常用mos管的工作原理_场效应管和mos管区别

常用mos管的工作原理_场效应管和mos管区别 一、N-MOS管和P-MOS管的对比二、N-MOS的开关条件N-MOS管的导通调节是G极与S极中间的电压差超过阈值时，D极和S极导通。

在实际的使用中，将控制信号接到G极，S极接在GND，从而达到控制N-MOS管的开和关的效果，在D极和S极导通后，导通电阻Rds(on)极小，一般是几十毫欧级，电流流通后，形成的压降很小。

三、N-MOS的应用3.1 防止电源接反的保护电路下面就是一个应用这个特性做的一个防止电源接反的保护电路，这样应用要比使用二极管好很多，如果直接使用二极管，会有约0.7V的压降。

仿真电路如下：N-MOS管作为防止电路反接方案中，VCC=5V的电源加在10K阻性负载上，电压表、电流表分别测量，记录值是5V、500uA；切换Key开关，模拟电源反接时，测得记录值是-49.554mV、-4.955uA。

3.2 电平转换电路Sig1，Sig2为两个信号端，VDD和VCC分别是3.3V和5.0V电平信号的高电压。

另外限制条件为:1，VDD <= VCC2，Sig1的低电平门限大于0.7V左右(视NMOS内的二极管压降而定).3，Vgs <= VDD4，Vds <= VCC以下截图是在Multisim中仿真效果，利用开关提供信号。

四、P-MOS开关条件P-MOS管的导通调节是G极与S极中间的电压差低于阈值时，S极和D极导通。

在实际的使用中，将控制信号接到G极，S极接在VCC，从而达到控制P-MOS管的开和关的效果，在S极和D极导通后，导通电阻Rds(on)极小，一般是几十毫欧级，电流流通后，形成的压降很小。

五、P-MOS的应用5.1 电源通断控制P-MOS管的通断控制，其实就是控制其Vgs的电压，从而达到控制电源的目的。

Key开关闭合前，P-MOS管输出电压0.0164V，闭合后，P-MOS管输出电压5V。

但在实际电路中，一般都用MCU的GPIO代替Key开关来控制，同时MCU高电平时3.3V，因此GPIO输出控制信号时需要使用三极管，在这里三极管的选择也有区别。

有时候我们想要一个GPIO控制几个信号时，这就考虑到电平匹配的问题。

5.2 高电平控制电源导通，用一个NPN三极管5.3 低电平控制电源导通，用一组PNP+NPN三极管