在早前谈到中国的半导体投资建设，一直都是围绕在芯片设计、制造和封装等领域，但对于半导体芯片的源头——硅晶圆，却谈的少之又少。我认为主要有两方面的原因：一是国内在这方面的发展不尽如人意；另一方面是因为目

电子发烧友网核心提示：对于系统设计人员而言，提高积体电路的整合度既是好消息，也带来新问题。好消息是，在每一个硅晶片的新制程节点，晶片设计人员都能够在一个晶片中封装更多的元件，例如更多的处理器、加速和

集成电路诞生于20世纪50年代，德州仪器(TI)制作了世界上第一块IC。21世纪，集成电路变得常见，以集成度高、可靠、廉价，被广泛应用。小小的硅晶片，发展了接近半个世纪，逐渐走向成熟。单片集成度从最初

迪思科高科技把在硅晶片单片化及低介电率（low-k）膜开槽工艺中培育起来的激光切割技术经验用到了LED上，在高亮度LED用晶片的激光切割设备市场上获得了较高的份额。由于激光切割设备是自动加工，因此能够

集成电路 （IC） 的制造方式存在一个核心问题，除非布局设计师仔细管理，否则可能会在制造过程中破坏电路。IC 是使用迭代构建过程制造的；许多不同材料层沉积在硅基板上，以创建电路的器件和导线。该过程的每

本发明涉及一种半导体的制造。在清洗步骤后，“PIRANHA-RCA”清洗顺序的“SC 1”步骤中加入了预定浓度的EDTA等络合物形成剂，以减少残留在硅晶片表面的金属杂质。在制造半导体设备方面， 一种方

引言在半导体热处理应用中，批处理在工业的早期阶段被采用，并且仍然非常流行。我们研究了直径为200毫米和300毫米的硅(100)晶片在单晶片炉中高温快速热处理过程中的热行为，该热行为是温度、压力、处理时

本文研究了氢氧化钾、TMAH（C6H4(OH)2)溶液中氢氧化铵（四甲基铵）和EDP(乙烯二胺(NH2(CH2)2NH2)的浓度和温度对硅表面的影响，制作了光滑的垂直墙和悬吊梳式结构。在蚀刻研究中，在

引言近年来，太阳能电池和电池板等可再生能源的使用量显著增加。在已安装的光伏系统中，90%以上的是单晶硅电池和多晶硅电池，具有成本低、面积大、效率较高的优点。清洁硅晶片的表面是器件处理技术中最关键的 *** 作

引言本文描述了我们华林科纳用于III族氮化物半导体的选择性侧壁外延的具有平面侧壁刻面的硅微米和纳米鳍的形成。通过湿法蚀刻取向的硅晶片生产鳍片。使用等离子体增强化学气相沉积来沉积二氧化硅，以产生硬掩模。

引言过氧化氢被认为是半导体工业的关键化学品。半导体材料的制备和印刷电路板的制造使用过氧化氢水溶液来清洗硅晶片、去除光刻胶或蚀刻印刷电路板上的铜。用于硅晶片表面清洗的最常用的清洗浴(S(1，S(2或SP

引言半导体制造业面临的最大挑战之一是硅的表面污染薄片。最常见的是，硅晶片仅仅因为暴露在空气中而被污染，空气中含有高度的有机颗粒污染物。由于强大的静电力，这些污染物牢固地结合在硅晶片表面，给半导体制造行

摘要硅(Si)的深度蚀刻对于广泛的应用是非常理想的。在这种情况下，通过长时间的金属辅助化学蚀刻(MACE)和短时间的氢氧化钾蚀刻，证明了通过蚀刻375微米厚的硅晶片的成本效益和可再现性。在MACE期间

引言氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说，它们在某些方向上的蚀刻速度比在其他方向上的蚀刻