什么是半导体离子注入技术？

半导体离子注入技术是一种材料表面改性高新技术，在半导体材料掺杂，金属、陶瓷、高分子聚合物等的表面改性上获得了极为广泛的应用，在当代制造大规模集成电路中，可以说是一种必不可少的手段。

基本原理：

用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，入射离子逐渐损失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。

离子注入的优点是能精确控制杂质的总剂量、深度分布和面均匀性，而且是低温工艺（可防止原来杂质的再扩散等），同时可实现自对准技术（以减小电容效应）。

作为一种材料表面工程技术，离子注入技术具有以下一些其它常规表面处理技术难以达到的独特优点：

纯净的无公害的表面处理技术

无需在高温环境下进行，无需热激活，不会改变工件的外形尺寸和表面光洁度

与基体之间不存在剥落问题

离子注入后无需再进行机械加工和热处理

荣欣源为客户提供大束流、中束流、高能离子源用钨钼精密部件。

电注入工艺原理即是离子注入技术原理 ， 离子注入工艺在现代半导体工艺中已是比较成熟的工艺。在超高速、微波、和中大规模集成电路制备中，器件的结深，基区的宽度，都小到只有零点几微米，杂质浓度分布也有更高的要求（有的甚至要求杂质浓度很淡），这靠普通的扩散工艺是难以达到的。而离子注入工艺恰好能弥补扩散工艺的不足，制造出理想的PN结来。

光注入、电注入优缺点对比

无论是电注入还是光注入，本质上都是使用载流子注入的方式来提高氢对缺陷的钝化效率，因此，所谓的优缺点或者说是差异都在于工程实现上，关于两者之间的优缺点，见仁见智，每一种技术都有它存在的意义和价值，主要看哪一种比较适合客户的具体需求，能否高性价比的解决客户的问题。

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