【导读】本SiC FET用户指南介绍了使用含快速开关SiC器件的RC缓冲电路的实用解决方案和指南。该解决方案经过实验性双脉冲测试（DPT）结果验证。缓冲电路损耗得到精确测量，可协助用户计算缓冲电路电阻

碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC于3月21日宣布达成与ADI公司（Analog Devices）的战略投资和长期供应协议，具体条款尚未公布。

新增的9款器件可实现更高水平的设计灵活性2021年9月14日，美国新泽西州普林斯顿：领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC（联合碳化硅）公司，现已发布业界最佳的750V、6mΩ器件，

中国 北京，2021年11月4日——移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo®，Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布，已收购位于新泽西州普林斯顿领先碳化硅（Si

随着我们的产品接近边沿速率超快的理想半导体开关，电压过冲和振铃开始成为问题。适用于SiC FET的简单RC缓冲电路可以解决这些问题，并带来更高的效率增益。若要问功率转换器设计师，他们想要怎样的半导体开