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电路中经常会通过较大的电流，这就造成了电路中存在很多不确定的因素。为了避免这些因素对电路或者重要器件的损伤，保护电路应运而生。保护电路在逆变电源这种经常需要进行电流转换的器件中显得尤为重要。本篇文章就

MOS栅结构是MOSFET的重要组成部分，一个典型的N沟道增强型结构示意图如图1所示。其中栅极、源极和漏极位于同一个平面内，半导体的另一个平面可以称为体端，所以在一些书籍和资料中，也将MOSFET称为

逆变器，别称为变流器、反流器，是一种可将直流电转换为交流电的器件，由逆变桥、逻辑控制、滤波电路三大部分组成，主要包括输入接口、电压启动回路、MOS开关管、PWM控制器、直流变换回路、反馈回路、LC振荡

引言通用MCU或DSP的IO电压通常是5V3.3V，IO的电流输出能力在20MA以下，不足以直接驱动功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP来设计电机驱动器时，通常需要搭配外部的MOSFET驱动器

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启动 mqSemi 引入了单点源 MOS (S-MOS) 单元设计，适用于基于功率 MOS 的设备。S-MOS 技术采用 Silvaco Victory 工艺和器件软件在 1200V SiC MOSF

在当今的开关电源设备中，MOS管的特性、寄生参数和散热条件都会对MOS管的工作性能产生重大影响。因此深入了解功率MOS管的工作原理和关键参数对电源设计工程师至关重要。目前，影响开关电源电源效率最大的两

在高端MOS的栅极驱动电路中，自举电路因技术简单、成本低廉得到了广泛的应用。然而在实际应用中，MOS常莫名其妙的失效，有时还伴随着驱动IC的损坏。如何破？一个合适的电阻就可搞定问题。【问题分析】上图为

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全球先进电子元件分销商世强日前与国际桥堆制造领军企业Shindengen签订分销协议，前者正式代理包括桥堆、二极管、电源模块、可控硅、IGBT、MOS等在内的新电元全线产品。新电元工业株式会社于194

这里介绍的逆变器(见图1)主要由MOS场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该变压器的工作原理及

80V TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出6款单芯片和双芯片80-V TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器

Linear推出高速同步MOSFET驱动器LTC4449 在 4V 至 6.5V 范围内驱动高端和低端 MOSFET 栅极，以高达 38V 的电源电压工作。这个强大的驱动器可以吸收高达 4.5A 电流

什么是MOS管？它有什么特点？在常见的控制器电路中，MOS管有几个工作状态，而MOS 主要损耗也对应这几个状态，本文就来探讨一下MOS的这些状态的原理。MOS的工作状态分为：开通过程（由截止到导通的过

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判断MOS管好坏的方法有两种：第一种：定性判断MOS管的好坏先用万用表R×10kΩ挡（内置有9V或15V电池），把负表笔（黑）接栅极（G），正表笔（红）接源极（S）。给栅、源极之间充电，此时万用表指针

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电子元器件都有电气参数，在选型时要给电子元器件留够余量才能保证电子元器件稳定、长久的工作。借助这个题目简单介绍一下三极管和MOS管的选型方法。三极管是流控型器件，MOS管是压控型器件，两者存在相似之处