
正向导通电压,锗二极管大概是0.2~0.3V。
普通硅二极管大概是0.5~0.7V。
硅整流管大概是1~1.2V。
肖特基二极管大概是0.3V~1V。
1.导通电流在导通过程中,电流是一个变化值,所以不存在固定的导通电流值。
2.一般以额定正向工作电流值作为基本参数。
3.额定正向工作电流,是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。
从理论计算上来说,二极管正向是一直导通,正向电流是关于正向压降的类指数函数:
当Va很小时,Id很小,近似认为没有电流,二级管是截止的;当va增加到id较为明显时(人为规定的,如1mA)时认为它导通,称对应的Va为正向导通电压VF。由于Id指数增加,所以计算出的VF较小。
受参杂浓度、制作工艺、温度、半导体材料等因素影响VF并非固定不变的,经计算,硅在300K下,一般在0.6-->0.7v左右。通常我们取0.7v(也有的书取0.6v)就可以了。从上面的公式看出当温度升高时,对应的VF也升高,所以说当温度较高时,VF是可能大于0.7v的。参杂浓度也会影响VF,但具体计算比较复杂,不做过多讨论。
上述公式推导涉及半导体物理、器件等内容,比较复杂,具体可以见下面这个ppt上的内容:
网页链接
正向导通电压如图示:
一般硅二极管的死区电压约为0.5V。
死区电压也叫开启电压,是应用在不同场合的两个名称。死区电压,指的是即使加正向电压,也必须达到一定大小才开始导通,这个阈值叫死区电压,硅管约0.5V,锗管约0.1V。(硅和锗是制造晶体管最常用的两种半导体材料,硅管较多,锗管较少)。
二极管的分类
需要注意二极管的种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管);按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。
根据二极管的不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、肖特基二极管、发光二极管等。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
微信扫一扫
支付宝扫一扫
评论列表(0条)