【导读】在之前的技术文章中，介绍了驱动芯片的概览和PN结隔离(JI)技术，本文会继续介绍英飞凌的绝缘体上硅（SOI）驱动芯片技术。 高压栅极驱动IC的技术经过长期的发展，走向了绝缘体上硅（silico

【导读】现在的高功率变频器和驱动器承载更大的负载电流。如下图1 所示：由于功率回路里的寄生电感（主要由功率器件的封装引线和PCB的走线产生的），电路中VS脚的电压会从高压母线电压（S1通S2关时）变化

SOI RFIC可调谐滤波器提高相控阵系统性能讨论了新的绝缘体上硅（SOI）可调谐滤波器IC在相控阵的射频链上的能力和影响。这些新器件在可调谐性、小尺寸和高线性度方面取得了进步，有效应对了干扰和更宽工

中国至少已浮出三家晶圆厂将采用SOI工艺先进制程。根据MarketsandMarkets 最新预估，SOI市场在2022年市场价值将达18.6亿美元，2017-2022年期间平均复合成长率将达29.1

随着智能功率IC的发展.其应用领域和功能都在不断地扩展。而作为智能功率IC中的重要一类栅驱动IC在功率开关、显示驱动等领域得到广泛应用。在栅驱动电路中需要电平位移电路来实现从低压控制输入到高压驱动输出

随着芯片制造的成本与复杂度不断提高，使得今年成为半导体产业整併以及寻找替代性技术创记录的一年。在日前于美国加州举行的IEEE S3S大会上，举会的工程师们不仅得以掌握更多绝缘上覆硅（SOI）、次阈值电

2014年S3S会议上，工程师共同分享了SOI材料的优势，亚阈值电压的设计新方案，单片3D集成以及今年的企业并购案。今年芯片行业一共有23起收购案，比前两年的总量还多。预计到年底，并购的总额将由174

Peregrine半导体公司推出UltraCMOS PE42524，这是行业中第一个工作频率高达40 GHz 的射频 SOI开关。这种开关引人注目地把Peregrine的高频产品阵容扩大到先前以砷化镓

X-FAB Silicon Foundries 日前推出全新的 XT018 制程，这是180奈米200V MOS的独立沟槽电介质（SOI）代工制程，其完全隔离型的模组化制程让不同电压的区块能够整合在单

许多人认为区块链能解决世界上所有的问题，包括几十年来困扰医疗行业的问题：医疗记录和数据的互 *** 作性。虽然区块链和医疗记录的互 *** 作性可能具有共生关系，但区块链并没有解决医疗数据的互 *** 作性问题。在卫生保健领

Soitec参加第七届SOI产业高峰论坛：展示独特产品组合，制定全新行业标准，全面助力5G发展。北京，2019年9月17日——作为设计和生产创新半导体材料的全球领军企业，法国Soitec半导体公司于9

若要说2018以及未来五年最受瞩目的半导体制程技术，除了即将量产的7奈米FinFET尖端制程，以及预计将全面导入极紫外光（EUV）微影技术的5奈米制程节点，各家晶圆代工业者着眼于应用广泛、无所不包的物

中国北京，2015年08月17日 –移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo， Inc.（纳斯达克代码：QRVO）日前宣布推出适合宽带通信系统的新型高性能绝缘硅片（S