意法半导体发布了两款采用主流配置的内置1200V 碳化硅(SiC) MOSFET的STPOWER电源模块。两款模块都采用意法半导体的ACEPACK 2 封装技术，功率密度高，安装简便。第一款模块A2F

在与电子仪器相关的行业中，与传统的硅基半导体相比，宽带隙半导体的创新已被证明是有利可图且有效的。碳化硅 (SiC)宽带隙半导体是最先进的半导体之一，具有显着的相关性。这些半导体在各种参数（如高温、频率

宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 6 月19 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布采用高度0.357mm的芯片级M

下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考

器件采用PowerPAK® SO-8单体封装，栅极电荷与导通电阻乘积优值系数达到同类产品最佳水平。宾夕法尼亚、MALVERN —2020年8月17日 — 日前，Vishay Intertechnolo

TrenchFETâ器件典型RDS（ON）为 61 mΩ，优值系数为 854 mΩ*nC，封装面积10.89 mm²宾夕法尼亚、MALVERN — 2020 年 9 月 23 日 — 日前，Visha

业内首款采用鸥翼引线结构5 mm x 6 mm 紧凑型PowerPAK® SO-8L封装器件，导通电阻仅为30 mΩ。宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年1月11日 — 日前，Vishay In

【2021年12月02日，德国慕尼黑讯】 当前开关电源 （SMPS） 和电池供电应用的显著发展趋势是提高效率和可靠性。顺应这一发展趋势，英飞凌科技股份公司（FSE：IFXOTCQX：IFNNY）

扬杰科技发布N40-150V SGT功率MOSFET新品，全面提升开关和导通特性，可应用于电机驱动等领域。一、 产品介绍Split Gate Trench MOSFET 屏蔽栅沟槽型功率MOSFET系

小型器件采用无引线键合鸥翼引线结构，提高板级可靠性宾夕法尼亚、MALVERN — 2022年2月7日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣

器件采用欧翼引线结构PowerPAK® SO-8L小型封装具有业界出色FOM并获得AEC-Q101认证宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年4月7日 — 日前，Vishay Intertechno

TI具有最低导通电阻的全面集成型负载开关日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关，其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 m 标准导通电阻 (rON) 比同类竞争产品低 4 倍。