光刻机灰化

现有的半导体制造工艺中常需要采用掺杂工艺，掺杂时通常需要先在待掺杂的衬底表面上形成光刻胶图形，覆盖不需要掺杂的区域，然后对从光刻胶图形中露出的区域进行掺杂。在掺杂之后，才能采用灰化工艺(ashing)，将光刻胶图形灰化，以便于后续工艺步骤的进行。但是，现有技术中的灰化工艺在灰化光刻胶图形时容易对衬底造成一定程度的影响，例如导致衬底表面产生凹陷。

离子注入后退火：加热注入硅片，修复晶格损伤，使杂质原子移动到晶格点，将其激活。

高温退火和快速热处理相比，快速热处理更优越。

因为快速热处理可以避免长时间的高温导致杂质扩散，以及减小瞬间增强扩散。

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