首先，半导体是一门非常专业的学科，半导体器件仿真肯定需要专业的仿真软件，而通用CAE类的软件是无法解决大多数技术细节问题的，comsol， ansys，abaqus,就是通用CAE软件，据我了解前者在低频电磁，电化学，这一块还可以；中者，包含了很多软件，体系庞大却没好好消化，对这个了解的少，不发表意见；后者，材料，结构、岩土用的多；
其次，半导体器件仿真，这行业里站在高处的大牛，还是用TCAD类的软件较多，可以了解下国内主要做半导体的单位，高校、研究所、企业，基本上都是用这些软件，Synopsys的算一个，Crosslight算一个，NEXTNANO算一个，，，，，等等，其实很简单，你把这些软件放在网上一搜别人做的成果就知道哪些软件用的多，出的成果多；
不过，像Synopsys这类自己就做半导体的这类厂家，考虑到知识产权和保密问题，有一定的知识壁垒，所以这类的软件傻贵傻贵。NEXTNANO算是比较学术的一个，很久之前是开源的，现在借助他们的学校和研究所，正在走商业化，毕竟要存活嘛；
如果要学习TCAD软件也不容易啊，运气好的话，可以碰到技术比较过硬，而且还靠谱的厂家或者工程师，还会多帮忙指导指导；如果碰到只顾卖产品，无技术服务，那就惨了，，，，此为后话，一定要擦亮双眼，多做技术沟通和交流。很多技术型的公司非常乐意做技术交流的，双方互相学习共同提高嘛。
国内自己的自主研发的半导体软件，极少啊；国内做大型的工程计算软件，毕竟在前期缺少了知识储备和经验积累，现在别人制裁，就没辙了，哎，扯远了........
JMP软件中的晶圆图( Wafer Map)分析2016-03-24 原文
关键词：芯片 良率分析 晶圆图 质量管理 JMP Minitab
半导体芯片的生产，简单来讲，是将电路通过各种复杂的物理化学方法制作到晶圆上，在生产的最后阶段会进行不同电性功能的测试以确保产品的功能性，而利用这些测试结果再结合晶圆的形状所产生的图形就是晶圆图(Wafer Map)。晶圆图是以芯片(Die)为单位的，将测试完成的结果用不同颜色、形状或代码标示在各个芯片的位置上。
半导体业内人士都知道：晶圆图是提供追溯产品发生异常原因的重要线索，通过晶圆图的空间分布情况及其模型分析，可以找出可能发生低良率的原因（例如有问题的机台或异常的制程步骤等）。所以，哪怕当前的良率较高，每个工厂也会记录每片晶圆经过测试后产生的晶圆图，以作为工作报告的必备内容或者事故诊断的重要依据。
虽然现在的不少半导体加工设备本身就提供了一些制作晶圆图的功能，但基本上都是些简单且固定的模式，工程师们稍微有些新想法、新要求就无法实现了。我们老板想省钱，前两年想请IT部门配合用Excel中的VBA开发一个具有定制化功能的晶圆图分析软件，但实施起来遇到很多困难，最后这个项目也就不了了之了。上个月参加了JMP中国区的技术专家到我们公司做的“数据可视化”培训，意外地发现用JMP可以轻松制作出适合我们实际需要的晶圆图。
据我所知，JMP在半导体领域相当普及，无论是搞研发、设计、生产、工艺、质量还是六西格玛的，都会用得到它(这个领域好像Minitab用得不多-题外话)。用JMP软件绘制晶圆图的方法有好几种，最方便的是用“图形生成器（Graph Builder）”，将数据拖入JMP图形生成器的制图区域即可得到，其中用颜色来表示不同的测试结果。
代表合格、用1~7分别代表七种不同缺陷的晶圆图。够直观的吧？只要有规律地修改JMP数据表中各行的“行标记”就行了。
实际工作中有时候需要制作上面两种Bin Wafer Map之外，有时候还需要制作Parametric Wafer Map。它与前者的主要区别是需要在图形上增加等高线图Contour Plot，这在JMP软件中也很方便。下面的这张Parametric Wafer Map也是用JMP的“图形生成器（Graph Builder）”完成的，从中可以直观地发现连续型测量值的变化规律，帮助工程师判断制程变异趋势。
度任意旋转，挺好玩的。
其实，最让我感兴趣的还有用JMP软件自带的编程语言JSL（JMP Scripting Language）把JMP的图形生成器、地图、数据过滤器、图形与数据源的链接、方差分析、相关性与回归等功能整合在一起，开发出一套既满足工程师个性化查询要求、又符合公司标准化自动分析标准的良率分析（Yield Analysis）系统。
这对于我来说，还需要一段时间。目前我还只能达到基于Wafer Map为分析的初级阶段。具体地说，我编写的脚本运行之后，还只能自动生成类似如下的界面，用来观察不同Lot之间、不同Wafer之间的质量波动情况。路漫漫其修远兮，我还要求索求索。
不过，因为这样类似于模版的东西可以进行自动分析和更新，已经节省了我们很多时间，可以有更多的时间搞一些其他更重要的事情(当然，数据分析也很重要)。老板还让我过段时间搞个内部培训(压力大啊)，确保部门里的同事都会看、会用。这让我信心大增的同时也总感觉一个人自学进步太慢。各位如果在半导体工艺优化、质量管理以及JMP软件的使用等方面有什么心得和经验，还希望能够交流交流，共同提高。
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研究人员在康奈尔和康奈尔两维物质之间发现了一个奇异的绝缘体。
通过这样做，他们实现了一个难以捉摸的模型，这个模型是十多年前首次提出的，但科学家们一直未能证明，因为似乎不存在合适的材料。现在研究人员已经建立了正确的平台，他们的突破可能会导致量子器件的进步。
该小组的论文“来自相互缠绕的莫尔带的量子反常霍尔效应”，发表于12月22日 自然 共同的主要作者是前博士后研究员李婷欣和姜胜伟，博士生沈博文和麻省理工学院研究员杨张。
该项目是文理学院物理系副教授麦金辉和工程学院应用与工程物理教授单杰（音译）共享实验室的最新发现。两位研究人员都是康奈尔大学卡夫利纳米科学研究所的成员；他们是通过教务长的纳米科学和微系统工程（NEXT Nano）计划来到康奈尔大学的。
他们的实验室专门研究二维量子材料的电子特性，通常是通过堆叠超薄的半导体单分子膜，使它们稍微不匹配的重叠产生莫尔晶格图案。在那里，电子可以沉积并相互作用，从而表现出一系列的量子行为。
在这个新项目中，研究人员将二碲化钼（MoTe）配对2)含二硒化钨（WSe2)，将它们以180度的角度扭转，这就是所谓的AB堆栈。
在施加电压后，他们观察到了一种称为量子反常霍尔效应的现象。这源于一种称为霍尔效应（Hall effect）的现象，这种现象最早在19世纪末被观察到，在这种现象中，电流流过一个样品，然后被以垂直角度施加的磁场弯曲。
1980年发现的量子霍尔效应是一种超大型的量子霍尔效应，在这种效应中，施加了一个更大的磁场，从而引发了更奇怪的现象：大块样品的内部变成了绝缘体，而电流则沿着外边缘单向移动，电阻量子化为宇宙中基本常数定义的值，而不考虑材料的细节。
量子反常霍尔绝缘体于2013年首次被发现，达到了同样的效果，但没有任何磁场的干预，电子沿着边缘加速，就像在高速公路上一样，没有耗散能量，有点像超导体。
马克说：“很长一段时间以来，人们认为量子霍尔效应需要磁场，但实际上并不需要磁场。”。“那么，磁场的作用是什么来代替的呢？事实证明是的磁性你必须使材料具有磁性。"
微粒2/WSe公司2stack现在加入了为数不多的几种已知的量子反常霍尔绝缘体的行列。但这仅仅是其吸引力的一半。
研究人员发现，只要调整电压，他们就可以半导体堆积成二维拓扑绝缘体，这是量子反常霍尔绝缘体的近亲，只是它存在重复。在一个“副本”中，电子高速公路沿边缘顺时针方向流动，而在另一个“副本”中，则是逆时针方向流动。
物质的这两种状态以前从未在同一体系中得到证明。
在与麻省理工学院合作者梁福（音译）领导的合作者进行磋商后，康奈尔大学的研究小组得知，他们的实验实现了2005年宾夕法尼亚大学物理教授查尔斯·凯恩（Charles Kane）和尤金·梅勒（Eugene Mele）首次提出的石墨烯玩具模型。Kane-Mele模型是第一个二维拓扑绝缘体的理论模型。
“这对我们来说是个惊喜，”麦说。“我们刚刚制造了这种材料并进行了测量。我们看到了量子反常霍尔效应和二维拓扑绝缘体，然后说‘哦，哇，太棒了。’然后我们和麻省理工学院的理论朋友梁福谈了谈。他们进行了计算，发现这种材料实际上实现了一种长期以来人们所追求的凝聚态物质模型。我们从未进行过实验我是说这个。"
像石墨烯云纹材料2/WSe公司2他们在一系列量子态之间进行转换，包括从金属到Mott绝缘体的转变，这是研究小组报告的一个发现 自然 九月。
现在，马克和山的实验室正在研究这种材料的全部潜力，方法是将它与超导体耦合，并用它来建造量子反常霍尔干涉仪，而这两种方法又可以产生量子反常霍尔干涉仪量子比特，量子计算的基本元素。马克也希望他们能找到一种方法来显著提高量子反常霍尔效应发生时的温度，这个温度大约为2开尔文，从而产生高温无耗散导体。
合著者包括博士生李立中、醉涛；以及麻省理工学院和日本筑波国立材料科学研究所的研究人员。
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