这是一个基于射频功率晶体管2SC2539的15W调频射频放大器电路。2SC2539 是一款硅 NPN 外延平面型晶体管，专为 VHF 频段移动无线电应用中的射频功率放大器而设计。调频射频放大器电路图：

PartSim 是一个基于网络的程序，使用户无需安装任何软件即可创建和模拟电子电路。本文将继续探索这个复杂的模拟系统所提供的可能性。电源这一次，我们将研究并模拟基本电源的行为。一个变压器、一个二极管电

氮化镓技术因其在低功耗、小尺寸等特性设计上的独特优势和成熟规模化的生产能力，近年来在功率器件市场大受欢迎。在前不久举办的EEVIA第五届ICT技术趋势论坛上，这个主题受到国内媒体的集体“围观”。富士通

许多单片机的应用中都会使用到串行口与电脑的串行口相连接，进行数据的传输或控制命令的发送与接收。单片机的串口有很大一部分是使用电平标准的（PIC的可以直接连接在电脑串口），它的逻辑1电平是5V，逻辑0电

恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）推出业内面向915MHz应用的最高功率晶体管。MRF13750H晶体管提供750W连续波（CW），比目前市场上同类产品高出百分之五十。MR

随着油电混合车和电动车技术的演进，逆变器驱动技术已经进入汽车领域，从空调机和加热系统等低功率应用，一直到驱动和再生制动系统等高功率应用，所有这些系统的共通点是需要通过保护逆变器设计中的功率开关晶体管来

中国上海，2013年6月20日讯 – 恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）（纳斯达克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管，作为特别关注TD-LT

据麦姆斯咨询报道，Efficient Power Conversion（EPC，美国宜普电源转换公司）发布了新款350V GaN功率晶体管EPC2050，具有65微欧最高导通电阻（RDS(on)）以及

恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 近日发布业内首款采用2-mm x 2-mm 3管脚无引脚DFN封装的中功率晶体管。这款BC69PA晶体管采用独特

工艺与材料的创新随着时间的推移，功率晶体管技术得到了持续的改善。器件的体积不断缩小，功率密度越来越高。在电压高于1 kV的大功率晶体管方面，双极结构已成为首选;低于1 kV电压，特别是频率高于100

目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，

本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性，并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。众所周知，像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继

这一关键里程碑标志着氮化镓在全球范围内被迅速采用安大略省渥太华， 2021年3月9日 - （亚太商讯） - GaN（氮化镓）功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布，其低电流，大批量氮化镓

传统的硅功率晶体管在理论上已经被推到了极限。宽带隙功率器件的紧凑模型对于分析和评估它们对电路和系统性能的影响是必要的。带隙比硅的 1.1 eV 更宽的半导体已经超越了效率、密度和工作温度方面的限制。阻

英飞凌科技应用工程师张家瑞、黄正斌、张哲睿传统上在高压功率晶体的设计中，采用硅材料的功率晶体要达到低通态电阻，必须采用超级结技术（superjuncTIon），利用电荷补偿的方式使磊晶层（Epitax

中国，北京-2022年2月10日-致力于开发GaN（氮化镓）芯片和GaN电源数字控制的先驱Wise-integraTIon和亚洲电子元器件代理商与解决方案供应商益登科技，共同宣布针对GaN电源半导体产

中国，2021 年 8 月 27 日——为了更方便的转型到高能效的宽禁带半导体技术，意法半导体发布了MasterGaN3*和 MasterGaN5两款集成功率系统封装，分别面向高达 45W 和 150

IDCH系列产品的输出功率在8W-300W之间，适用于频率高达4GHz的工业、科学、医疗、卫星、航空电子和雷达设备IDDE系列包含10W-700W产品，用于频率高达1.5GHz的商业、工业和科学宽带通

动态导通电阻对于 GaN 功率晶体管的可靠和稳定运行至关重要。然而，许多工程师都在努力评估动态 RDS(ON)，因为很难以足够的分辨率对其进行一致测量。在本文中，我们将讨论使用带钳位电路的双脉冲测试系