程序升温的升温速率为什么大都选择10℃min麻烦告诉我

升温速率比较慢最大的弊端就是耗时了

升温速率过快会致使样品反应与升温速率不“同步”

好比吃饭一样，吃太快了会噎着

好的升温程序，大部分会根据样品特性予以设置的，并不是匀速升温10oC就是最好的

升温程序设置可参考样品物种的分解温度，熔点温度，相转变温度，干燥速率，分解速率等，要是经费比较足，可以事先做个热分析，参考热分析数据可以设置出较好的升温程序finetec(站内联系TA)因为这个速度，在TCD上反映出的信号间隔刚好合适。小曼(站内联系TA)A ramp rate of 10 °C/min is commonly used for temperature programmed analyses. Reducing the ramp rate will reduce the rate of reaction and may be beneficial for resolving overlapped peaks. High ramp rates may be used for non-critical heating of the sample to reduce the analysis timebermuda(站内联系TA)增加升温速率，除了引起峰顶温度升高外，还原峰会相互重叠，从而使峰数目减少；升温速率太低，不但是实验时间延长，而且峰强度减弱，因此需要选择合适的升温速率，一般是10度/分

AVR的啊，这个咱貌似懂，用的就是AVR。估计你学的应该是光电子吧，因为你用到CCD驱动，虽然我也是光电子的，但是CCD驱动倒是没做过。

要想让mega16输出脉冲，可以采用单片机的T0,T1,T2来输出PWM，T1是16位的，用着稍微麻烦，可以用T0来做。你可以让T0端口作为PWM输出（指定端口，不是每个IO都行），为了更好的驱动，在输出上加一个三极管作为前级驱动，可以用8050。程序上要做的就是，PWM的频率设定，这个跟定时器的分频有关，占空比设置跟定时器的初始、匹配值有关。给你个小程序你看看，在上面修改就行。//包含所需头文件

#include <ioM16v.h>

#include <macros.h>

/*------宏定义------*/

#define uchar unsigned char

#define uint unsigned int

//端口初始化

void port_init(void)

{

PORTA = 0x00

DDRA  = 0x00

PORTB = 0x00

DDRB  = 0x00

PORTC = 0x00

DDRC  = 0x00

PORTD = 0x00

DDRD  = 0x00

}

//定时器T0初始化

void timer0_init(void)

{

TCCR0  = 0x00//停止定时器

TCNT0  = 0x00//初始值

OCR0   = 0x01//匹配值，该值改变后可以改变占空比，值越大，占空比越高，你也可以通过在主函数中改变此值来改变PWM占空比。

TIMSK |= 0x00//中断允许

TCCR0  = 0x61//启动定时器，分频设置在这里

}

void init_devices(void)

{

CLI() //禁止所有中断

MCUCR  = 0x00

MCUCSR = 0x80//禁止JTAG

GICR   = 0x00

port_init()

timer0_init()

SEI()//开全局中断

}

//主函数

void main(void)

{

init_devices()       //初始化服务函数

while(1)

{

NOP()               //换成你的程序

}

}

---