P型半导体不是在本征半导体参入五价元素获得的。在本征半导体中掺入5价的元素可以得到N型半导体。例如，现在用的最多的硅本征半导体，掺入5价的元素磷或锑都可以，使其转变为N型半导体。在本征半导体中掺入微量的3价元素等元素杂质时的半导体,称为P型

P型半导体不是在本征半导体参入五价元素获得的。在本征半导体中掺入5价的元素可以得到N型半导体。例如，现在用的最多的硅本征半导体，掺入5价的元素磷或锑都可以，使其转变为N型半导体。在本征半导体中掺入微量的3价元素等元素杂质时的半导体,称为P型

"电子浓度和空穴浓度的乘积是一个常数,与掺杂浓度无关"是正确的.比如一个n型的半导体,参杂的量多的时候,其电子浓度很大,但是空穴浓度会很小,因此他们的乘积仍然是一个常数,而这个常数和温度有关,温度上升时,这个常数会变

1金原子一般做复合中心，是深能级杂志2都是整流，都是正向随着qv指数增加反向几乎饱和，肖特基结比pn导电能力强，无论正反。开启电压pn大，0.6v。pn借功耗大。（2）肖特基对于正向导电是多子器件，载流子无存储，没有寿命的问题，没有寿命，没

因为不掺杂的半导体一般只有很少的本征载流子（电子和空穴的浓度相等），掺入少量受主杂质之后，就可以提供一定数量的空穴，而这些空穴往往要比原来的本征载流子浓度大得多，所以说“远大于...”参见“http:blog.163.comxmx02

正向导通电压，锗二极管大概是0.2~0.3V。普通硅二极管大概是0.5~0.7V。硅整流管大概是1~1.2V。肖特基二极管大概是0.3V~1V。1.导通电流在导通过程中，电流是一个变化值，所以不存在固定的导通电流值。2.一般以额定正

要弄懂这个问题先从“化学元素周期表”学起，再去看看半导体行业的发展史。在电子元器件中，常用的半导体材料有：元素半导体，如硅,锗等；化合物半导体，如砷化镓等。其中硅是目前最常用的一种半导体材料。就硅和锗的制造而言，其原材料不同和制造工艺有差别

半导体中掺杂的不是离子，而是原子。半导体主体是硅，掺杂少量的3价镓原子之类或者少量5价锑原子之类，成为N型半导体或者P型半导体。这里说的3价和5价是指其能够提供出游离或者共价的电子数（最外层电子），而不是化学中通常所说的化合价。1 晶体参杂

是由于半导体和掺入的微量元素都是电中性的，而掺杂过程中既不丧失电荷又不从外界得到电荷，只是在半导体中出现了大量可运动的电子或空穴，并没有破坏整个半导体内正负电荷的平衡状态。P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子

一、N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加

先介绍本真半导体本真半导体就是纯净的硅或者锗形成的半导体，但是这类半导体没多大用，因为其载流子浓度低，导电能力很差（其导电能力其实是由电子-空穴对表现出来的，电子离开原来的位置后，原来的位置就成为了空穴），于是人们就想出了参杂。如果往硅

先介绍本真半导体本真半导体就是纯净的硅或者锗形成的半导体，但是这类半导体没多大用，因为其载流子浓度低，导电能力很差（其导电能力其实是由电子-空穴对表现出来的，电子离开原来的位置后，原来的位置就成为了空穴），于是人们就想出了参杂。如果往硅

是哦，我这几天照射每天半小时600元，我给医生说我不用这光了光上药打针，她还很生气说不照不行，我说我就是不想照了太贵了，我不花这个红光的钱她就不给看了也不给开药，还说是专业妇科医院呢？什么态度啊这医生，我在这3天一点一点套了我1万多啊，还叫

启东博大医院太黑了，做个包皮手术，花了2万多，问了一下其他病友，都在1万5以上。第一天5千多，第二天不到3千，以后每天1880，后来强烈强求不用那些仪器，基本每天不到1千。半导体一次800，冷红光一次600，红光一次180。做个包皮花了2万

楼主，我来分析一下：C为答案，所谓的单向导电性，就是讲电源正极接在二极管的P级，负极接在N级时才导通，若接反了就不导通，这是二极管最基本的特点...A不对，发光二极管至今为止只有红，绿，黄，橙四种颜色，在我映像中：红色二极管的工作电

先介绍本真半导体本真半导体就是纯净的硅或者锗形成的半导体，但是这类半导体没多大用，因为其载流子浓度低，导电能力很差（其导电能力其实是由电子-空穴对表现出来的，电子离开原来的位置后，原来的位置就成为了空穴），于是人们就想出了参杂。如果往硅

对于未掺杂的本征半导体，导带中的电子是由它下面的一个能带（即价带）中的电子（价电子）跃迁上来而形成的，这种产生电子（同时也产生空穴——半导体的另外一种载流子）的过程，称为本征激发。在本征激发过程中，电子和空穴是成对产生的，则总是有“电子浓度

正向导通电压，锗二极管大概是0.2~0.3V。普通硅二极管大概是0.5~0.7V。硅整流管大概是1~1.2V。肖特基二极管大概是0.3V~1V。1.导通电流在导通过程中，电流是一个变化值，所以不存在固定的导通电流值。2.一般以额定正

红光LED的温度特性：LED的焊接温度应在250摄氏度以下，焊接时间控制在3到5秒之间，LED的亮度输出与温度成反比。温度不仅影响LED的亮度，也影响它的寿命，使用中尽量减少电路发热，并做一定的散热处理，要注意避免LED温度过高从而使芯片受