三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。电子产品是以电能为工作基础的相关产品，主要包括：手表、智能手机、电话、电视机、影碟机（VCD、 SVCD、DVD）、录像机、摄录机、收音机、收录机、组合音箱、激光唱机（CD）、电脑、移动通信产品等。因早期产品主要以电子管为基础原件故名电子产品。
配件可能包括：
◆陶瓷电容器：片式电容、中高压、安规电容、 可调电容、排容、高能电容；
◆正负温度系数热敏电阻、高精度可调电位器、高压电阻
◆片状电感线圈：高频电感、功率电感、天线线圈；
◆静噪元件/EMI静噪滤波器(EMIFIL)、片状磁珠、磁珠排、DC/AC用共模扼流线圈、军工用复合型静噪滤波器；
◆陶瓷振荡器 ( Resonators)：插脚 、贴片谐振器(KHz、MHz)、汽车用谐振器、声表振荡器；
◆通讯设备用滤波器、声表滤波器、射频滤波器、中频滤波器、鉴频器 、介质/天线/收发共用器、介质带通滤波器；
◆高频元件：高频用微型片状电容器、片状介质天线、介质谐振器、射频开关、同轴连接线；
◆高频组件(Microwave Modules)PLL组件；射频开关；微波振荡器VCO ，Bluetooth蓝牙模块；
◆电源 (Power Supplies)开关电源，高压电源，超薄型电源 ，C&D 电源模组；
◆传感器元件(Sensors)：陀螺仪，超声波、冲击、旋转、磁性识别、热电型红外、温度等传感器
◆压电元件(Piezoelectric Sound Components)蜂鸣器，蜂鸣器振动板等。
发展历史
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电子技术是欧洲美国等西方国家在十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术，最早由美国人莫尔斯1837年发明电报开始，1875年美国人亚历山大贝尔发明电话，1902年英国物理学家弗莱明发明电子管。电子产品在二十世纪发展最迅速，应用最广泛，成为近代科学技术发展的一个重要标志。
第一代电子产品以电子管为核心。四十年代末世界上诞生了第一只半导体三极管，它以小巧、轻便、省电、寿命长等特点，很快地被各国应用起来，在很大范围内取代了电子管。五十年代末期，世界上出现了第一块集成电路，它把许多晶体管等电子元件集成在一块硅芯片上，使电子产品向更小型化发展。集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路和超大规模集成电路，从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。
由于，电子计算机发展经历的四个阶段恰好能够充分说明电子技术发展的四个阶段的特性，所以下面就从电子计算机发展的四个时代来说明电子技术发展的四个阶段的特点。
UL认证（美国）：
保险实验室认证标志。进入美国的货物，很多都需要有UL标志。
UL是英文保险商试验所（Underwriter Laboratories Inc）的简写，UL安全试验所是美国最有权威的，也是界上从事安全试验和鉴定的较大的民间机构。它是一个独立的、非营利的、为公共安全做试验的专业机构。它采用科学的测试方法来研究确定各种材料、装置、产品、设备、建筑等对生命、财产有无危害和危害的程度；确定、编写、发行相应的标准和有助于减少及防止造成生命财产受到损失的资料，同时开展实情调研业务。总之，它主要从事产品的安全认证和经营安全证明业务，其最终目的是为市场得到具有相当安全水准的商品，为人身健康和财产安全得到保证作出贡献。目前，UL在美国本土有五个实验室，总部设在芝加哥北部的Northbrook镇，同时在台湾和香港分别设立了相应的实验室。
CE认证（欧盟）：
“CE”标志是一种安全认证标志，被视为制造商打开并进入欧洲市场的护照。凡是贴有“CE”标志的产品就可在欧盟各成员国内销售，无须符合每个成员国的要求，从而实现了商品在欧盟成员国范围内的自由流通。
在欧盟市场“CE”标志属强制性认证标志，不论是欧盟内部企业生产的产品，还是其他国家生产的产品，要想在欧盟市场上自由流通，就必须加贴“CE”标志，以表明产品符合欧盟《技术协调与标准化新方法》指令的基本要求。
CE两字，是从法语“Communate Europpene”缩写而成，是欧洲共同体的意思。欧洲共同体后来演变成了欧洲联盟（简称欧盟）。CE标志加贴的商品表示其符合安全、卫生、环保和消费者保护等一系列欧洲指令所要表达的要求。
有关CE标志的产品：符合欧盟的有关健康，卫生，安全，环保和消费者保护的等一系列规定。是产品在欧明境内销售的市场准入证明，目前有20多条欧盟指令规定CE涵盖的产品范围及相关的安全要求。
CE标志对贸易和工业产生巨大的影响，符合欧洲标准指令的产品才可贴CE标志。一般而言，欧洲指令的要求适用于最终产品和其它部件的销售。 对于绝大多数电子，电器类产品而言，申请CE认证必须符合低电压指令（LVD）和电磁兼容指令（EMC）。
有关指令要求加贴CE标志的工业产品，没有CE标志的，不得上市销售，已加贴CE标志进入市场的产品，发现不符合安全要求的，要责令从市场收回，持续违反指令有关CE标志规定的，将被限制或禁止进入欧盟市场或被迫退出市场。
现今执行的指令主要有如下：
低电压指令 电磁兼容 机械 玩具 简单压力容器 个人护具
衡 器 活性移植医疗设备 燃气设备 电讯终端设备 防爆设备
VDE认证（德国）：
VDE是德国国家产品标志。VDE的全称是Prufstelle Testing and Certification Institute,意即德国电气工程师协会。它成立于1920年，是一个国际认可的电子电器及其零部件安全测试及出证机构，是欧洲最有测试经验的试验认证和检查机构之一，也是获欧盟授权的CE公告机构及国际CB组织成员。在欧洲和国际上，得到电工产品方面的CENELEC欧洲认证体系、CECC电子元器件质量评定的欧洲协调体系、世界性的IEC电工产品、电子元器件认证体系等的认可。评估的产品非常广泛包括家用及商业用途的电器、IT设备、工业和医疗科技设备、组装材料及电子元器件、电线电缆等。
VDE标志主要适用范围为各类电工产品，电子元器件产品等。
VDE是德国著名的测试机构，在电器零部件认证是欧洲最权威的认证。
根据申请按照VDE规范或其他公认的技术标准对电工产品进行试验和认证。因而它向公众提供了一种保护性服务，避免电器在使用时造成危害和产生无线电干扰。
VDE一P的试验和认证特别适用于家用电器、照明器具、手持式工具、娱乐电子设备、医疗电气设备、信息技术设备、安装材料。电线、电缆和电子元器件。VDE—P还对电器所产生的无线电干扰进行测量，在需要时也测量电磁兼容性（EMC）。
GS认证（德国）：
GS的含义是德语Geprufte Sicherheit(安全性已认证)，也有Germany Safety" （德国安全）的意思。GS认证以德国产品安全法（SGS）为依据，按照欧盟统一标准EN或德国工业标准DIN进行检测的一种自愿性认证，是欧洲市场公认的德国安全认证标志。
GS标志表示该产品的使用安全性已经通过公信力的独立机构的测试。GS标志，虽然不是法律强制要求，但是它确实能在
产品发生故障而造成意外事故时，使制造商受到严格的德国（欧洲）产品安全法的约束。所以GS标志是强有力的市场工具，能增强顾客的信心及购买欲望。虽然GS是德国标准，但欧洲绝大多数国家都认同。而且满足GS认证的同时，产品也会满足欧共体的CE标志的要求。
在德国和欧洲，GS标志是最常见的第三方产品质量和安全认证的标志，GS标志适用产品范围十分广泛，主要包括家电产品，信息产品，电动及手动工具，影像及音响产品，灯具产品，电子检仪器，健身器材，玩具，办公室家具等。
3C认证（中国）：
是我国强制性产品认证标志——中国强制性产品认证制度。（china compulsory certification）的英文缩写。是国家对19类132种涉及健康安全，公共安全的电器产品所要求的认证标志。已取代长城，CCIB（商检）标志，CCIB（商检）标志及EMC（电磁兼容认证）。
产品目录中包括微型计算机，便携式计算机，与计算机连用的显示设备，与计算机连用的打印设备，多用途打印复印机，电脑游戏机，学习机，复印机，金融及贸易结算电子设备，服务器等12种IT产品，还有扫描仪，计算机内置电源及电源适配器充电器。
中国强制认证依据产品类别由不同的认证机构实施，机构有：中国质量认证中心（代表中国参加IECEE国际电工委员会电工产品合格评定组织），中国汔车产品认证中心等。
对产品的安全性能，电磁兼容性，防电磁辐射等方面都作了详细规定，购买计算机时，应认准确3C标识，以合证使用产品的安全性和健康性。
FCC认证（美国）：
FCC（Federal Communications Commission，美国联邦通信委员会）于1934年由COMMUNICATIONACT建立是美国政府的一个独立机构，直接对国会负责。
FCC通过控制无线电广播、电视、电信、卫星和电缆来协调国内和国际的通信。
联邦通讯委员会（FCC）----管理进口和使用无线电频率装置，包括电脑、传真机、电子装置、无线电接收和传输设备、无线电遥控玩具、电话、个人电脑以及其他可能伤害人身安全的产品。这些产品如果想出口到美国，必须通过由政府授权的实验室根据FCC技术标准来进行的检测和批准。进口商和海关代理人要申报每个无线电频率装置符合FCC标准，即FCC许可证。凡进入美国的电子类产品都需要进行电磁兼容认证（一些有关条款特别规定的产品除外）。
CSA认证（加拿大）：
CSA是加拿大标准协会（Canadian Standards Association）的简称。
它成立于1919年，是加拿大首家专为制定工业标准的非盈利性机构。在北美市场上销售的电子、电器等产品都需要取得安全方面的认证。它能对机械、建材、电器、电脑设备、办公设备、环保、医疗防火安全、运动及娱乐等方面的所有类型的产品提供安全认证。
SASO认证（沙特阿拉伯）：
国际符合性认证计划（ICCP）是由沙特阿拉伯标准组织（SASO）1995年起率先执一项对规定产品进行包含符合性评定、装船前验货及认证的综合计划，以保证进口的商品出运前能全面符合沙特的产品标准。
此方式最适于发货非常少的出口商或制造商。每次出货前需申请装船前的验货 （PSI）以及装船前的测试（PST）。两者都合格了就可获得CoC证书（CoC证书由SASO授权的SASO Country Office(SCO)或由PAI授权的PAI Country Office(PCO)办理签发）。
EMC认证（欧盟）：
EMC（Electro Magnetic Compatibility）直译是"电磁兼容性"。意指设备所产生的电磁能量既不对其它设备产生干扰，也不受其他设备的电磁能量干扰的能力。
EMC这个术语有其非常广的含义。如同盲人摸象，你摸到的与实际还有很大区别。特别是与设计意图相反的电磁现象，都应看成是EMC问题。
电磁能量的检测、抗电磁干扰性试验、检测结果的统计处理、电磁能量辐射抑制技术、雷电和地磁等自然电磁现象、电场磁场对人体的影响、电场强度的国际标准、电磁能量的传输途径、相关标准及限制等均包含在EMC之内。
拥有EMC标志的产品，表明该产品的电磁兼容特性符合欧洲标志，EMC标志的适用范围为各类电器产品。
北欧四国Nordic产品认证：
北欧四国是指挪威，瑞典，芬兰，丹麦。该四国的认证机构之间 定立了协议，互相认可彼此的测试结果。换言之，只要您的产品 获得其中北欧四国中任何一个国家的认证，如果您还需要其余 3 个 国家的认证，您不需要再提供产品进行检测，就可以轻易的取得 证书。
Nordic产品认证范围包括：工业设备、机械设备、通讯设备、电气产品、个人防护用具等、家用产品。
德国TUV莱茵产品认证：
TüV标志是德国TüV专为无器件产品定制的一个安全认证标志，在德国和欧洲得到广泛的接受。同时，企业可以在申请TüV标志时，合并申请CB证书，由此通过转换而取得其他国家的证书。而且，在产品通过认证后，德国TüV会向前来查询合格元器件供应商的整机厂推荐这些产品；在整机认证的过程中，凡取得TüV标志的元器件均可免检。
Ek认证（韩国）：
韩国的安全认证体系采用EK 安全标志。韩国产业资源部（MOCIE）技术标准局（ATS）是指定EK安全认证机构的政府主管部门。 韩国检测实验室（KTL）、韩国电气检测所（KETI）和电磁兼容性研究所 （ERI）是ATS指定的可颁发EK安全标志的认证机构。 在产品EK安全标志的认证中， 安全检测占主体， 而电磁兼容性的检测则是补充性的。
该安全认证体系是为杜绝电器产品造成的电击、火灾、机械危险、烫伤、辐射、化学等危害而设立，它一方面照顾了电器产品安全管理的实用性，避免了消费者用电危险；另一方面又整体完善了电器产品安全管理机制（例如电器安全适用标准及检测程序），从而有效地应对了国际化带来的影响。通常，输入电压在50伏至1000伏区间的电器产品都在此认证计划内。
TCO认证（瑞典）：
瑞典专来雇员联盟就电磁场制定的更高标准，必须对生态，能源，辐射及人体工学等四方面符合标准，是针对人体健康和生态环境所设定的认证标志，用于规范显示器的电子和静电辐射对环境的污染。
IMQ（意大利）：
意大利产品安全认证标志。
HK：
香港安全认证标志
OVE认证（奥地利）：
奥地利安全认证标志
LVD认证（欧盟）：LVD
LVD，低电压指令。LVD是针对工作电压在交流电50V~1000V之间，直流电75V~1500V之间的电气产品的认证。
EMI认证（日本）
在电气干扰领域有许多英文缩写。EMI(Electro Magnetic Interference)直译是电磁干扰。这是合成词，我们应该分别考虑"电磁"和"干扰"。
所谓"干扰"，指设备受到干扰后性能降低以及对设备产生干扰的干扰源这二层意思。第一层意思如雷电使收音机产生杂音，摩托车在附近行驶后电视画面出现雪花，拿起电话后听到无线电声音等，这些可以简称其为与"BC I""TV I""Tel I"，这些缩写中都有相同的"I"（干扰）（BC：广播）
第二层含义，即干扰源，也包括受到干扰之前的电磁能量。
其次是"电磁"。电荷如果静止，称为静电。当不同的电位向一致移动时，便发生了静电放电，产生电流，电流周围产生磁场。如果电流的方向和大小持续不断变化就产生了电磁波。
电以各种状态存在，我们把这些所有状态统称为电磁。所以EMI标准和EMI检测是确定所处理的电的状态，决定如何检测，如何评价。
EMS认证：
ectro Magnetic Susceptibility）直译是"电磁敏感度"。其意是指由于电磁能量造成性能下降的容易程度。为通俗易懂，我们将电子设备比喻为人，将电磁能量比做感冒病毒，敏感度就是是否易患感冒。如果不易患感冒，说明免疫力强，也就是英语单词Immunity，即抗电磁干扰性强。
PSE认证（日本）：PSE标志 - 日本产品安全标志 ,日本的DENTORL法（电器装置和材料控制法）规定，498种产品进入日本市场必须通过安全认证。其中，165种A类产品应取得T-MARK认证，333种B类产品应取得S-MARK认证。
JIS认证（日本）：
自愿性认证制度，是日本标准化组织（JIS）对经指定部门检验合格的电器产品组织颁发的产品标志，S标志是强制性的，S标志是非强制性的。
不管是哪国的安全认证，都对爬电距离，抗电强度，漏电流，温度等方面做出了严格规定。爬电距离指沿绝缘表面测得的两个导电器件之间或导电器件与设备界面之间的最短距离。UL和CSA安全标准强调了爬电距离的安全要求，这是为了防止器件间或器件和地之间的打火从而威胁到人身安全。抗电强度的要求是在交流输入线间和交流输入与机壳之间由零电压加到交流1500V或直流2000V时，不击穿或拉电弧即为合格。关于漏电流的要求，UL和CSA均要求暴露的，不带电的金属部分均应与大地相接。漏电流的测量是通过在这些部分与大地之间接一个15KΩ的电阻，测其漏电流。开关电源的漏电流，在260V交流输入下，不应超过25mA。温度的要求，安全标准对电器的温度要求很重视，同时要求材料有阻燃性。对开关电源来说，内部温度不应超过65℃，如果环境温度是25℃，电源的元器件的温度应小于90℃。不符合安全标准的电源在刚开始用时对使用者并没有什么直接的不良影响。但用久了以后，由于潮湿的空气和灰尘的影响可能导致高压区短路，不但造成电源本身损坏，还会严重影响其他电脑配件。
ROHS 指令：欧盟议会和欧盟理事会于2003年1月通过了RoHS指令(中文版)，全称是 The Restriction of the use of certain Hazardous substances in Electrical and Electronic Equipment, 即在电子电气设备中限制使用某些有害物质指令，也称2002/95/EC指令，2005年欧盟又以2005/618/EC决议的形式对 2002/95/EC进行了补充，明确规定了六种有害物质的最大限量值。目前RoHs只有检测报告而没有证书，因为ROHS目前只是指令，它还不是标准或法规，所以RoHS目前只有检测报告，没有ROHS证书。在欧盟最早发布的RoHS指令中，一共列出六种有害物质，包括：铅Pb、镉Cd、汞Hg、六价铬 Cr6+、多溴二苯醚PBDE、多溴联苯PBB。其他有害物质可能会随着科技的发展而进一步补充进来。 在2005/618/EC中附件1中，对2002/95/EC质量的51条款进行了补充，限定了铅、汞、六价铬、多溴二苯醚 PBDE、多溴联苯PBB的质量百分比上限为01%(1000ppm)，镉的含量上限为001%(100ppm)。
绿色产品：一般意义上，把符合欧盟RoHS指令要求的产品称为绿色产品。在此之前，先有过无铅产品(Pb-Free)，主要是针对电子元器件的引脚及焊接工艺而言的。而绿色产品的概念则涵盖了所有交付最终用户的产品的每一部分都能够符合RoHS指令的要求。即产品所使用的零部件， PCBA，外壳，组装用的紧固件，外包装等都能够达到要求。1IGBT开关的基础知识
IGBT IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅极型功率管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。
应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。
由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。
较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。IGBT基本结构见图1中的纵剖面图及等效电路。
导通 IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层（NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分）。如等效电路图所示（图1），其中一个MOSFET驱动两个双极器件。
基片的应用在管体的P+和N+ 区之间创建了一个J1结。 当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率MOSFET的方式产生一股电流。
如果这个电子流产生的电压在07V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。最后的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流（MOSFET 电流）； 空穴电流（双极）。
关断 当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子（少子）。
这种残余电流值（尾流）的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。
鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的，尾流特性与VCE、IC和 TC之间的关系如图2所示。
反向阻断 当集电极被施加一个反向电压时， J1 就会受到反向偏压控制，耗尽层则会向N-区扩展。因过多地降低这个层面的厚度，将无法取得一个有效的阻断能力，所以，这个机制十分重要。
另一方面，如果过大地增加这个区域尺寸，就会连续地提高压降。 第二点清楚地说明了NPT器件的压降比等效（IC 和速度相同） PT 器件的压降高的原因。
正向阻断 当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时，P/N J3结受反向电压控制。此时，仍然是由N漂移区中的耗尽层承受外部施加的电压。
闩锁 IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PNPN晶闸管，如图1所示。在特殊条件下，这种寄生器件会导通。
这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加，对等效MOSFET的控制能力降低，通常还会引起器件击穿问题。晶闸管导通现象被称为IGBT闩锁，具体地说，这种缺陷的原因互不相同，与器件的状态有密切关系。
通常情况下，静态和动态闩锁有如下主要区别： 当晶闸管全部导通时，静态闩锁出现。 只在关断时才会出现动态闩锁。
这一特殊现象严重地限制了安全 *** 作区 。 为防止寄生NPN和PNP晶体管的有害现象，有必要采取以下措施： 防止NPN部分接通，分别改变布局和掺杂级别。
降低NPN和PNP晶体管的总电流增益。 此外，闩锁电流对PNP和NPN器件的电流增益有一定的影响，因此，它与结温的关系也非常密切；在结温和增益提高的情况下，P基区的电阻率会升高，破坏了整体特性。
因此，器件制造商必须注意将集电极最大电流值与闩锁电流之间保持一定的比例，通常比例为1:5。 正向导通特性 在通态中，IGBT可以按照“第一近似”和功率MOSFET驱动的PNP晶体管建模。
图3所示是理解器件在工作时的物理特性所需的结构元件（寄生元件不考虑在内）。 如图所示，IC是VCE的一个函数（静态特性），假如阴极和阳极之间的压降不超过07V，即使栅信号让MOSFET沟道形成（如图所示），集电极电流IC也无法流通。
当沟道上的电压大于VGE -Vth 时，电流处于饱和状态，输出电阻无限大。由于IGBT结构中含有一个双极MOSFET和一个功率MOSFET，因此，它的温度特性取决于在属性上具有对比性的两个器件的净效率。
功率MOSFET的温度系数是正的，而双极的温度系数则是负的。本图描述了VCE(sat) 作为一个集电极电流的函数在不同结温时的变化情况。
当必须并联两个以上的设备时，这个问题变得十分重要，而且只能按照对应某一电流率的VCE(sat)选择一个并联设备来解决问题。有时候，用一个。
2电力电子技术试题GTOGTRMOSFETIGBT四种
IGBT：开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTO; GTR：耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题； GTO：电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低； MOSFET：开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
3请教几个物理的常识性问题
1电磁波频率的单位是Hz，常用的单位还有（kHz ）和（MHz ）。
2某款手机有三个频段，其中有个频段的频率为300MHz，那么该频段电磁波的波长为（300000/300000000=0001 ）m。
3小华在某网站注册了一个电子邮箱，电子邮箱的地址是：xiao123@wuhanedu，这表示这个电子邮箱的用户名是（xiao123），邮箱服务器名叫（wuhan），其中“edu”表示该服务器属于（教育 ）
2某款手机有三个频段，其中有个频段的频率为300MHz，那么该频段电磁波的波长为（300000000/300000000=1）m。
4请教几个常识性的问题
晕死，白写哪么多，重新写过1：小红伞的更新分为病毒库更新和组件更新，病毒库的更新是支持跨版本的，比如70到90用的都是同一个病毒库。
但是组件从70可以升级到80，但是从80到90是不能直接升级的，需要下载安装文件。关于病毒库的使用期限，可以查看病毒的更新信息： 20081027_0000 7501 就知道病毒库使用的最低的引擎是7501，所以使用是有期限的。
2：离线包每天都有更新。但是一天更新几次不得而知这是几天更新新包的MD5值，就可以知道了5be632570fb76793464cf5a34fbf3b1e ivdf_fusebundle_nt_en0319zip7fcb6987690b08e23e1e0e8914f28521 ivdf_fusebundle_nt_en0320zip7646957ef44ed7221969c0a051447d32 ivdf_fusebundle_nt_en0321zip4fab5ea525c1e26966a37eee31b6b732 ivdf_fusebundle_nt_en0322zip5843f83e6207b6c11de40b3187182258 ivdf_fusebundle_nt_en0323zip337b371aa01accb7269fd953540ea857 ivdf_fusebundle_nt_en0324zip3e3624328855c3a3414e8da627b1e2b5 ivdf_fusebundle_nt_en0325zipa716675173a14999e6bf8afbc10410bc ivdf_fusebundle_nt_en0326zip47c6fc1eccb8b972c4d670e063a5e0ad ivdf_fusebundle_nt_en0327zipf651a2e51a062e24d33024df0767a560 ivdf_fusebundle_nt_en0328zip9d1a26a9d040d61f28c908c575612d78 ivdf_fusebundle_nt_en0330zip850772faf7292b27e30382ec37bf0c22 ivdf_fusebundle_nt_en0331zipd0d2e0bf82a5f8fe6a9c3d5e5fa278da ivdf_fusebundle_nt_enzip这里的0331是0330日的，其它的类推3：这个就看离线病毒库的更新频率的，小红伞在线每天更新三到八次左右。
我想应该差不了太多。[]。
5常识性的问题
1早期函数概念——几何观念下的函数
十七世纪伽俐略（GGalileo，意，1564-1642）在《两门新科学》一书中，几乎全部包含函数或称为变量关系的这一概念，用文字和比例的语言表达函数的关系。1673年前后笛卡尔（Descartes，法，1596-1650）在他的解析几何中，已注意到一个变量对另一个变量的依赖关系，但因当时尚未意识到要提炼函数概念，因此直到17世纪后期牛顿、莱布尼兹建立微积分时还没有人明确函数的一般意义，大部分函数是被当作曲线来研究的。
1673年，莱布尼兹首次使用“function” （函数）表示“幂”，后来他用该词表示曲线上点的横坐标、纵坐标、切线长等曲线上点的有关几何量。与此同时，牛顿在微积分的讨论中，使用 “流量”来表示变量间的关系。
2十八世纪函数概念──代数观念下的函数
1718年约翰•贝努利（Bernoulli Johann，瑞，1667-1748）在莱布尼兹函数概念的基础上对函数概念进行了定义：“由任一变量和常数的任一形式所构成的量。”他的意思是凡变量x和常量构成的式子都叫做x的函数，并强调函数要用公式来表示。
1755，欧拉（LEuler，瑞士，1707-1783） 把函数定义为“如果某些变量，以某一种方式依赖于另一些变量，即当后面这些变量变化时，前面这些变量也随着变化，我们把前面的变量称为后面变量的函数。”
18世纪中叶欧拉（LEuler，瑞，1707-1783）给出了定义：“一个变量的函数是由这个变量和一些数即常数以任何方式组成的解析表达式。”他把约翰•贝努利给出的函数定义称为解析函数，并进一步把它区分为代数函数和超越函数，还考虑了“随意函数”。不难看出，欧拉给出的函数定义比约翰•贝努利的定义更普遍、更具有广泛意义。
3十九世纪函数概念──对应关系下的函数
1821年，柯西（Cauchy，法，1789-1857） 从定义变量起给出了定义：“在某些变数间存在着一定的关系，当一经给定其中某一变数的值，其他变数的值可随着而确定时，则将最初的变数叫自变量，其他各变数叫做函数。”在柯西的定义中，首先出现了自变量一词，同时指出对函数来说不一定要有解析表达式。不过他仍然认为函数关系可以用多个解析式来表示，这是一个很大的局限。
1822年傅里叶（Fourier，法国，1768——1830）发现某些函数也已用曲线表示，也可以用一个式子表示，或用多个式子表示，从而结束了函数概念是否以唯一一个式子表示的争论，把对函数的认识又推进了一个新层次。
1837年狄利克雷（Dirichlet，德，1805-1859） 突破了这一局限，认为怎样去建立x与y之间的关系无关紧要，他拓广了函数概念，指出：“对于在某区间上的每一个确定的x值，y都有一个或多个确定的值，那么y叫做x的函数。”这个定义避免了函数定义中对依赖关系的描述，以清晰的方式被所有数学家接受。这就是人们常说的经典函数定义。
等到康托（Cantor，德，1845-1918）创立的 论在数学中占有重要地位之后，维布伦（Veblen，美，1880-1960）用“ ”和“对应”的概念给出了近代函数定义，通过 概念把函数的对应关系、定义域及值域进一步具体化了，且打破了“变量是数”的极限，变量可以是数，也可以是其它对象。
4现代函数概念── 论下的函数
1914年豪斯道夫（FHausdorff）在《 论纲要》中用不明确的概念“序偶”来定义函数，其避开了意义不明确的“变量”、“对应”概念。库拉托夫斯基（Kuratowski）于1921年用 概念来定义“序偶”使豪斯道夫的定义很严谨了。
1930 年新的现代函数定义为“若对 M的任意元素x，总有 N确定的元素y与之对应，则称在 M上定义一个函数，记为y=f(x)。元素x称为自变元，元素y称为因变元。”
术语函数，映射，对应，变换通常都有同一个意思。
但函数只表示数与数之间的对应关系，映射还可表示点与点之间，图形之间等的对应关系。可以说函数包含于映射。
6求IGBT的工作原理和工作特性
IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给 PNP 晶体管提供基极电流，使 IGBT 导通。
反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使 IGBT 关断。 IGBT 的驱动方法和 MOSFET 基本相同，只需控制输入极 N 一沟道 MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。
当 MOSFET 的沟道形成后，从 P+ 基极注入到 N 一层的空穴（少子），对 N 一层进行电导调制，减小 N 一层的电阻，使 IGBT 在高电压 时，也具有低的通态电压。 IGBT 的工作特性包括静态和动态两类： 1 静态特性 IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和 开关特性。
IGBT 的伏安特性是指以栅源电压 Ugs 为参变量时，漏极电流与 栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压 Ugs 的控 制， Ugs 越高， Id 越大。
它与 GTR 的输出特性相似也可分为饱和 区 1 、放大区 2 和击穿特性 3 部分。 在截止状态下的 IGBT ，正向电 压由 J2 结承担，反向电压由 J1 结承担。
如果无 N+ 缓冲区，则正反 向阻断电压可以做到同样水平，加入 N+ 缓冲区后，反向关断电压只 能达到几十伏水平，因此限制了 IGBT 的某些应用范围。 IGBT 的转移特性是指输出漏极电流 Id 与栅源电压 Ugs 之间的 关系曲线。
它与 MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电 压 Ugs(th) 时， IGBT 处于关断状态。在 IGBT 导通后的大部分漏极电 流范围内， Id 与 Ugs 呈线性关系。
最高栅源电压受最大漏极电流限 制，其最佳值一般取为 15V 左右。 IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。
IGBT 处于导通态时，由于它的 PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其 B 值 极低。 尽管等效电路为达林顿结构，但流过 MOSFET 的电流成为 IGBT 总电流的主要部分。
此时，通态电压 Uds(on) 可用下式表示 Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh ( 2 - 14 ) 式中 Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为 0。 7 ~ IV ; Udr ——扩展电阻 Rdr 上的压降； Roh ——沟道电阻。
通态电流 Ids 可用下式表示： Ids=(1+Bpnp)Imos (2 - 15 ) 式中 Imos ——流过 MOSFET 的电流。 由于 N+ 区存在电导调制效应，所以 IGBT 的通态压降小，耐压 1000V 的 IGBT 通态压降为 2 ~ 3V 。
IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。 2 动态特性 IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为 MOSFET 来运行的，只是在漏源电压 Uds 下降过程后期， PNP 晶体 管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。
td(on) 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间 ton 即为 td (on) tri 之和。
漏源电压的下降时间由 tfe1 和 tfe2 组成，如图 2 - 58 所示 IGBT 在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。 因为 MOSFET 关断后， PNP 晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间， td(off) 为关断延迟时间， trv 为电压 Uds(f) 的上升时间。
实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间 Tf 由图 2 - 59 中的 t(f1) 和 t(f2) 两段组成，而漏极电流的关断时间 t(off)=td(off)+trv 十 t(f) ( 2 - 16 ) 式中， td(off) 与 trv 之和又称为存储时间。 。@是一个网络符号，电邮应用中意义为“at”，即“某用户”在“某服务器”，引申义为点名，呼叫某人。
T&Co是Tiffany&Co的缩写，即著名珠宝腕表品牌蒂芙尼，1837年诞生于美国纽约。
并非是AU750，而是Au750，Au是化学元素周期表里金的元素符号，Au750是指含有75%黄金和25%其它金属组成的合金，国内通称18K金。由于金含量相对较少，成本价格也不会太高，但是其硬度和颜色(根据25％其他金属颜色可制成银白色、香槟金色、玫瑰金色等彩金)更适合工艺款式复杂精细的饰品，所以通常并非像足金饰品按重量克数售卖，而是按件售卖。
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