半导体工业用石英砂做原料通过三个重要反应生产单质硅：SiO 2 （s）（石英砂）+2C（s）═Si（s）（粗硅）

由三个热化学方程式可知，生成1mol纯硅，需要热量：682.44kJ+（-657.01kJ）+（-625.63kJ）=-600.2kJ， n（Si）= 1000g 28g/mol =35.71mol， 则生产1.00kg纯硅的总反应热为35.75mol×（-600.2kJ/mol）=-2.14×10 4 kJ， 故选D．

（1）掺入杂质或提高温度，都可以减小半导体的电阻；

（2）半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间；半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化；

（3）研究某半导体元件的电阻大小和温度的关系，必须要用到的测量工具有电流表；可能会用到的测量工具有滑动变阻器；

（4）根据半导体的特点及五大特性，半导体的应用很广泛，比如：条形码扫描器、微处理器、机器人等．

故答案为：（1）掺入杂质或提高温度；（2）半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化；（3）电流表；滑动变阻器；（4）条形码扫描器．

做好外墙之后是可以直接喷砂的。喷砂流程：1.毛边，毛头，异物去除，铁锈，热处后的水垢，鳞皮，铸造物的落砂，焊接后的鳞皮及焊剂做去除。切削工具等加工所产生的毛刺、毛边有使用研扫材的撞击力量和切削力的切除2种方法。大多是不要偒及工件而能去除毛刺、毛边的希望比较多。此时要选定不伤及工件的研扫材开始着手，从软的研扫材开始做选定。用塑胶无法去除时则使用玻璃珠依此顺序来做改变。使用玻璃珠时制品的表面会变得比较粗糙请注意。铁锈，热处后的水垢，鳞皮的处理时比较起喷砂会进入到SHOT BLAST的领域。2.表面清洁，涂装，蒸煮物，镀金，电镀膜剥离。表面美化及剥离为目的所做的作业在研扫材上有必要程度的的冲击力。在不伤及制品的状况下尽量使用粒子大的研扫材。比较轻度的脏污或涂装皮膜的话可以简单处理。顽固的脏污或涂装皮膜时会使用到亚铅系，铜。用此研扫材涂装还是无法脱落时也有热处理后喷砂的方法。(日铸涂膜变性喷砂法)蒸著物，镀金，电镀膜剥离也和脏污或涂装一样做剥离。3.梨地(镀金前、溶接前、涂装前、接著前处理、消除伤痕、表面粗皮、刻蚀加工。梨地是所谓的粗皮，让涂装及镀金的黏性变好做其不容易剥离。还有藉由表面的粗皮给予制品附加价值也有消除伤痕的作用。不锈钢有用玻璃砂来做处理的情况。但不只是消除伤痕也有制作成带有光泽的梨地面做为目的。4.珠击，SHOT PEENING以高速的研扫材的碰撞冲击力来提高表面的硬度。是属于冷锻加工的一种，对制品给予压缩的残留应力，延伸对金属疲劳的寿命。此外也有放热性或润滑性提升的效果。5.工艺品，设计，印章齿科技工等对玻璃、石材、塑胶、等用喷砂来雕刻入文字。6.半导体，微粉对应型喷砂半导体特别是，陶瓷、铜电路基板、硅晶片等这些制品要求精度相当高的喷砂。注意事项：1、工作前必须穿戴好防护用品，不准赤裸膀臂工作。工作时不得少于两人。2、储气罐、压力表、安全阀要定期校验。储气罐两周排放一次灰尘，砂罐里的过滤器每月检查一次。3、检查通风管及喷砂机门是否密封。工作前五分钟，须开动通风除尘设备，通风除尘设备失效时，禁止喷砂机工作。4、压缩空气阀要缓慢打开，气压不准超过0.8MPa。5、喷砂粒度应与工作要求相适应，一般在十至二十号之间适用，砂子应保持干燥。6、喷砂机工作时，禁止无关人员接近。清扫和调整运转部位时，应停机进行。7、不准用压缩空气吹身上灰尘或开玩笑。8、工作完后，通风除尘设备应继续运转五分钟再关闭，以排出室内灰尘，保持场地清洁。9、发生人身、设备事故，应保持现场，并报告有关部门。

---