镁和硅哪个导电性强

镁。

镁是金属元素，硅是非金属元素，硅还是一种半导体，一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料，硅的电导率与其温度有很大关系，随着温度升高，电导率增大，在1480℃左右达到最大，而温度超过1600℃后又随温度的升高而减小。

在元素周期表中金属和非金属的分界处，可以找到半导体材料，如硅、锗、镓等

另外还有半导体的特性：

半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。它的重要特性表现在以下几个方面：

（1）热敏性 半导体材料的电阻率与温度有密切的关系。温度升高，半导体的电阻率会明显变小。例如纯锗（Ge），温度每升高10度，其电阻率就会减少到原来的一半。

（2）光电特性 很多半导体材料对光十分敏感，无光照时，不易导电；受到光照时，就变的容易导电了。例如，常用的硫化镉半导体光敏电阻，在无光照时电阻高达几十兆欧，受到光照时电阻会减小到几十千欧。半导体受光照后电阻明显变小的现象称为“光导电”。利用光导电特性制作的光电器件还有光电二极管和光电三极管等。

近年来广泛使用着一种半导体发光器件--发光二极管，它通过电流时能够发光，把电能直接转成光能。目前已制作出发黄，绿，红，蓝几色的发光二极管，以及发出不可见光红外线的发光二极管。

另一种常见的光电转换器件是硅光电池，它可以把光能直接转换成电能，是一种方便的而清洁的能源。

（3）搀杂特性 纯净的半导体材料电阻率很高，但掺入极微量的“杂质”元素后，其导电能力会发生极为显著的变化。例如，纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米，若掺入百万分之一的硼元素，电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米。因此，人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素，精确控制它的导电能力，用以制作各种各样的半导体器件。

由四种短周期元素在周期表中的位置，可知M为第三周期元素，且只有M为金属元素，则M为Al，结合位置可知X为Si，Y为N，Z为O，

A．Si位于金属与非金属元素的交界处，则元素X的单质是一种常见的半导体材料，故A正确；

B．M和Y的最高价氧化物对应的水化物分别为氢氧化铝、硝酸，二者可发生复分解反应生成盐和水，故B正确；

C．非金属性N>Si，Y的最高价氧化物对应水化物的酸性比X 的强，故C错误；

D．非金属性O>N，Z的气态氢化物比Y的气态氢化物稳定，故D正确；

故选C．

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