豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFETt梁预制•2022-8-2•技术•阅读37电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护,离不开高性能的开关器件。近日,豪威集团全新推出两款MOSFET:业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道MOSFET WNM6008。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出原文地址:https://54852.com/dianzi/2425562.html豪威科技MOSFET赞 (0)打赏 微信扫一扫 支付宝扫一扫 t梁预制一级用户组00 生成海报 e络盟进一步扩展东芝产品阵容,加大对设计工程师的支持上一篇 2022-08-02Transphorm推出参考设计组合,加快USB-C PD氮化镓电源适配器的开发 下一篇2022-08-02 发表评论 请登录后评论... 登录后才能评论 提交评论列表(0条)
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