稀磁半导体磁性产生机理的几种观点。

构成半导体材料的原子的核外电子公转和自转形成自旋磁矩，多个原子在自旋磁矩的作用下自发磁化形成磁畴。磁畴在强外磁场的作用下转向一致方向，在外磁场撤销后，由于磁畴壁、材料杂质、钉扎效应等作用使得材料产生一定的剩磁。

磁场是可以激发半导体材料产生空穴的，但自由电子和空穴必须成对产生。条件是：

1，半导体材料在磁场中运动，方向为垂直于磁力线方向；

2，磁场足够强或半导体材料运动足够快。

实际上，半导体材料在强电场或磁场的洛伦兹力作用下“产生”自由电子和空穴的过程就是它的击穿过程，因为这是个雪崩过程，速度快而不可控。

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