【导读】功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度是功率半导体重要的设计目标。我们一路追求单位芯片面积的输出电流能力，实现方法是： 1.减小导通损耗和动态损耗2.减小寄

摘要长城控股集团携手江苏省锡山经济技术开发区，投资38亿元；第三代半导体模组封测制造基地项目，车规级模组规划年产能达120万套；极电光能全球总部及钙钛矿创新产业基地项目，计划建设全球首条GW级钙钛矿光

|详解中国MOSFET市场半导体逆全球化发展趋势明显，成熟制程芯片国产替代迎来难得的窗口期。又逢能源改革和国产电动汽车产业飞速发展的历史机遇，以MOSFET为代表的功率器件将率先开启国产替代加速的进程

-该系列产品包含1200V和650V两种规格-东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列

随着国家“双碳”目标政策（即“2030 碳达峰，2060 碳中和”）的出台以及碳中和政策正在从全球共识向全球行动推进，新能源行业（如新能源汽车，光伏及储能领域）迎来景气度高涨。“双碳”目标促使IGBT

800V平台？SiC功率器件？还是轮毂电机？作为当下最热门的技术趋势之一，扁线电机可谓首当其冲。自从特斯拉也开始采用这一技术后，围绕扁线电机的相关话题也愈演愈烈。我们此前也曾发布过多篇有关扁线电机的技

0 引言近年来，电动汽车、高铁和航空航天领域不断发展，对功率器件模块在高频、高温和高压下工作的需求不断增加。传统的 Si 基功率器件模块达到其自身的材料性能极限，氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半

除了LED照明，几乎所有单相应用都可以使用额定650伏的器件，但是，当所需功率超出了单相电源能力时，则需要使用三相电源。而三相应用需要使用900伏或1200伏电压的功率器件。   加贺富仪艾电子旗下代

IGBT 分类功率器件在大方向的工控和电源领域必不可少的器件，功率器件分成功率二极管、MOS 管、IGBT、碳化硅、氮化镓，几大类型当中 IGBT 的角色是最重要的，分类可以分成低压、中压、高压。1、

近几年来，电动汽车、电化学储能、以及光伏和风电等新能源市场的快速发展，市场对功率器件的需求量大增，特别是电动汽车的兴起，让IGBT常年处于供应紧张状态，且未来几年都没有缓解的迹象。此时，SiC器件也乘

9月20日，广州广电计量检测股份有限公司（简称：广电计量）联袂上海陆芯电子科技有限公司（简称：上海陆芯），于广州顺利举行“广电计量与上海陆芯合作交流会暨上海陆芯IGBT汽车级AEC-Q101验证报告颁

电动汽车的普及将功率半导体性能的界限推向了一个新的水平。硅功率器件传统上用于控制汽车中的各种电力电子系统，例如主逆变电机、泵、暖通空调压缩机、制动和转向系统。碳化硅 （SiC） 等化合物半导体器件的最

开关器件在嵌入式电路中经常使用IO口来控制某些电路的开关功能，此时三极管可作为开关器件来使用。作为开关器件使用时需使用开关三极管如9014和9015等小功率器件，此时三极管处于饱和状态。现举一例来说明

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFXOTCQX代码：IFNNY）近日推出第二代嵌入式功率器件（ePower）。全新TLE983x片上系统（SoC）产品系列将一颗功能强大的8位单片机与LIN收发

电子发烧友网报道（文梁浩斌）在短短几年间，GaN材料就与“快充”这个词紧密关联了起来。在快充需求下，GaN已经几乎在手机、笔记本等设备的充电器上实现普及，从18W到240W的充电器都已经用上GaN器

初创公司 mqSemi 推出了适用于基于功率 MOS 的器件的单点源 MOS (S-MOS) 单元设计。使用 Silvaco Victory 工艺和设备软件，在 1200V SiC MOSFET 结构

提高功率密度的路线图从降低传导动态损耗开始。与碳化硅相比，氮化镓可以显着降低动态损耗，因此可以降低整体损耗。因此，这是未来实现高功率密度的一种方法。第二个参数是整个逆变器堆栈的厚度；具有扁平而薄的逆变

NexGen Power Systems Inc. 正在使用GaN 衬底上的同质外延 GaN 制造垂直功率器件（垂直氮化镓或垂直 GaN）。垂直 GaN 器件能够以更高的频率进行开关并在更高的电压下工

碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化镓 (GaN) HEMT 等宽带隙 (WBG) 功率器件的采​​用目前正在广泛的细分市场中全面推进。在许多情况下，WBG 功率器件正在取代它们的硅对应物，并在现