众所周知，光刻胶是芯片制造不可或缺的重要原料，是光刻机进行硅膜片曝光、设计图案印章的核心材料。ArF 光刻胶材料主要应用于高端芯片制造，目前我国在ArF、KrF光刻胶领域中的市场占比较少，全球大多数的光刻胶市场都被美国、日本垄断。
对于国产半导体行业来说，南大光电7纳米光刻胶的交付，具有十分重要的意义，一方面能够缓解我们在半导体领域中，特别是芯片代工领域中，被芯片原料卡脖子的难题；另一方面有助于加快我们在芯片代工领域中实现自给化目标的脚步。
需要注意的是，有关 7 纳米 ArF 光刻胶的应用，南大光电目前只是小规模投产，与之相关的生产线正在构建当中。在公告中，南大光电也表示，ArF 光刻胶的复杂性决定了其在稳定量产阶段仍然存在工艺上的诸多风险，不仅需要技术攻关，还需要在应用中进行工艺的改进、完善。
但不管怎么说，这次南大光电完成7纳米光刻胶的验证，对于自身，对于国产半导体行业来说是一件好事情。至少可以保证我们不会在光刻胶领域中被国外彻底卡住，相信只要坚持下去，假以时日，一切难题都会迎刃而解。
粘度 是用来定义流体内部（流动）阻力大小的一个专业术语，由分子吸引力引起的流体内部摩擦，使其阻挡流动倾向。当施加一个（剪切）外力与流体上，就可以观测到这个阻力大小；阻力越大，需要越大的剪切外力去驱使流体流动；这个剪切力可以用来定义粘度。直观表现就是矿泉水比番茄酱容易倒出。
单位： cP、Pa.S 1 cP = 1 mPa·s 1 P = 100 cP 1 Pa·s = 1,000 mPa·s
不同的剪切外力作用下，按受到阻力变化状况（粘度）将流体可以分为：
1. 牛顿流体： 粘度与剪切速率和时间无关，典型的是气体，水
2. 非牛顿流体： 粘度与剪切速率&压力相关，不同条件下，粘度会变化，比如导电胶，石油树脂等
- 在特殊参数条件下测得的粘度称之为"表观粘度“
- 半导体封装胶黏剂是典型的非牛顿型流体，具有剪切变稀的行为
2.粘度的测试方法：
原理：通过转子转动流体，粘度仪的转子施加的扭矩与被测样品的分子内部摩擦力(即粘度)正相关，通过检测转子受力换算出样品粘度
胶黏剂市场主流的测试设备是俩种 Brookfield 的粘度仪器和TA的流变仪，前者是市场应有广泛，价格实惠；后者准确性和再现性出色，但价格是前者的几倍
-2.1)Brookfield 粘度仪
Broofield 粘度仪市场占有量大，精度在±1.0%的全量程范围内， 重现性在±0.2% ， 工作温度范围从5°C到80°C，基本可以满足市场测试需求
Brookfield 粘度仪原理
Brookfield 的根据测试设备型号不同，转子不同形成了一系列覆盖各个粘度范围的配套成熟产品：
- Brookfield 粘度仪是在固定剪切速率下测试产品粘度，
-目前常用的一套是：DV2THBCP（工作台）+ CPA51(转子）
希望可以帮到你
1、半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。半导体封装测试是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。2、封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后，被切割为小的晶片（Die），然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板（引线框架）架的小岛上，再利用超细的金属（金、锡、铜、铝）导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘（Bond
Pad）连接到基板的相应引脚（Lead）,并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后，还要进行一系列 *** 作，如后固化（Post
Mold
Cure）、切筋和成型（Trim&Form）、电镀（Plating）以及打印等工艺。封装完成后进行成品测试，通常经过入检（Incoming）、测试（Test）和包装（Packing）等工序，最后入库出货。典型的封装工艺流程为：划片→
装片→
键合→
塑封→
去飞边→
电镀
→打印→
切筋→成型→
外观检查→
成品测试→
包装出货。
3、半导体器件有许多封装形式，按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型和高级封装三类。从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP，技术指标一代比一代先进。总体说来，半导体封装经历了三次重大革新：第一次是在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装，它极大地提高了印刷电路板上的组装密度；第二次是在上世纪90年代球型矩阵封装的出现，满足了市场对高引脚的需求，改善了半导体器件的性能；芯片级封装、系统封装等是现在第三次革新的产物，其目的就是将封装面积减到最小。
4、半导体封装形式：金属封装、陶瓷封装、金属+陶瓷封装、塑料封装（最主要的封装形式）
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