
电子
和
,即不是由掺杂所产生出来的载流子。也就是说,本征载流子是由热激发——本征激发所产生出来的,即是价电子从价带跃迁到导带而产生出来的;它们是成对产生的,所以电子和空穴的浓度始终相等。
本征半导体,从物理本质上来说,也就是两种载流子数量相等、都对导电起同样大小的半导体。因此,未掺杂的半导体是本征半导体,但是掺有杂质的半导体在一定条件下也可能成为本征半导体(只要两种载流子的浓度相等)。
对于掺有杂质的n型或p型半导体,其中的多数载流子主要就是由杂质电离所提供,而其中的少数载流子则是由本征激发所产生的。因此,在杂质全电离情况下,多数载流子浓度基本上与温度无关,但少数载流子则随着温度将指数式增大。
您好,以三极管为例,当三极管因正向偏压导通时,N半导体中多数载流子自由电子和P半导体中多数载流子空穴相互进入对方。当三极管因反向偏压截止时,N半导体中少数载流子空穴和P半导体中少数载流子自由电子互相进入对方。1:P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,形成P型半导体,N型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。2:N型半导体中 自由电子的浓度大于空穴的浓度,称为多数载流子,空穴称为少数载流子 P型半导体中 多数载流子为空穴,少数载流子为电子3:P型半导体中多数载流子为空穴,空穴是带正电荷载流子。N型半导体中多数是自由电子,自由电子是带负电荷载流子。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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