鳍式场效晶体管（简称 finFET）的推出标志着 CMOS 晶体管首次被看作是真正的三维器件。由于源漏区以及与其周围连接的三维结构方式（包括本地互连和接触通孔），导致了复杂性和不确定性。结果，器件建模

随着高级工艺的演进，电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强。与此同时，他们同样面临许多新的设计挑战。多重图案拆分给设计实施过程带来了许多重大布局限制，另外为降低功耗和提高性

安谋（ARM）与台积电共同宣布一项为期多年的协议，针对7奈米FinFET制程技术进行合作，包括支援未来低功耗、高效能运算系统单晶片（SoC）的设计解决方案。 这项协议延续先前采用ARM ArTIsan

据悉高通会在CES 2017上公开更多骁龙835详细信息，而备选首发机型也基本已经确认，包括小米6、三星Galaxy S8等。不过，在移动芯片领域，高通并不是唯一的参与者，三星同样是最大的半导体厂商之

比利时微电子（IMEC）在2016国际电子元件会议（IEEE InternaTIonal Electron Devices MeeTIng ; IEDM）中首度提出由硅纳米线垂直堆叠的环绕式闸极（GA

日前，中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心在下一代新型FinFET逻辑器件工艺研究上取得重要进展。微电子所殷华湘研究员的课题组利用低温低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上实现了全金属化源漏

据外媒报道，三星电子被指侵犯了与鳍式场效应晶体管（FinFET）制程工艺相关的专利，面临诉讼。韩媒称，韩国科学技术院（KAIST）计划对三星提起诉讼，指控后者侵犯其FinFET专利。KAIST称，他们

据外媒报道，三星电子被指侵犯了与鳍式场效应晶体管（FinFET）制程工艺相关的专利，面临诉讼。韩媒称，韩国科学技术院（KAIST）计划对三星提起诉讼，指控后者侵犯其FinFET专利。KAIST称，他们

FinFET称为鳍式场效晶体管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一种新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管。闸长已可小于25奈米。该项技术的发明人是加州大学伯克利分

最近IMEC发布了他们在先进制程工艺上激动人心探索的成果——基于水平纳米线的围栅晶体管。水平纳米线围栅晶体管是FinFET技术的一种自然延伸，在工艺上他们有很多相似之处，目前FinFET的所采用的制造

半导体领域FinFET技术发明人胡正明说，由于半导体技术的突破，网际网路的速度和普及度还有千百倍的成长空间。在中国大陆乌镇举行的第3届世界互联网大会，今年首次举办“世界互联网领先科技成果发布活动”，由

2016年10月13日，北京—All Programmable 技术和器件的全球领先企业赛灵思公司（Xilinx， Inc. ）宣布，16nm UltraScale+™ 产品组合提前达成重要的量产里程

要判定FinFET、FD-SOI与平面半导体制程各自的市场版图还为时过早…尽管产量仍然非常少，全空乏绝缘上覆矽（fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI）制

三星上周四宣布，第二代10纳米FinFET制程已经开发完成，未来争取10纳米产品代工订单将如虎添翼。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。三星第一代10纳米制程于去年10月领先同业导入量产，目前

Mentor Calibre® nmPlatform 和 Analog FastSPICE™ （AFS™） Platform 获得 TSMC 12nm FinFET Compact Technolog

在恩智浦公司大获成功并得到广泛部署应用的i.MX平台中，最新一代的具功率效率和全功能的应用处理器正在采用28nm FD-SOI工艺生产。新的i.MX 7系列采用了32位ARM v7-A内核，主要面向功

中芯国际延揽前三星电子(Samsung Electronics)、台积电技术高层梁孟松后，首次于线上法说会中现“声”说法，他表示非常看好中芯在产业中的机会与位置，但也深具挑战；针对外界最关心的高阶制程

三星半导体（Samsung Semiconductor Inc.，SSI）的高层透露了该公司晶圆代工厂技术蓝图细节，包括将扩展其FD-SOI产能，以及提供现有FinFET制程的低成本替代方案。而 其中

耗尽型绝缘上覆矽（FD-SOI）制程技术正从原本的“迟到”（too-late）位置摇身一变，成为可望在物联网（IoT）与汽车市场取代鳍式场效电晶体（FinFET）的理想替代方案了。对于许多人来说，业界