3D集成电路技术的发展始于多年前，远早于摩尔定律效益放缓成为讨论话题之前。该技术最初用于堆叠功能块，功能块之间具有高带宽总线。内存厂商和其他IDM在早期通常会利用这项技术。由于该技术本身并不局限于此类

半导体产业未来将不再由硅材料主导。为紧跟摩尔定律（Moore’s Law）发展脚步，全球整合元件制造商（IDM）一哥--英特尔（Intel）已在2012年开发者大会中，揭露其未来在14、7纳米（nm）

采用矽穿孔（TSV）的2.5D或3D IC技术，由于具备更佳的带宽与功耗优势，并能以更高整合度突破制程微缩已趋近极限的挑战，是近年来半导体产业的重要发展方向。在产业界的积极推动下，3D IC已从概念逐

美商陆得斯科技（Rudolph Technologies， Inc.）指出，到了3D晶片时代，矽钻孔（TSV）、微凸块（micro bumping）等半导体制程技术越趋复杂，每一道程式的精密控制均开出

2012年4月27日讯 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布，在为新一代移动和消费电子应用实现3D芯片堆叠的道路上，公司达到了一个重要的里程碑。在其位于美国纽约萨拉托加郡的Fab 8，GLOBA

新发明的透明柔性3D存储芯片会成为小存设备中的一件大事。这种新的内存芯片透明柔韧，可以像纸一样折叠，而且可以耐受1000华氏度的温度，是厨房烤箱最高温度的两倍，而且可以耐受其他有害条件，有助于开发下一

上海和旧金山2012年3月15日电 美通社亚洲 -- 中微半导体设备有限公司（以下简称“中微”）推出了8英寸硅通孔（TSV）刻蚀设备Primo TSV200E™ -- 该设备结构紧凑且具有极高的生

将体积较大的功率电感器（上图中心部分）置于硅中介层，未来CMOS芯片将在3-D芯片栈底部集成芯片内部的稳压器电子发烧友讯：全球首次成功将集成稳压器内置于3-D芯片底部，据IBM和哥伦比亚大学研究员表示

日月光集团总经理暨研发长唐和明昨(6)日表示，三维立体集成电路(3D IC)将是后PC时代主流，即使全球经济减缓，各厂推动研发脚步并不停歇，他推估2013将是3D IC起飞元年。3D产品呈现出立体的视

近年来，随着平板显示技术与相关材料领域技术的不断进步，以及好莱坞对3D显示技术的运用和推动，3D显示技术正离我们越来越近。这种对3D显示的追求是符合显示技术发展规律的。在显示领域中，我们经历了从黑白到

明导国际(Mentor Graphics)正戮力拓展电子设计自动化(EDA)市场版图。明导国际除瞄准2.5D3D晶片发展新趋势，持续强化相关设计工具之外，亦积极强攻新兴电子设计自动化应用领域如汽车、

一、引言3D芯片的处理对象是多边形表示的物体。用多边形表示物体有两个优点：首先是直接(尽管繁琐)，多边形表示的物体其表面的分段线性特征除轮廓外可以通过明暗处理(shading)技术消除;其次是仅存储多

本文研究主要考虑基于CuSn金属互化物的微凸点(μbump)作为芯片堆叠的手段。系统研究了形成金属互化物凸点连接的两种方法。一：瞬时液相(TLP)键合，在此过程中，全部Sn焊料熔化，随后通过与焊料盘的

用光精确地控制神经元可以在脑科学研究和脑疾病治疗方面掀起一场革命。光遗传学把光敏基因和光源结合在一起，用来选择性地打开或关闭大脑。光遗传学已经成为有希望的研究工具和潜在疗法。不过，这一技术大部分时候只

尽管最近几年以TSV穿硅互联为代表的3D芯片技术在各媒体上的出镜率极高，但许多人都怀疑这种技术到底有没有可能付诸实用，而且这项技术的实际发展速度也相对缓慢，目前很大程度上仍停留在“纸上谈兵”的阶段。不