用仅12吋的1/10，加以功率元件还有不漏电的要求，尚无法做到尺寸微缩等原因，台湾与大陆的MOSFET功率元件IC设计公司都投产在8吋晶圆厂；然而由于指纹辨识、影像感测器（CIS）、电源管理（ICPMIC）等IC产品，受到资安需求提升，对8吋晶圆需求亦增加，致使全球8吋晶圆投片量提升。

MOSFET市场的供需失衡，让台厂迎来多年以来难得的成长契机，上游IC设计方面，大中、杰力在PC市场与消费性电子产品较具竞争优势，预计下半年供需仍吃紧态势下，对下游的议价能力转强，有助其获利表现；在晶圆生产方面，世界先进8吋产能满载，加上电源管理营收占比持续提升改善产品组合，未来营运展望乐观。

新能源汽车行业高复合增长

按应用类型细分，电力电子市场可分为电源管理、驱动、不间断电源（UPS）、铁路牵引、交通运输、可再生能源等。在2018~2023年预测期间，交通运输应用领域的电力电子市场预计以最高复合年增长率增长，主要归因于混合动力汽车（HEV）和电动汽车（EV）的产量不断增加和全球对电动汽车充电站的需求不断增加。

按垂直行业细分，电力电子市场可分为信息通信技术（ICT）、消费电子、能源和电力、工业、汽车、航空航天和国防等。在预测期内，汽车行业预计以最高复合年增长率（CAGR）增长，主要归因于混合动力汽车（HEV）和电动汽车（EV）的数量日益增长和全球对轿车和其他乘用车的需求不断增加。

2023年按地区细分的电力电子市场预测（图片来源麦姆斯咨询）

按地区细分，亚太地区（APAC）在整个电力电子市场中占据了最大的市场份额，其次是欧洲。在预测期内，亚太地区的电力电子市场预计将快速增长。推动亚太地区市场发展的关键因素包括汽车和消费类应用对电力电子器件的需求增长以及在亚太地区拥有大量的电力电子制造企业。此外，工业、能源和电力行业对电力电子器件的需求也在推动该市场在亚太地区的进一步发展。

制约电力电子市场增长的关键因素

电力电子产业越来越关注于将多个功能集成到一个芯片中，从而导致器件设计变得复杂。复杂器件的设计和集成需要特殊的技能、稳健的方法和各种集成工具，这都会增加器件的成本。从而，高成本限制了用户向先进器件转换。因此，先进器件所需要的复杂设计和集成工艺，被认为是制约电力电子市场增长的关键因素。

然而，不同于第一代与第二代半导体材料，第三代半导体材料是以氮化镓和碳化硅为代表的宽禁带半导体材料，在导热率、抗辐射能力、击穿电场能力、电子饱和速率等方面优势突出，更适用于高温、高频、抗辐射的场合。有关专家指出，第三代半导体器件将在新能源汽车、消费类电子领域实现大规模应用。

随着制备工艺逐步成熟和生产成本的不断降低，第三代半导体材料正以其优良的性能正在不断突破传统材料的瓶颈，成为半导体技术研究前沿和产业竞争焦点，美、日以及欧盟都在积极进行战略部署。美国已经将部署第三代半导体战略提升到国家层面，先后启动实施了“宽禁带半导体技术创新计划”“氮化物电子下一代技术计划”等，制定颁布了《国家先进制造战略规划》等法规条例。欧盟在第三代半导体发展中以联合研发项目为主，力图通过对各成员国的资源优化配置，使欧盟在半导体领域保持国际领先水平。日本作为全球第一个以半导体照明技术为主的国家，在第三代半导体器件制备与应用方面已经达到世界领先水平。

目前，国际电力电子市场的主要厂商有：英飞凌（德国）、三菱电机（日本）、德州仪器（美国）、安森美半导体（美国）、意法半导体（瑞士）、富士电机（日本）、瑞萨电子（日本）、东芝（日本）、恩智浦半导体（荷兰）、Vishay

Intertechnology（美国）、美信半导体（美国）、赛米控（德国）、ABB（瑞士）、日立（日本）、亚德诺半导体（美国）、罗姆半导体（日本）、力特（美国）、美高森美（美国）、微芯科技（美国）、丹佛斯（丹麦）等。

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