LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了LDM

本文首先探讨了LDMOS器件在静电放电脉冲作用下的失效机理，阐述了LDMOS在快速静电放电脉冲作用下的电流集中和器件局部温度过高导致的金属接触孔熔融等现象以及静电放电脉冲过后的器件性能退化乃至烧毁的问

摘要： 针对LDMOS宽带功率放大器匹配电路设计， 提出了一种快速、有效的方法。采用多节并联导纳匹配法得出宽带匹配电路的初始值后， 利用ADS软件对匹配网络的S参数进行优化。仿真结果为： 在频率范围为

射频（RF）功率技术领域的领先提供商飞思卡尔半导体日前宣布为其Airfast RF功率解决方案旗舰系列推出了多个最新成员：包括三个LDMOS功率晶体管和一个氮化镓（GaN）晶体管，所有产品均超越了严格

中国上海，2013年6月20日讯 – 恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）（纳斯达克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管，作为特别关注TD-LT

1 引言家电、便携电子设备和手持电器的迅猛发展，已使电源适配器芯片成为集成电路的大宗产品类。由于该类芯片中内嵌集成或需要外部连接功率LDMOS 管，应用中的LDMOS 管又需要直接和高压相联接并通过大

摘要：本文介绍采用直接检测LDMOS 漏端电压来判断其是否过流的设计方案，给出了电路结构。通过电路分析，并利用BCD 高压工艺，在cadence 环境下进行电路仿真验证。结果证明：该方法能够快速、实时

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TD-SCDMA（时分同步码分多址接入）是第三代移动通信三大主流标准之一，是我国具有自主知识产权的通信标准，它标志着中国在移动通信领域已经进入世界先进行列，目前，TD-SCDMA的商用化进程正在顺利地

中国上海，2013年8月13日讯 – 恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）（纳斯达克代码：NXPI）今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS 射频功率晶

目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，

DMOS与CMOS器件结构类似，也有源、漏、栅等电极，但是漏端击穿电压高。DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET(verTIcal double-diffused

LDMOS的性能概述与双极型晶体管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于相同的输出功