
实现数据的高速大容量存储是数据采集系统中的一项关键技术。本设计采用Altera 公司Cyclone系列的FPGA 完成了对DDR SDRAM 的控制,以状态机来描述对DDR SDRAM 的各种时序 *** 作,设计了DDR SDRAM 的数据与命令接口。用控制核来简化对DDR SDRAM 的 *** 作,并采用自顶至下模块化的设计方法,将控制核嵌入到整个数据采集系统的控制模块中,完成了数据的高速采集、存储及上传。使用开发软件Quartus II 中内嵌的逻辑分析仪SignalTap II 对控制器的工作流程进行了验证和调试。最终采集到的数据波形表明,完成了对DDR SDRAM 的突发读写 *** 作,达到了预期设计的目标。
DDR SDRAM 是Double Data Rate SDRAM 的缩写,即双倍速率同步动态随机存储器。
DDR 内存是在SDRAM 内存基础上发展而来的,能够在时钟的上升沿和下降沿各传输一次数据,可以在与SDRAM 相同的总线时钟频率下达到更高的数据传输率。本设计中采用Altera 公司Cyclone 系列型号为EP1C6Q240C8 的FPGA 实现控制器,以Hynix 公司生产的型号为HY5DU121622B(L)TP 的DDR SDRAM 为存储器,完成了对数据的高速大容量存储。
gd32f450程序提升算法加速:
1、合理使用多线程。
2、减少不必要的调用。
3、优化算法。
4、算法并行化
冒泡排序算法和选择排序算法的时间复杂度为N的平方,快速排序算法的时间复杂度为N logn。这样的方法实际上是算法并行化的核心思想。以空间交换时间,增加存储资源的开销,以保证数据的快速处理。这是唯一适合GPU的特性。
5、数据并行化
原则上,数据越规则,如16 × 16、32 × 32数据块。当然,最好匹配硬件的特性,比如硬件的位宽。
6、并行化 *** 作
在这一步中,严格地说,其实就是对算法的一些细节进行了优化。
SRAM和SDRAM的区别
SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步动态随机存取存储器,同步是指Memory工作需要步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储,而是由指定地址进行数据读写。目前的168线64bit带宽内存基本上都采用SDRAM芯片,工作电压33V电压,存取速度高达75ns,而EDO内存最快为15ns。并将RAM与CPU以相同时钟频率控制,使RAM与CPU外频同步,取消等待时间,所以其传输速率比EDO DRAM更快。
SDRAM从发展到现在已经经历了四代,分别是:第一代SDR SDRAM,第二代DDR SDRAM,第三代DDR2 SDRAM,第四代DDR3 SDRAM
第一代与第二代SDRAM均采用单端(Single-Ended)时钟信号,第三代与第四代由于工作频率比较快,所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。
SDR SDRAM的时钟频率就是数据存储的频率,第一代内存用时钟频率命名,如pc100,pc133则表明时钟信号为100或133MHz,数据读写速率也为100或133MHz。
之后的第二,三,四代DDR(Double Data Rate)内存则采用数据读写速率作为命名标准,并且在前面加上表示其DDR代数的符号,PC-即DDR,PC2=DDR2,PC3=DDR3。如PC2700是DDR333,其工作频率是333/2=166MHz,2700表示带宽为27G。
DDR的读写频率从DDR200到DDR400,DDR2从DDR2-400到DDR2-800,DDR3从DDR3-800到DDR3-1666。
很多人将SDRAM错误的理解为第一代也就是 SDR SDRAM,并且作为名词解释,皆属误导,SDR不等于SDRAM。
Pin:模组或芯片与外部电路电路连接用的金属引脚,而模组的pin就是常说的“金手指”。
SIMM:Sigle In-line Memory Module,单列内存模组。内存模组就是我们常说的内存条,所谓单列是指模组电路板与主板插槽的接口只有一列引脚(虽然两侧都有金手指)。
DIMM:Double In-line Memory Module,双列内存模组。是我们常见的模组类型,所谓双列是指模组电路板与主板插槽的接口有两列引脚,模组电路板两侧的金手指对应一列引脚。
RDIMM:registered DIMM,带寄存器的双线内存模块
SO-DIMM:笔记本常用的内存模组。
工作电压:
SDR:33V
DDR:25V
DDR2:18V
DDR3:15V
SRAM
SRAM是英文Static RAM的缩写,它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路,每隔一段时间,固定要对DRAM刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积,所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积,在主板上哪些是SRAM呢?
一种是置于CPU与主存间的高速缓存,它有两种规格:一是固定在主板上的高速缓存(Cache Memory );二是插在卡槽上的COAST(Cache On A Stick)扩充用的高速缓存,另外在CMOS芯片1468l8的电路里,它的内部也有较小容量的128字节SRAM,存储我们所设置的配置数据。
还有一种是为了加速CPU内部数据的传送,自80486CPU起,在CPU的内部也设计有高速缓存,故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache(一级高速缓存)和L2Cache(二级高速缓存)的名词,一般L1 Cache是内建在CPU的内部,L2 Cache是设计在CPU的外部,但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部,故Pentium Pro的体积较大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。
SRAM显然速度快,不需要刷新的动作,但是也有另外的缺点,就是价格高,体积大,所以在主板上还不能作为用量较大的主存。现将它的特点归纳如下:
◎优点,速度快,不必配合内存刷新电路,可提高整体的工作效率。
◎缺点,集成度低,功耗较大,相同的容量体积较大,而且价格较高,少量用于关键性系统以提高效率。
◎SRAM使用的系统:
○CPU与主存之间的高速缓存
○CPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存
○CPU外部扩充用的COAST高速缓存
○CMOS 146818芯片(RT&CMOS SRAM)
SRAM与SDRAM的比较:
SRAM是靠双稳态触发器来记忆信息的;SDRAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。由于电容上的电荷会泄漏,需要定时给与补充,所以动态RAM需要设置刷新电路。但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低,从而成本也低,适于作大容量存储器。所以主内存通常采用SDRAM,而高速缓冲存储器(Cache)则使用SRAM,在存取速度上,SRAM>SDRAM。另外,内存还应用于显卡、声卡及CMOS等设备中,用于充当设备缓存或保存固定的程序及数据。
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以下是电脑使用技巧,我摘抄的谢谢:
F1 显示当前程序或者windows的帮助内容。
F2 当你选中一个文件的话,这意味着“重命名”
F3 当你在桌面上的时候是打开“查找:所有文件” 对话框
F10或ALT 激活当前程序的菜单栏
windows键或CTRL+ESC 打开开始菜单
CTRL+ALT+DELETE 在win9x中打开关闭程序对话框
DELETE 删除被选择的选择项目,如果是文件,将被放入回收站
SHIFT+DELETE 删除被选择的选择项目,如果是文件,将被直接删除而不是放入回收站
CTRL+N 新建一个新的文件
CTRL+O 打开“打开文件”对话框
CTRL+P 打开“打印”对话框
CTRL+S 保存当前 *** 作的文件
CTRL+X 剪切被选择的项目到剪贴板
CTRL+INSERT 或 CTRL+C 复制被选择的项目到剪贴板
SHIFT+INSERT 或 CTRL+V 粘贴剪贴板中的内容到当前位置
ALT+BACKSPACE 或 CTRL+Z 撤销上一步的 *** 作
ALT+SHIFT+BACKSPACE 重做上一步的 *** 作
Windows键+M 最小化所有被打开的窗口。
Windows键+CTRL+M 重新将恢复上一项 *** 作前窗口的大小和位置
Windows键+E 打开资源管理器
Windows键+F 打开“查找:所有文件”对话框
Windows键+R 打开“运行”对话框
Windows键+BREAK 打开“系统属性”对话框
Windows键+CTRL+F 打开“查找:计算机”对话框
SHIFT+F10或鼠标右击 打开当前活动项目的快捷菜单
SHIFT 在放入CD的时候按下不放,可以跳过自动播放CD。在打开word的时候按下不放,可以跳过自启动的宏
ALT+F4 关闭当前应用程序
ALT+SPACEBAR 打开程序最左上角的菜单
ALT+TAB 切换当前程序
ALT+ESC 切换当前程序
ALT+ENTER 将windows下运行的MSDOS窗口在窗口和全屏幕状态间切换
PRINT SCREEN 将当前屏幕以图象方式拷贝到剪贴板
ALT+PRINT SCREEN 将当前活动程序窗口以图象方式拷贝到剪贴板
CTRL+F4 关闭当前应用程序中的当前文本(如word中)
CTRL+F6 切换到当前应用程序中的下一个文本(加shift 可以跳到前一个窗口)
在IE中:
ALT+RIGHT ARROW 显示前一页(前进键)
ALT+LEFT ARROW 显示后一页(后退键)
CTRL+TAB 在页面上的各框架中切换(加shift反向)
F5 刷新 CTRL+F5 强行刷新
目的快捷键
激活程序中的菜单栏 F10
执行菜单上相应的命令 ALT+菜单上带下划线的字母
关闭多文档界面程序中的当
前窗口 CTRL+ F4
关闭当前窗口或退出程序 ALT+ F4
复制 CTRL+ C
剪切 CTRL+ X
删除 DELETE
显示所选对话框项目的帮助 F1
显示当前窗口的系统菜单 ALT+空格键
显示所选项目的快捷菜单 SHIFT+ F10
显示“开始”菜单 CTRL+ ESC
显示多文档界面程序的系统
菜单 ALT+连字号(-)
粘贴 CTR L+ V
切换到上次使用的窗口或者
按住 ALT然后重复按TAB,
切换到另一个窗口 ALT+ TAB
撤消 CTRL+ Z
二、使用“Windows资源管理器”的快捷键
目的快捷键
如果当前选择展开了,要折
叠或者选择父文件夹左箭头
折叠所选的文件夹 NUM LOCK+负号(-)
如果当前选择折叠了,要展开
或者选择第一个子文件夹右箭头
展开当前选择下的所有文件夹 NUM LOCK+ 展开所选的文件夹 NUM LOCK+加号(+)
在左右窗格间切换 F6
三、使用 WINDOWS键
可以使用 Microsoft自然键盘或含有 Windows徽标键的其他任何兼容键盘的以下快捷键。 目的快捷键
在任务栏上的按钮间循环 WINDOWS+ TAB
显示“查找:所有文件” WINDOWS+ F
显示“查找:计算机” CTRL+ WINDOWS+ F
显示“帮助” WINDOWS+ F1
显示“运行”命令 WINDOWS+ R
显示“开始”菜单 WINDOWS
显示“系统属性”对话框 WINDOWS+ BREAK
显示“Windows资源管理器” WINDOWS+ E
最小化或还原所有窗口 WINDOWS+ D
撤消最小化所有窗口 SHIFT+ WINDOWS+ M
四、使用“我的电脑”和“Windows资源管理器”的快捷键 目的快捷键
关闭所选文件夹及其所有父文件夹按住 SHIFT键再单击“关闭按钮(仅适用于“我的电脑”)
向后移动到上一个视图 ALT+左箭头
向前移动到上一个视图 ALT+右箭头
查看上一级文件夹 BACKSPACE
五、使用对话框中的快捷键
目的快捷键
取消当前任务 ESC
如果当前控件是个按钮,要单击该按钮或者如果当前控件是个复选框,要选择或清除该复选框或者如果当前控件是个选项按钮,要单击该选项
空格单击相应的命令 ALT+带下划线的字母
单击所选按钮 ENTER
在选项上向后移动 SHIFT+ TAB
在选项卡上向后移动 CTRL+ SHIFT+ TAB
在选项上向前移动 TAB
在选项卡上向前移动 CTRL+ TAB
如果在“另存为”或“打开”
对话框中选择了某文件夹,
要打开上一级文件夹 BACKSPACE
在“另存为”或“打开”对
话框中打开“保存到”或
“查阅” F4
刷新“另存为”或“打开”
对话框 F5 六、使用“桌面”、“我的电脑”和“Windows资源管理器”快捷键 选择项目时,可以使用以下快捷键。
目的快捷键
插入光盘时不用“自动播放”
功能按住 SHIFT插入 CD-ROM
复制文件按住 CTRL拖动文件
创建快捷方式按住 CTRL+SHIFT拖动文件
立即删除某项目而不将其放入 SHIFT+DELETE “回收站”
显示“查找:所有文件” F3
显示项目的快捷菜单 APPLICATION键
刷新窗口的内容 F5
重命名项目 F2
选择所有项目 CTRL+ A
查看项目的属性 ALT+ ENTER或 ALT+双击
可将 APPLICATION键用于 Microsoft自然键盘或含有 APPLICATION键的其他兼容键
先说RAM吧!!
由字面意思就可以理解,SDRAM SRAM DRAM都可以统称RAM,random access memory的缩写,只是前面加了几个修饰词而已。
SRAM:静态随机存储器,就是它不需要刷新电路,不像动态随机存储器那样,每隔一段时间就要刷新一次数据。但是他集成度比较低,不适合做容量大的内存,一般是用在处理器的缓存里面。像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的。
SDRAM:同步动态随机存储器,像电脑的内存就是用的这种RAM叫DDR SDRAM。其集成度非常高,因为是动态的,所以必须有刷新电路,每隔一段时间必须得刷新数据。其存储单元不是按线性排列的,是分页的。一般的嵌入式产品里面的内存都是用的SDRAM。
DRAM:动态随机存储器,SDRAM只是其中的一种吧,没用过,不怎么清楚。
ROM:只读存储器的总称。
PROM:可编程只读存储器,只能写一次,写错了就得报废,现在用得很少了,好像那些成本比较低的OPT单片机里面用的就是这种存储器吧。
EPRM:没见过,不知道什么东西。网上也找不到相关的东西。是EPROM吧?
EPROM:可擦除可编程存储器,这东西也比较古老了,是EEPROM的前身,在芯片的上面有个窗口,通过紫外线的照射来擦除数据。非常之麻烦。
EEPROM:电可擦除可编程只读存储器,比之EPROM就先进点了,可以用电来擦除里面对数据,也是现在用得比较多的存储器,比如24CXX系列的EEPROM。
NANDFLASH和NORFLASH都是现在用得比较多的非易失性闪存。NOR采用的并行接口,其特点读取的速度比之NAND快乐很多倍,其程序可以直接在NOR里面运行。但是它的擦除速度比较慢,集成度低,成本高的。现在的NOR的容量一般在2M左右,一般是用在代码量小的嵌入式产品方面。还有就是在ARM9的开发板上可以看见。
而NAND呢,采用的是串行的接口,CPU从里面读取数据的速度很慢,所以一般用NAND做闪存的话就必须把NAND里面的数据先读到内存里面,然后CPU才能够执行。就跟电脑的硬盘样的。但是它的集成度很高,我的ARM9的开发板上面一块256M的NAND还没有一块2M的NOR的一半大,所以成本很低。还有就是它的擦除速度也的NOR要快。要不然的话那就真的悲剧了,假如擦除一块2M的NOR要一分钟,如果NAND的擦除速度比NOR还要慢,那擦除一块256M的NAND不是要几个小时。NAND一般是用在那些要跑大型的 *** 作系统的嵌入式产品上面,比如LINUX啊,WINCE啊。NOR可是可以跑,可以把LINUX *** 作系统剪裁到2M以内,一个产品难道只去跑系统吗?用户的应用程序呢!其实很多时候,一个嵌入式产品里面, *** 作系统占的存储空间只是一小部分,大部分都是给用户跑应用程序的。就像电脑,硬盘都是几百G,可是WINDOWNS *** 作系统所占的空间也不过几G而已。
我知道的都说了,忘采纳
以上就是关于DDR SDRAM控制器的软核设计全部的内容,包括:DDR SDRAM控制器的软核设计、gd32f450程序怎么提升算法的加速、DSP 设计中做外部存储扩展,SBSRAM和SDRAM 两个,在成本、存储能力上有哪些差异等相关内容解答,如果想了解更多相关内容,可以关注我们,你们的支持是我们更新的动力!
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