“Oz效应”是什么效应？

磁阻效应是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。同霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。在达到稳态时，某—速度的载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等，载流子在两端聚集产生霍尔电场，比该速度慢的载流子将向电场力方向偏转，比该速度快的载流子则向洛伦兹力方向偏转。这种偏转导致载流子的漂移路径增加。或者说，沿外加电场方向运动的载流子数减少，从而使电阻增加。这种现象称为磁阻效应。若外加磁场与外加电场垂直，称为横向磁阻效应；若外加磁场与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。一般情况下，载流子的有效质量的驰豫时时间与方向无关，则纵向磁感强度不引起载流子偏移，因而无纵向磁阻效应。

目前，磁阻效应广泛用于磁传感、磁力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、GPS导航、仪器仪表、磁存储(磁卡、硬盘)等领域。

一、将芯片 SCP 等引脚飞线到地，即可去保护，典型代表：BA9741/TL1451 第 15 脚。

二、将芯片 OLP 等引脚吸空或断开，即可去保护，典型代表：BIT3105/BIT3107 第 4 脚。

三、将芯片过压保护脚外接分压电容拆下即可去保护，典型代表：OZ9RR/OZ9930 第 7 脚。

四、将芯片的 Timer 等引脚接若干个 1N4148 到地，即可去保护， 典型代表。

OZ9938/BIT3193； OZ960 去保护：第 10 脚接 2 个 1N4148 到地；如果还不好，2 脚吸空断开；少数 OZ960 芯片方案的高压板 3 脚外围有个 702 小场管，拆了即可。

OZ9938 去保护。

1、完全不亮时，断开第 6 脚。

2、亮一下就灭时，断 开第 7 脚或者从第 3 脚接 3 个 1N4148 到地。

集成电路英语：integrated circuit，缩写作 IC；或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、晶片/芯片（chip）在电子学中是一种将电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。

电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。另有一种厚膜（thick-film）集成电路（hybrid integrated circuit）是由独立半导体设备和被动组件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。

从1949年到1957年，维尔纳·雅各比（Werner Jacobi）、杰弗里·杜默（Jeffrey Dummer）、西德尼·达林顿（Sidney Darlington）、樽井康夫（Yasuo Tarui）都开发了原型。

但现代集成电路是由杰克·基尔比在1958年发明的。其因此荣获2000年诺贝尔物理奖，但同时间也发展出近代实用的集成电路的罗伯特·诺伊斯，却早于1990年就过世。