GlobalFoundries 已开始在纽约的 Fab 8 厂房中安装硅穿孔（TSV）设备。如果一切顺利，该公司希望在2013下半年开始採用 20nm 及 28nm 製程技术製造3D堆叠晶片。据了解，

无止境地追求更轻薄短小的智能型手机。TechInsights探讨半导体封装整合的创新能力，同时预测新上市的三星Galaxy S7和iPhone SE。半导体产业持续整合电子元件于更小封装的创新能力，不

2014及未来全球半导体业的态势会怎么样？答案肯定是好坏均占。有乐观派如IC Insight公司， 认为2013年全球集成电路产业已度过最低增长的困难的5年周期，并开始下一轮周期的上升，这是一个好消息

硅通孔技术（Through Silicon Via， TSV）技术是一项高密度封装技术，正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充

在这篇文章中，笔者将介绍各种不同型态的 3D IC 技术，由最简易的开始到目前最先进的解决方案。不过当我们开始探讨3D IC，第一件事情就是要先问自己：「我们是想要透过3D达成什么目的？」这个问题并不

3D IC技术蓬勃发展的背后推动力来自消费市场采用越来越复杂的互连技术连接硅片和晶圆。这些晶圆包含线宽越来越窄的芯片。为了按比例缩小半导体IC，需要在300mm的晶圆上生成更精细的线条。据市场研究机构

半导体业已经迈入14nm制程，2014年开始量产。如果从工艺制程节点来说，传统的光学光刻193nm浸液式采用两次或者四次图形曝光（DP）技术可能达到10nm，这意味着如果EUV技术再次推迟应用，到20

采用矽穿孔（TSV）的2.5D或3D IC技术，由于具备更佳的带宽与功耗优势，并能以更高整合度突破制程微缩已趋近极限的挑战，是近年来半导体产业的重要发展方向。在产业界的积极推动下，3D IC已从概念逐

TSV立体堆叠技术已在各式应用领域当中崭露头角。TSV堆叠技术应用于DRAM、FPGA、无线设备等应用上，可提升其效能并维持低功耗，因而获得半导体厂及类比元件厂的青睐，尽管如此，若要加速TSV技术于市

TSV技术应用即将遍地开花。随着各大半导体厂商陆续将TSV立体堆叠纳入技术蓝图，TSV应用市场正加速起飞，包括影像感应器、功率放大器和处理器等元件，皆已开始采用；2013年以后，3D TSV技术更将由

在“NEPCON日本2013”的技术研讨会（研讨会编号：ICP-2）上，英特尔和高通分别就有望在新一代移动SoC（系统级芯片）领域实现实用的 TSV（硅通孔）三维封装技术发表了演讲。两家公司均认为，“

Sensor Hub（传感器集线器）方案整合度将再次大幅提升。微控制器（MCU）供应商正借重系统级封装（SiP）和硅穿孔（TSV）技术，整合微控制器和多轴微机电系统（MEMS）传感器，以开发出尺寸更小

2011年，半导体封装业界的热门话题是采用TSV(硅通孔)的三维封装技术。虽然TSV技术此前已在CMOS图像传感器等产品上实用化，但始终未在存储器及逻辑LSI等用途中普及。最近，存储器及逻辑LSI方面

为了延续摩尔定律的增长趋势，芯片技术已来到所谓的“超越摩尔定律”的3D集成时代。从IDM到无晶圆厂和CMOS晶圆厂，从外包半导体封测厂到基板与电路装配运营商，整个产业供应链都涉及在内。硅直通孔3D集成

意法半导体率先将硅通孔技术(TSV)引入MEMS芯片量产。在意法半导体的多片MEMS产品(如智能传感器、多轴惯性模块)内，硅通孔技术以垂直短线方式取代传统的芯片互连线方法，在尺寸更小的产品内实现更高的

高通(Qualcomm)先进工程部资深总监Matt Nowak日前指出，在使用高密度的硅穿孔(TSV)来实现芯片堆叠的量产以前，这项技术还必须再降低成本才能走入市场。他同时指出，业界对该技术价格和商业

（文章来源：OFweek电子工程网）类比积体电路设计也将进入三维晶片(3D IC)时代。在数位晶片开发商成功量产3D IC方案后，类比晶片公司也积极建置类比3D IC生产线，期透过矽穿孔(TSV)与立

Tezzaron半导体公司专业从事存储器产品、3D晶圆工艺以及TSV工艺，它采用一种晶圆打线技术，在三个层面上堆叠芯片，该技术采用类似于US Mint的铜超级触点，用铜镍合金工艺制作波片。Tezzar

本文介绍了一种新型的高纵横比TSV电镀添加剂系统，利用深层反应离子蚀刻(DRIE)技术对晶片形成图案，并利用物理气相沉积(PVD)技术沉积种子层。通过阳极位置优化、多步骤TSV填充过程、添加剂浓度和电