管好备件管理有哪些经验和方法

仅供参考

（1）问题的提出

备件管理，对很多企业的设备管理者而言，都是一个颇具挑战意味的话题。很多企业的备件管理人员有一个共同的体会：备件管理，想说管好不容易。

对于一个企业备件管理者来说，面临的压力是不言而喻的。一方面是高层的压力，看着居高不下的备件库存资金占用，很难指望能在高层那里获得好脸色；另外一方面是一线车间维修需求的压力，保生产，保质量已经成为一线人员的头等大事，如果因维修所需备件短缺导致的较大的停机损失，不用说，一定会把责任归到备件审核和卡控者身上。因此，很多时候，备件管理者经常处于一种两头受气的状态。

鱼和熊掌能否兼得？能不能在确保维修需求的同时尽可能降低备件资金占用？成为备件管理者绞尽脑汁想获取的答案。

另外，很多企业备件管理也对“零库存”管理非常感兴趣，我们也一起探讨一下这个问题：备件“零库存”合理吗？

（2）体系对应的理念

在设备维修工作中，为了减少停机时间而事先采购、加工并储备好的各种零（部）件，用于替换故障或劣化件以恢复设备原有性能，这些零（部）件通称为备件。

备件管理，就是为了能够按计划进行设备检修，尽量缩短故障停机时间，减少修理费用，在保证备件品种的质量和数量、供应及时、经济合理的原则指导下，对备件的计划、制造、采购、储备、供应等方面所进行的管理工作。

《全面规范化生产维护体系-要求》（2012版）中，条款4.4.6.4 设备备件管理 给出了具体要求：

1）备件管理制度：组织应建立备件管理制度，指导备件管理工作开展，备件制度应涵盖备件的分类和编码管理、备件储备、备件计划、审批、采购、验收、入出库、盘点、备件国产化以及修旧利废、异议处理和备件经济指标数据分析和总结等管理要求。

2）备件技术管理：组织应制定规范的备件编码规则和分类方法，不断优化备件库存模型和安全库存、批量采购数量等内容。

3）备件计划管理：组织应强化备件计划管理，明确备件计划管理职责和流程、规范备件计划表单，设有专人对申报的备件计划汇总并进行分析优化，针对临时性备件计划申报建立相应的管理措施，不断提升备件计划的时效性等。

4）备件采购管理和国产化：组织应积极探索备件社会化协作机制，完善备件采购管理职责和流程，建立备件采购的价值分析机制，完善和丰富备件采购定价机制和采购方式，规范备件采购的合同管理。针对备件质量异议处理建立机制，在周期备件费用最小化的前提下，不断探索备件国产化实践。

5）备件库存管理：组织应加强备件库管理、仓库区域布局策略、储位规划、合适的货架等仓储设施选用等，以及备件货位编码、备件帐物相符、出入库管理、备件的在库保管和维护情况。加强和不断提升备件库存6S和可视化定置化管理水平。

6）备件经济管理：组织应选择合适的备件经济和管理指标，将备件管理实绩纳入可量化考核的机制，通过指标数据的日常统计，不断提升备件管理水平。这些经济指标包括但不局限于周期备件费用比较、备件库存周转率、关键高值备件上机率、备件计划准确率等。

7）备件消耗和质量跟踪：适用时，组织应加强备件先进先出、领出即耗原则的应用，加强对使用的备件质量、寿命的跟踪机制，为准确的备件计划提供依据。

8）备件的报废和循环使用：组织应加强备件的报废管理、备件的修旧利废等工作的开展。

9）备件管理的持续改进：组织应针对备件管理各主要模块定期评估和持续改进。

（3）具体解决问题的方法

从企业备件管理者的角度，备件管理所关注重点一是备件库存规模，另外一个是备件年度消耗，这两个不是一个概念。但又相互有关联，需要一并考虑。

我们认为首先要建立一个观念：备件问题不是一个单纯的技术问题，很大程度上是一个系统问题，或者是复杂利益关系的管理问题。

在备件管理的四个模块中，技术管理和经济管理在很多企业是薄弱环节，计划管理和库存管理则相对较好。

没有根据备件的管理特点进行合适的分类，从而建立针对性的管理策略，是很多企业做的不到的地方，建议企业参照图5-28所列的要点进行备件分类管理。

图5-28 备件分类方式和管理要点

备件管理的源头问题是设备故障的有效管控，设备故障是源头，不管好这个源头，或者脱离这个源头谈备件管理，是缘木求鱼。备件管理，第一是管好备件的消耗，通过一些具体的策略和思路来提高备件的上机率和购置准确性；第二是管好备件的库存规模，很多企业库存结构及其不合理，3年以上积压库存甚至占到50％以上。要对这些备件的历史成因、对应的设备、如何消耗等采取针对性的措施。

（4）解决问题的效果

就单纯设备维修而言，储备的零配件越齐全、数量越多，维修越便利。所以如果不进行成本考核的话，绝大多数的维修主管都会选择储备尽可能多的零配件来确保不造成严重的停机后果。

从上面叙述中我们可以明白这个道理，即备件管理，不仅要评判零配件的库存成本资金占用，还要关注因为缺件导致的停机损失，两者的关系如图5-29所示：

图5-29 备件库存规模与停机风险

从图中我们可以看出，备件的储备规模有个最优区间，在这个最优区间时，整体的综合费用才是最优的。如果我们一味追求备件库存规模的缩小，则会带来巨大的停机风险和损失。明显的账面上备件资金占有对企业来说是成本，但那些由于缺少零配件而导致的停机损失，虽然相对难测量但一样是企业的巨大成本。因此，经常谈论和倡导备件“零库存”管理，是多么不当甚至危险的观点。

当然，我们倡导备件最优的储备规模，不意味着我们不能积极思考备件存储的社会化创新，其中备件无库存管理就是其中一种积极的尝试。

（5）解决问题的案例

备件无库存管理是企业降低备件库存一种有效途径，目前已在宝钢集团等国内很多大型企业应用。

备件无库存管理是指签约单位（制造厂、代理商，以下简称供应商）根据与企业签约的备件品种、数量和使用周期组织生产或货源，同时供应商按企业的要求，常年储备库存。企业仅在需用时，提前一定周期通知供应商，由供应商负责将备件按质、按量、按时送到企业的指定部门，企业再以实际领用的数量与既定价格和供应商进行结算。

一般列入无库存管理的备件，是指那些质量和消耗相对稳定（如连续2年以上使用且无质量异议），并应由一定资格的供应商供应，能够为企业备件供应提高效率、效益的备件，包括计划更换件、定额消耗件、轧辊（钢铁企业）等。

包括库存量的控制、最小储备量、供应商以及最大储备量的确定。亲亲为您查询到以下相关信息哦：备品备件库存应实行定置管理，每种备品备件对应一个唯一的编码，并放置在指定的位置，一般都会有货架存放，货架也应编码，还应该执行可视化管理，每个货架有标牌，每种备品备件也有标牌，标牌编码要有一定规则，以便于查找。备品备件还应该有最低库存预警机制，根据使用频次确定每种件的最低储备，当达到最低储备时，要有补充库存的警示信息。库存备件管理是由采购部门制定完整的采购作业制度、责权匹配制度及规范管理模式。

为了消除多晶材料中各小晶体之间的晶粒间界对半导体材料特性参量的巨大影响，半导体器件的基体材料一般采用单晶体。单晶制备一般可分大体积单晶(即体单晶)制备和薄膜单晶的制备。体单晶的产量高，利用率高，比较经济。但很多的器件结构要求厚度为微米量级的薄层单晶。由于制备薄层单晶所需的温度较低，往往可以得到质量较好的单晶。具体的制备方法有：①从熔

体中拉制单晶：用与熔体相同材料的小单晶体作为籽晶，当籽晶与熔体接触并向上提拉时，熔体依靠表面张力也被拉出液面，同时结晶出与籽晶具有相同晶体取向的单晶体。②区域熔炼法制备单晶：用一籽晶与半导体锭条在头部熔接，随着熔区的移动则结晶部分即成单晶。③从溶液中再结晶。④从汽相中生长单晶。前两种方法用来生长体单晶，用提拉法已经能制备直径为200毫米,长度为1～2米的锗、硅单晶体。后两种方法主要用来生长薄层单晶。这种薄层单晶的生长一般称外延生长，薄层材料就生长在另一单晶材料上。这另一单晶材料称为衬底，一方面作为薄层材料的附着体，另一方面即为单晶生长所需的籽晶。衬底与外延层可以是同一种材料(同质外延)，也可以是不同材料（异质外延）。采用从溶液中再结晶原理的外延生长方法称液相外延；采用从汽相中生长单晶原理的称汽相外延。液相外延就是将所需的外延层材料(作为溶质，例如GaAs)，溶于某一溶剂（例如液态镓）成饱和溶液，然后将衬底浸入此溶液，逐渐降低其温度，溶质从过饱和溶液中不断析出，在衬底表面结晶出单晶薄层。汽相外延生长可以用包含所需材料为组分的某些化合物气体或蒸汽通过分解或还原等化学反应淀积于衬底上，也可以用所需材料为源材料，然后通过真空蒸发、溅射等物理过程使源材料变为气态，再在衬底上凝聚。分子束外延是一种经过改进的真空蒸发工艺。利用这种方法可以精确控制射向衬底的蒸气速率，能获得厚度只有几个原子厚的超薄单晶，并可得到不同材料不同厚度的互相交叠的多层外延材料。非晶态半导体虽然没有单晶制备的问题，但制备工艺与上述方法相似，一般常用的方法是从汽相中生长薄膜非晶材料。 氮化镓、碳化硅和氧化锌等都是宽带隙半导体材料，因为它的禁带宽度都在3个电子伏以上，在室温下不可能将价带电子激发到导带。器件的工作温度可以很高，比如说碳化硅可以工作到600摄氏度；金刚石如果做成半导体，温度可以更高，器件可用在石油钻探头上收集相关需要的信息。它们还在航空、航天等恶劣环境中有重要应用。广播电台、电视台，唯一的大功率发射管还是电子管，没有被半导体器件代替。这种电子管的寿命只有两三千小时，体积大，且非常耗电；如果用碳化硅的高功率发射器件，体积至少可以减少几十到上百倍，寿命也会大大增加，所以高温宽带隙半导体材料是非常重要的新型半导体材料。

这种材料非常难生长，硅上长硅，砷化镓上长GaAs，它可以长得很好。但是这种材料大多都没有块体材料，只得用其它材料做衬底去长。比如说氮化镓在蓝宝石衬底上生长，蓝宝石跟氮化镓的热膨胀系数和晶格常数相差很大，长出来的外延层的缺陷很多，这是最大的问题和难关。另外这种材料的加工、刻蚀也都比较困难。科学家正在着手解决这个问题，如果这个问题一旦解决，就可以提供一个非常广阔的发现新材料的空间。 实际上这里说的低维半导体材料就是纳米材料，之所以不愿意使用这个词，发展纳米科学技术的重要目的之一，就是人们能在原子、分子或者纳米的尺度水平上来控制和制造功能强大、性能优越的纳米电子、光电子器件和电路，纳米生物传感器件等，以造福人类。可以预料，纳米科学技术的发展和应用不仅将彻底改变人们的生产和生活方式，也必将改变社会政治格局和战争的对抗形式。这也是为什么人们对发展纳米半导体技术非常重视的原因。

电子在块体材料里，在三个维度的方向上都可以自由运动。但当材料的特征尺寸在一个维度上比电子的平均自由程相比更小的时候，电子在这个方向上的运动会受到限制，电子的能量不再是连续的，而是量子化的，我们称这种材料为超晶格、量子阱材料。量子线材料就是电子只能沿着量子线方向自由运动，另外两个方向上受到限制；量子点材料是指在材料三个维度上的尺寸都要比电子的平均自由程小，电子在三个方向上都不能自由运动，能量在三个方向上都是量子化的。

由于上述的原因，电子的态密度函数也发生了变化，块体材料是抛物线，电子在这上面可以自由运动；如果是量子点材料，它的态密度函数就像是单个的分子、原子那样，完全是孤立的 函数分布，基于这个特点，可制造功能强大的量子器件。

大规模集成电路的存储器是靠大量电子的充放电实现的。大量电子的流动需要消耗很多能量导致芯片发热，从而限制了集成度，如果采用单个电子或几个电子做成的存储器，不但集成度可以提高，而且功耗问题也可以解决。激光器效率不高，因为激光器的波长随着温度变化，一般来说随着温度增高波长要红移，所以光纤通信用的激光器都要控制温度。如果能用量子点激光器代替现有的量子阱激光器，这些问题就可迎刃而解了。

基于GaAs和InP基的超晶格、量子阱材料已经发展得很成熟，广泛地应用于光通信、移动通讯、微波通讯的领域。量子级联激光器是一个单极器件，是近十多年才发展起来的一种新型中、远红外光源，在自由空间通信、红外对抗和遥控化学传感等方面有着重要应用前景。它对MBE制备工艺要求很高，整个器件结构几百到上千层，每层的厚度都要控制在零点几个纳米的精度，中国在此领域做出了国际先进水平的成果；又如多有源区带间量子隧穿输运和光耦合量子阱激光器，它具有量子效率高、功率大和光束质量好的特点，中国已有很好的研究基础；在量子点（线）材料和量子点激光器等研究方面也取得了令国际同行瞩目的成绩。 杂质控制的方法大多数是在晶体生长过程中同时掺入一定类型一定数量的杂质原子。这些杂质原子最终在晶体中的分布，除了决定于生长方法本身以外，还决定于生长条件的选择。例如用提拉法生长时杂质分布除了受杂质分凝规律的影响外，还受到熔体中不规则对流的影响而产生杂质分布的起伏。此外,无论采用哪种晶体生长方法,生长过程中容器、加热器、环境气氛甚至衬底等都会引入杂质，这种情况称自掺杂。晶体缺陷控制也是通过控制晶体生长条件（例如晶体周围热场对称性、温度起伏、环境压力、生长速率等）来实现的。随着器件尺寸的日益缩小，对晶体中杂质分布的微区不均匀和尺寸为原子数量级的微小缺陷也要有所限制。因此如何精心设计，严格控制生长条件以满足对半导体材料中杂质、缺陷的各种要求是半导体材料工艺中的一个中心问题。

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