6989ecc设置

1、 调整ecc大小的方法是，插入U盘，打开量产工具，打开量产设定，点击编辑按钮，输入密码IS0024，然后看到下图这样的界面，勾选不扫描原厂坏块，然后勾选扫描选框，扫描后开卡勾选，点击扫描设定就能调整ecc大小了，按下图这样ecc选10到15这样设置比较合适。

2、下图是没有设置ecc量产后，容量测试通不过urwtest测试的截图。

3、下图是ecc调整后，量产成功后的坏块数量截图：可以看到坏块数量变少是345个，之前有1万多个。

4、下面是此U盘的检测信息，可以看到主控是IS903的，闪存是MLC的。

5、下图是ecc调整后量产的U盘的urwtest容量测试结果，可以看到已经能通过测试了。

6、如果量产出来的通不过urwtest，而可以通过h2testw测试，可以尝试量产设定用 安全模式2，增强稳定度4来量产。

你说的是ECC内存即纠错内存，简单的说，其具有发现错误，纠正错误的功能，一般多应用在高档台式电脑/服务器及图形工作站上，这将使整个电脑系统在工作时更趋于安全稳定。使用ECC校验的内存，会对系统的性能造成不小的影响，不过这种纠错对服务器等应用而言是十分重要的，带ECC校验的内存价格比普通内存要昂贵许多。

在高级芯片组参数“Advanced Chipset Features”中设置1.(4):

该选项可针对芯片组(Chipset)所提供的高级功能做调整设置，让系统性能又快又稳。芯片级参数设置在不同BIOS中的具体设置项不尽相同。这里我们选用的是Intel的845D芯片进行讲述，如果你对这里的选项不太熟悉，请直接按照系统默认值设置即可。在BIOS设置主画面中，移动高亮条到“Advanced Chipset Features”选项，然后按下回车键即可进入高级芯片设置画面。

1.设置内存读写模式

(1)DRAM Timing Selectable：CPU最先搭配使用的是内存，因此内存相关的设置值皆是固定的。本项设置参数都经过厂商测试确认，除非发生不正常 *** 作，一般不建议你更改任何设置参数。一般而言，系统常见的问题，不外乎是将不同速度的内存放在一起使用，造成内存分配不均的问题；此外，不同工作电压混用的情况也会导致系统死机，常见的问题是，无法将200MHz的DDR DRAM超频至266MHz，及CL速度设置错误。一般正常情况下，无需作设置参数的调整。可以设置的值：200MHz、266MHz。优化设置建议：请根据自己内存具体情况进行设置。

(2)DRAM RAS# to CAS# Delay：

用于设置内存收到一个CAS信号时，要等多少个Clock才开始读/写数据。等待的时间越短，整体性能就越佳。

可以设置的值：2表示等待2个运算周期；3表示等待3个运算周期，此项为默认设置。

优化设置建议：保持系统默认设置。

(3)DRAM RAS# precharge：

如果允许RAS在DRAM刷新之前通过不足的循环次数充电，那么刷新可能会失败，同时DRAM也有可能会因此丢失数据，“FAST”能提供更高的性能，“SLOW”提供更稳定的性能。

可以设置的值：2表示等待2个运算周期；3表示等待3个运算周期，此项为默认设置。

优化设置建议：此项功能只有在安装同步内存的系统中有效，保持系统默认设置即可。

(4)DRAM Data Integrity Mode：

该项可以设置DRAM数据的校验模式。

可以设置的值：Non-ECC，不需要ECC校验，此项为默认设置；ECC，需要进行ECC校验。

优化设置建议：如果你的DDR带有ECC校验功能，请选择“ECC”选项。

参考资料：http://zhidao.baidu.com/question/10411354.html

建议直接换个内存。

1、+/-Err：超过LCD显示范围/传感器线断、或传感器不良 2、+/-Err2/Unst：起始零点超过+/-10%/外部有干涉（如有振动或风吹或其它物体碰到秤盘等）3、+/-Err3/Out2：AD/LOAD故障/开机时秤盘上有东西/外部有干涉4、Err4/ErrE：存器坏/存储器内部数据丢失，可重新设定及校正或更换存储器后再重新设定及校正5、Err5/EEEEE：过载（超过最大秤量+9e)/或传感器不良/校正值较大变化（需重新校正）6、Err6/ErrC：校正法码不对/或需做线性校正7、Err7：秤量与感量设定错误（需重新设定秤量及感量）8、Err8：使用单位与开机单位设定冲突（需重新设定使用单位及开机单位） 9、Err9：设定LOW值大于或等HI值10、LLLLL/HHHHH：内码过低或过高（需调整）/传感器不良11、Over：累计超过99笔/机板线路断 12、电池符号：电池没电/机板或电子线路有问题 13、若以设定的方式不能排除以上之故障，建议送回经销站处理。

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