High-NA EUV 有望将芯片制造工艺缩小到埃级别，为具有更高晶体管数量的芯片和全新的工具、材料和系统架构浪潮奠定基础。在年初的 SPIE 高级光刻会议上，英特尔光刻硬件和解决方案总监 Mark

5万块一瓶的胶水你见过吗？还真有！它的名字叫光刻胶，是造芯片必备的材料，这项核心技术掌握在日本手里，光是日本的化工四巨头，就占了80%的市场份额。 那光刻胶凭啥卖5万一瓶啊？这得从芯片是怎么被“光刻”

假如我们把光刻机比作一把菜刀，那么光刻胶就好比是要切割的菜，没有高质量的菜，即使有了锋利的菜刀，也无法做出一道佳肴。”日前，江苏博砚电子科技有限公司技术部章宇轩在接受科技日报记者采访时说。在北京化工大

随着日本一声令下，全球半导体行业或将迎来变局。日本经济产业省7月1日宣布，日本将限制对韩国出口3种半导体及OLED材料。自7月4日起，包括“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”和“高纯度氟化氢”3种材料将限制向韩

随机变化需要新方法、新工具，以及不同公司之间的合作。极紫外（EUV）光刻技术正在接近生产，但是随机性变化——又称为随机效应正在重新浮出水面，并为这项期待已久的技术带来了更多的挑战。GlobalFoun

根据CINNO Research 产业研究对整体半导体供应链的调查，日本与韩国对于第二次世界大战强制征用民工的问题无法达到共识以及妥善的处理，日本政府将祭出一连串的出口管制措施:第一阶段为开始将对韩国

作者：Regina Freed在半导体产业的黄金时代，当戈登·摩尔还在为自己的公司制定路线图时，平面尺寸的缩小就带来了功耗、性能和面积成本的同步进步（PPAC）。但随着时间的推移，登纳德平面尺寸缩小

中国上海，2021 年 11 月 09 日 – 杜邦电子与工业事业部和北京科华微电子材料有限公司今日宣布开展一项合作计划，为中国集成电路芯片制造商提供高性能光刻材料。凭借双方公司的优势，此项合作旨在满

引言最近在外延膜的导电率控制和高质量块状氧化锌衬底的可用性方面的进展重新引起了我们对用于紫外光发射器和透明电子器件的氧化锌氧化锌氧化锌异质结构系统的兴趣。虽然GaNAlNInN系统被用于这些相

关键词：氧气、微气泡、光刻胶、高剂量离子注入、气水界面介绍 微气泡是一种很有前途的环保光刻胶去除方法的候选方法。已经证明，臭氧微气泡可以去除硅片上的光刻剂，即使被高剂量的离子注入破坏了光刻剂。但重大挑

日本经济新闻报道，富士胶片将在截至2024年3月的三年内，向其半导体材料业务投资700亿日元(6.37亿美元)，以应对5G和人工智能全球芯片需求激增的需求。报道称，大部分投资将用于制造基于 5 纳米或

关键词:超临界清洗，离子注入光刻胶，光刻胶剥离摘要本文提出了一种有效的、环保的干剥离方法，使用超临界二氧化碳(SCCO2)系统，在40℃到100℃和压力从90巴到340巴时去除离子植入的光刻剂和残留物

引言半导体的清洗在制造工序中也是非常重要的。特别是光刻胶的去除是最困难的，一般使用硫酸和过氧化氢混合的溶液(SPM)等。但是，这些废液的处理是极其困难的，与环境污染有很大的关系，因此希望引进环保的清洗

引言过氧化氢被认为是半导体工业的关键化学品。半导体材料的制备和印刷电路板的制造使用过氧化氢水溶液来清洗硅晶片、去除光刻胶或蚀刻印刷电路板上的铜。用于硅晶片表面清洗的最常用的清洗浴(S(1，S(2或SP

引言硫酸(H2SO4)和过氧化氢(H2O2)混合物(SPM)用于各种湿法清洗工艺步骤。表2.1显示了SPM的一些常见清洁和表面处理顺序:工艺、离子注入工艺或金属沉积剥离工艺。正性光致抗蚀剂通常由具有光

引言虽然通过蚀刻的结构化是通过(例如抗蚀剂)掩模对衬底的全表面涂层进行部分腐蚀来完成的，但是在剥离过程中，材料仅沉积在不受抗蚀剂掩模保护的位置。本章描述了获得合适的抗蚀剂掩模的要求、涂层方面的问题，以