
首先,需要下载线,j-tag或者j-link或者其他的都可以;
其次,需要设置下载线,当然保证你的下载线是好的;不同的下载线可以再设置里面选择,配置不同的开发板芯片,不同的flash大小等等。
最后,编译,链接你的程序,生成二进制hex文件,然后下载到开发板里面;
ok。
首先说说什么是Flash调试和RAM调试,Flash调试就是通常意义下的普通调试,即将编译链接之后的code下载到单片机的ROM区,数据放到RAM区,然后进行调试;而RAM调试则是将数据放到RAM区的同时再从RAM区中额外开辟出一段空间存放可执行code,这样就是code和数据同时运行在RAM区里面。
至于为什么要刻意区分出这两种调试方式,其实在低端MCU领域是没有RAM调试这个概念的,其中很大一部分原因是它没有足够大的RAM空间在存放编译后code代码的同时仍然可以拿出额外的空间作为数据RAM的,而在高端MCU领域中,比如ARM,动辄几十KB的RAM是很常见的,在不运行超大工程的情况下是完全可以拿出一部分空间运行代码的,所以也就出现了RAM调试这种方法了。
相比于Flash调试,RAM调试则与生俱来的带来两个最大的先天优势,一个是RAM的可擦写的次数理论上是无限的,在调试代码的期间我们往往是需要不断下载更新的,而Flash的擦写次数是有限的(一般几万次、几十万次不等,虽然看起来足够多,但是也心疼的慌),因此在调试期间我们可以选择RAM调试;另一个方面,则更是RAM调试的强项(Flash真够悲催的),在RAM区的代码执行速率和效率远高于需要不断地读写Flash区代码的,这点毋庸置疑,所以在当今智能手机比拼硬件的时代,我们选择一款强大的CPU是应该的,但是要想让系统运行的更流畅,足够大的机载RAM是必须的,呵呵。当然RAM调试的缺点是掉电丢失,在RAM区运行的代码在掉电的情况下是不会被保存的,下次上电单片机仍然会执行Flash区内部的老的代码,这点是需要注意的,很多人忘记考虑这点,在RAM调试功能完毕,等拿到现场单片机独立运行的时候却发现程序是不对的
-在烧写Flash时,需要按照事先规划进行具体烧写
-在uboot程序中可以读到这部分内容,也就是Flash区的划分
-这部分区域最好是以页为单位,对应内存中相应的变量,因为Flash擦除是以页为单位的,所以在修改其中一部分内容时,需要将整个页读出来到内存,在内存中修改,然后整个页写回;,一般对于重要数据还要保留至少一个备份(因Flash容易出坏块)
-在划分好区域后,在程序中写专用的程序进行Flash数据的读取、擦除、写这些 *** 作
flash是能掉电保存的,就是板子的电源断掉,那里面的东西还有,但是得烧进去,而烧进去现在我接触过的都是用jtag,就是一头接电脑并口,一头接arm板子,调试,你说的调试可以指,没烧程序直接用电脑中的程序,那就是直接用电脑的程序进入arm板的内存,当然掉电就没了,但是这个在线仿真是实时的,就是和烧进去的结果是一样的,
串口一般是通讯用的,就是arm中想在电脑中输出字符,比如输出“我是天才”就用串口一端连电脑,一端arm板子。在电脑的超级终端上就可以显示了。
理解为arm芯片燃烧器,用于将二进制代码烧录到芯片flash中。J-flashARM是由j-link提供的FlashISP软件,支持bin格式、hex格式和srec格式。
J-flash是单独的flashISP燃烧软件,编写单独的本文件或十六进制文件烧单片机flash,ARM9的发展。
在开发ARM9、ARM11的时候,对于已经批量生产的产品,在下生产线之后,需要我们对其控制器烧写程序的时候,厂家一般都只会提供一个bin文件,这时就又要用到j-flasharm。
扩展资料:
闪光方式按技术分为Nand和Nor闪光和AG-和闪光三大类;
1.NorFlash
通常用于存储程序。起初,当MP3芯片还不成熟时,我们使用Nor闪光,如手电筒ATJ2075,sunplussp7530等。目前,这种Flash还没有被大量使用,只有一些读卡器MP3和数码相框还能看到
由于本产品没有支持SD卡的内存,芯片中的ROM不足以存储程序,所以我们需要使用Nor闪存程序。
2.Nand
Flash也有几种可用的方式,包括SLC、MCL和MirrorBit。SLC是单级的,Cell表示每个存储位置只有1位数据。MLC是多层单元,这意味着该技术允许2,位的数据存储在存储单元中。MirrorBit每个存储单元只有4位数据。
3.Flash
是日本瑞萨(Renesas)公司的技术。该产品的收率不是很高,有效产能也相对较低。原厂推出Flash,产能有88%、92%、96%、96%可以使用,MP3产品。
而其他两款只能用于U盘和SD卡产品。现在,瑞萨推出了Flash制造商,银和技术也已转移到台湾力晶继续生产。
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