温度升高,杂质半导体中多子浓度有变化吗?

温度升高,杂质半导体中多子浓度有变化吗?,第1张

低掺杂半导体:由于所有杂质完全电离,温度升高时多子浓度基本不变.

高掺杂半导体:杂质只有部分电离,温度升高导致未电离的杂质原子电离,多子浓度升高明显.

中等掺杂:介于二者之间.

低掺杂半导体:由于所有杂质完全电离,温度升高时多子浓度基本不变。

高掺杂半导体:杂质只有部分电离,温度升高导致未电离的杂质原子电离,多子浓度升高明显。

中等掺杂:介于二者之间。

半导体随着温度升高,其电阻率是变小的。因为半导体材料的分子一般排列的比较有序,才导致可以用半导体材料做成二极管,具有单向导电性。随着温度的升高,分子排列的无序性变大,导电性能变好。电阻率将会减小。


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