据semiwiki报道，预计 3nm 节点的金属间距约为 22nm。这对 EUV 光刻技术的使用提出了一些新的挑战。这些挑战针对0.33NA 与 0.55NA 系统的一些挑战是不同的。   对于 0.

Samsung 5 日宣佈正式量产全球首款採用 10nm 制程生产的 DDR4 DRAM 颗粒，加快半导体市场迈向更精密的 10nm 制程工艺之路，继 2014 年首个量产 20nm 制程 DDR3

加州普莱桑顿， 2013年3月7日 - 亚太商讯 - 高级纳米结构涂层和设备研发的领导者Rolith， Inc.，今天宣布成功安装 由Rolith， Inc. 独家授权SUSS MicroTec AG

在摩尔定律的指引下，半导体工业每两至三年就跨上一个新的台阶，即所谓的半导体技术发展路线图(ITRS)。预计2004年进入90nm节点器件的批量生产，到2007年为65nm。然而这一切变化的关键是光刻技