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如何计算熵?怎么计算？
计算熵变的三个公式如下：1、已知定压比热、温度、压力：根据公式△S1-2=CPln(T2T1)-Rgln(P2P1)进行计算其中，△S1-2为由状态1到状态2的熵变化量，J(kg·K)。CP为定压比热，J(kg·K)；T1、T2
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如何计算熵?怎么计算？
计算熵变的三个公式如下：1、已知定压比热、温度、压力：根据公式△S1-2=CPln(T2T1)-Rgln(P2P1)进行计算其中，△S1-2为由状态1到状态2的熵变化量，J(kg·K)。CP为定压比热，J(kg·K)；T1、T2
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如何在fluent中改变比热
可以在材料物性里修改成 polynomial 等选项有数据的话，可以自己拟合，修改 polynomial 等设置中的值当然，也可以用 UDF 来定义比热随温度的变化比热Cp 是温度为自变量的函数，这里用分段多项式函数Ranges 表示分段数
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一根清爽蓝莓雪糕质量为100g，放在冷库内过了一段时间后，它的温度由-5℃下降到-9℃，在此过程中，雪糕放
∵Q=cm（t0-t）∴雪糕的比热c=Qm(t0t)=800J01kg×(5℃(9℃))=2×103J（kg℃）；热量是指在热传递过程中内能的变化量，雪糕的内能减少量等于雪糕放出的热量，为800J．答：雪糕的比热容为2×103J（kg℃
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Aspen中怎么将物质的比热、粘度等物性参数调出来
只需要在Aspen plus中输入物质界面点review，就可以看到所输物质的物性参数。如下图所示：Aspen全称“Aspen Plus”软件，是一个生产装置设计、稳态模拟和优化的大型通用流程模拟系统。经过20多年来不断地改进、扩充和提高，
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半导体芯片制造有哪些工艺流程，会用到那些设备，这些设备的生产商有哪些？
主要是对硅晶片（Si wafer）的一系列处理1、清洗 ->2、在晶片上铺一层所需要的半导体 ->3、加上掩膜 ->4、把不要的部分腐蚀掉 ->5、清洗重复2到5就可以得到所需要的芯片了Cle
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金属材料与半导体，绝缘体材料的热容在极低温下有何区别
金属材料： 在温度很高和很低的情况下，自由电子和离子振动对热容的贡献都要考虑。 无机非金属材料(与 Debye 热容理论相符): 低温时 CV ∝ T3， 高温时 CV ≈ 25 J K·mol ，无机材料的热容与材料的结构关系不大。硅的
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空气的比热容是多少?
问题一：空气的比热容是多少？常见气体的比热容 （单位：kJ(kg・K)） Cp Cv 氧气 0.909 0.649 氢气 14.05 9.934 水蒸气 1.842 1.381 氮气 1.038 0.741问题二：水和空气
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九年级全一册物理知识点都有哪些
1从水旅谈起。2内能与热机。3了解电路。4探究电路（欧姆定律、伏安法测电阻、家庭电路）5测算家庭电费（电流做功的快慢及与哪些因素有关、电功率)6关于磁和磁场（电动机的工作原理）7关于电的产生及输送(感应电流) 8信息的传播及作用。9材料
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空气的比热容比是多少？
空气的比热容与温度有关，温度为250K时，空气的定压比热容cp=1.003kJ(kg*K).，300K时，空气的定压比热容cp=1.005kJ(kg*K)。常温下的空气是无色无味的气体，液态空气则是一种易流动的浅黄色液体。一般当空气被
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[单项选择题] 湿空气的性质不仅与它的组成成分有关，而且也取决于它所处的状态。表征湿空气性质的一些物理量称为状态参数。在空气调节技术中，常用的状态参数是（）
[单项选择题] 湿空气的性质不仅与它的组成成分有关，而且也取决于它所处的状态。表征湿空气性质的一些物理量称为状态参数。在空气调节技术中，常用的状态参数是（）A．压力、温度、含湿量、相对湿度、比热熔及密
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比热容大的物体,吸热能力大还是小?
比热容大的物体，吸热能力大，即单位质量的此物质温度升高（或降低）1°C时,其吸收或放出的热量较多，比热容大的物体，散发一定的热量，其温度变化比较小（前提是：质量一样、散发的热量一样）。吸热能力应该是指
