最近，中国微电子所集成电路先导工艺研发中心在下一代新型FinFET逻辑器件工艺研究上取得重要进展。微电子所殷华湘研究员的课题组，利用低温低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上实现了全金属化源漏

日前，中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室(三室)在阻变存储器微观机制研究中取得系列进展。阻变随机存储器(RRAM)具有结构简单、高速、低功耗、易于3D集成等优势，是下一代高密度非易失性存

近日，微电子所系统封装研究室（九室），在多芯片封装研究上取得突破。目前，在国内智能电表进行的多芯片封装领域尚属“真空”状态。微电子所系统封装研究室基于有机基板、WB-BGA的多芯片的封装形式，将计量取

由中科院微电子研究所系统封装技术研究室牵头承担的“高密度三维系统级封装的关键技术研究”重大专项取得新进展。目前，国内设备最完善、技术水平最高的先进封装实验室在微电子所初步建成(图一)，主要包括：有机基

近日，中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室(四室)超高速电路课题组在超高速ADCDAC芯片研制上取得突破性进展，成功研制出8GSs 4bit ADC和10GSs 8bit DAC芯片。AD