产品特性：PowerPAK SO-8 封装4.5V 栅极电压时有2.25 毫欧最大导通电阻导通电阻与栅极电荷乘积为 98应用范围：稳压器模块、服务器使用负载点功率转换的众多系统日前，Vishay推出新

预备知识1、首先，明确两个概念：稳态热阻：两处测量点温差△T，单位时间内通过散热面的能量为Pd，热阻RΘ=△TPd，单位℃W。它是一个反映了散热体散热性能的参数。热阻越大，散热越慢。（字面意思理解

2016年7月14日，北京讯德州仪器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶体管，电阻实现业内最低，比传统60-V负载开关低90%，同时，使终端系统功耗得以降低。CSD18541

Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。这些MOSFET具有业内最低的导通电阻，采用1mm x 1mm x 0

功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源(switch-mode powersupplies，SMPS)的整流组件，不过，在选用MOSFET时有一些注意事项。功率MO

拥有30年发展史的硅功率MOSFET功率MOSFET作为双极晶体管的替代品最早出现于1976年。与那些少数载流子器件相比，这些多数载流子器件速度更快、更坚固，并且具有更高的电流增益。因此开关型电源转换

基于功率MOSFET设计考量用作功率开关的MOSFET随着数十年来器件设计的不断优化，功率MOSFET晶体管带来了新的电路拓扑和电源效率的提升。功率器件从电流驱动变为电压驱动，加快了这些产品的市场

瑞萨电子日前发售了八款封装尺寸仅为2mm×2mm的功率MOSFET。其中两款产品“在封装尺寸为2mm见方的产品中，实现了业界最高水平的低导通电阻”。它们分别是耐压（VDSS）为＋20V的n通道产品“μ

英飞凌科技股份公司(FSE：IFXOTCQX：IFNNY)宣布推出汽车封装类型的合格100%无铅功率MOSFET。结合创新的包装技术和英飞凌的薄晶圆的工艺技术，新的40V的OpTIMOS™T2的

国际整流器公司 (InternaTIonal RecTIfier，简称IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术，为一

功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上，它的密度是每平方毫米250.000个单元（50V功率MOS-FET）或者50.000单元（1200VIGBT）。于晶体管相同的技术概念，

功率MOSFET并联均流问题研究对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究，详细分析了影响功率MOSFET并联均流诸因素。通过Q轨迹把器件参数和外围电路联系起来，得出较大的Q值和适

1 引言功率VDMOSFET晶体管以其开关速度快、输入电阻高、频率特性好、驱动能力高、跨导线性度高等特点，广泛应用在空间系统的电源电路中。但它在空间辐射环境中极易被重离子诱发SEB，造成功率变换器或电

本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全,只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数,以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计。 数据表中的参数分为两类:即最大

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低

WD0412 是一款基于悬浮衬底和 P_EPI 工艺的600V 高压高低边驱动器，具有高低边两路输出，可以单独驱动两个高压大功率 MOSFET 或 IGBT。WD0412 的输入信号兼容 CMOS 和