nand flash烧录

艾普科技NPF-6683烧录器是专为批量烧写NAND Flash而量身定做的工具，它具有如下特征：

一、 功能介绍

该款烧录器支持16MByte（128Mbit）到8GByte（64Gbit）的NAND Flash的快速烧录，适合具有预装资料的GPS导航仪，MP4，PDA，学习机，数码相框，硬盘播放机，游戏机，电子书，点读机，语音地图机，监控类等产品在大规模生产中使用，加密CF卡，加密U盘，加密SD卡等存储工具的Flash原始数据复制（直接PC端复制不可用），它具有如下特征：

1.采用一托四的结构设计，可以对四片NAND Flash同时进行烧录，烧录过程实时校验，绝对保证数据的正确；

2.烧录速度接近NAND Flash的速度极限，512Mbit小页面Flash速度约1.4MByte/秒（带校验），8Gbit大页面SLC架构Flash编程速度约3MByte/秒（带校验），8Gbit大页面MLC架构Flash编程速度约2MByte/秒（带校验）。

3.标配4.3寸超大真彩液晶屏，一切 *** 作可视化，触摸屏及按键双输入方式，无需连接电脑,方便用户实时观察烧录过程；

4.支持以文件方式烧写和母片拷贝两种烧录方式：

（1）母片拷贝方式：用于将用户原始Flash上的内容拷贝到板载Flash，之后再将板载Flash上相应的内容写入空的Flash

（2）文件方式烧写:用户可将指定文件置于U盘或编程器内置硬盘，本方式读出文件内容按指定方式（可支持特殊文件系统）写入Flash

5.可灵活配置多种参数，如页读取、页、块内容比较、生成文件、坏块扫描、擦除、扫描有数据区间等等多种 *** 作：

（1）对母片拷贝方式，可设置特殊坏块标记，方便适应不同的用户不同的坏块管理方式。且可设置拷贝区间，用户可选择拷贝有效数据区域，这样在之后烧写空片时可降低单位Flash的烧写时间；

（2）可读取指定Flash任意页的内容显示，方便用户实时观察Flash上的数据分布；

（3）可独立擦除指定的Flash，可独立扫描指定Flash的坏块，并形成详细坏块分布信息显示于屏幕；

（4）可扫描Flash上的空白页或空白块，方便用户了解原始Flash上的空间使用情况；

（5）可比较两个Flash之间不同块或不同页的内容，并将不同之处显示于屏幕，并可顺序浏览每一处不同；

6.可根据用户的特殊要求修改软件，按你的特殊要求量身定做，修改周期不超过3个工作日，且可定制特殊的文件系统；

7.支持带 *** 作系统的NAND Flash数据烧写，如WINCE *** 作系统的XIP/BINFS情况下Flash分区的坏块管理，解决了目前市面上的编程器在NAND Flash上的文件系统分区区域内出现坏块单纯跳过而造成的 *** 作系统无法正确运行或文件无法正常读写的问题。

二、 支持的Flash列表(TSOP、8BIT、3.3V)

1,三星

K9F2808U0*、K9F1208U0* 、K9F5608U0*、K9F1G08U0*、K9F2G08U0*、K9F4G08U0*、 K9F8G08 、 K9WAG08、 K9F5608U0*、 K9F1208U0*、 K9F1G08U0*、 K9F6408U0*、 K9K1208U0* 、 K9K1G08U0*、 K9K2G08U0*、 K9K4G08U0*、 K9K8G08U0*、K9G8G08*、K9GAG08U0*、K9LAG08U0*、 K9W8G08U0*、 K9LBG08U0*、K9HCG08U0*..........

2,现代

HY27US08561M、HY27US08121M、HY27UA081G1M、HY27UF081G1M、HY27UVB082G2M、HY27UVB082G4M、HY27US08281M/1G2M/2G2M/4G2M/4G1M/2G1M、HY27UVB081G2M、HY27UVB084G2M、HY27UVB084G1M HY27UVB082G1M、HY27UF081G2M、HY27VB082G4M、HY27UA081G1M、HY27UU088G5M、HY27UT084G2M HY27UF084G2M、HY27UF082G2M ........

注：和这些NAND Flash兼容的其他Flash也可使用，如Micron，Intel，Spectek，ST，Toshiba，Infineon，Scandisk，Actrans，Renesas，型号太多，未能一一列出，艾普科技将会不间断增加支持的Flash型号，其它封装的Flash可定做转换座。

艾普科技将与您一起，共同努力解决NAND Flash的使用上的所有烦扰问题！！！！

NAND Flash跟普通的Flash结构不一样，由于NAND Flash自身的特性，偶尔会出现位反转的情况，所以在烧录的时候要注意下ECC。位反转是指原先Nand Flash中的某个位，变化了，即要么从1变成0了，要么从0变成1了。小容量的NandFlash一般不容易产生位反转，如1Gbit、2Gbit的；一般大容量的会比较容易产生，如32Gbit的。

为什么会出现位反转的情况，有以下几点原因：

漂移效应：漂移效应指的是，Nand Flash中cell的电压值，慢慢地变了，变的和原始值不一样了。

编程干扰所产生的错误：此现象有时候也叫做，过度编程效应。

对于某个页面的编程 *** 作，即写 *** 作，引起非相关的其他的页面的某个位跳变了。

读 *** 作干扰产生的错误：此效应是，对一个页进行数据读取 *** 作，却使得对应的某个位的数据，产生了永久性的变化，即Nand Flash上的该位的值变了。

在烧录的过程中如果没有设置相应的ECC，那么在校验的时候发现NAND Flash里面的数据和原始数据不一样，烧录就提示出错了。

解决的办法就是在烧录前，就设置好ECC，如我用的SmartPRO 6000F-PLUS是这样设置的，如下图示。

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