三维存储_内存溢出

技术

可应用三维存储结构PCM的高集成NAND型相变内存方案

日本中央大学理工学部电气电子信息通信工学科教授竹内健等人的研发小组提出了NAND型相变内存（Phase Change Memory：PCM）方案，并在2012年5月20～23日于意大利米兰举行的“In

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2022-8-2
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