中心论题：负载控制前置FET驱动器和N-通道功率FET组合控制系统中的四种不同负载设置浪涌电流的动态故障阈值车载照明系统的故障检测和保护解决方案：

中心论题：开关稳压器和低压降稳压器减少对核处理器电压供应。 提高降压转换器效率的方法。 利用开关电压器来调节输出电压。 解决方案：

在宽带隙半导体开关的新时代，器件类型的选择包括SiC MOSFET 和 GaN HEMT 单元，它们都具有自己的特性并声称具有最佳性能。然而，两者都不是理想的开关，因为这两种器件类型在某些领域都有局限

对于 48V 电源系统中的 GaN FET 应用，现有的一种方法是使用基于 DSP 的数字解决方案来实现高频和高效设计。这在很大程度上是由于缺乏设计用于 GaN FET 的合适控制器的可用性。DSP

在使用电子元器件时，你有时候不可避免地会闻到明显是芯片烧焦的味道。这都是反向电流惹的祸。反向电流就是由于出现了高反向偏置电压，系统中的电流以相反的方向运行；从输出到输入。幸运的是，有很多方法可以保护你

数字电源带来的设计变革关键字：ZL2008 FET 微处理器 数字电源数字电源是当今的热门话题。采用数字技术的电源使功率转换和电源控制发生快速改变。即便数字电源炙手可热，工程师对数字电源的接受速度看起

图1显示了反向转换器功率级和一次侧MOSFET电压波形。该转换器将能量存储于一个变压器主绕组电感中并在 MOSFET关闭时将其释放到次级绕组。由于变压器的漏极电感会使漏电压升至反射输出电压 （Vres

如果您一直在关注有关半导体工艺技术的最新消息，那么您或许已经了解到全球最尖端代工厂将生产采用FinFET新型晶体管结构作为基本芯片构建块的器件了。这些待产的芯片将采用统称为1614nm的工艺节点。不

美国新泽西州普林斯顿，德国纽伦堡（Nuremberg） --- 碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC美商联合碳化硅股份有限公司 宣布，已经为UJ3C（通用型）和UF3C（硬开关型）系列

现在;一台台电源，几乎都能发现FET的影子。几乎每个电源工程师都用过这东西，或用来逆变;或用来整流;或就当个开关。由于用处不同;每个厂家都对不同用处FET做了专门优化。以致同样耐压电流的FET;有多

下面的图是一个宽带缓冲电路。该电路是由晶体管和FET构成的。这个宽带放大器具有较高的输入阻抗和低输入阻抗。

。图 1 显示了反向转换器功率级和一次侧 MOSFET 电压波形。该转换器将能量存储于一个变压器主绕组电感中并在 MOSFET 关闭时将其释放到次级绕组。由于变压器的漏极电感会使漏电压升至反射输出电压

这些新型SiC FET整合高性能第三代SiC JFET和共源共栅（cascode）优化的Si MOSFET，这种电路配置能够以常见的封装形式创建一种快速、高效的器件，但仍然可以用与Si IGBT、Si

Analog Devices， Inc. （ADI）推出集成ADC驱动器的FET输入AFE（模拟前端）ADA4350，用于与电流模式传感器（如光电二极管）和高输出阻抗电压传感器直接接口。ADA4350

虽然12V铅酸电池目前依然是汽车电源的主流，但也有些新应用需要更高的电压，如干线音频功率放大器和车窗除霜装置。为满足这些高压应用的要求，市场上出现了新一代AEC-Q100认证的同步升压控制器。这种控制

美国新泽西州普林斯顿 --- 美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面贴装封装、同时具有业界最低RDS（on）的SiC FET器件UF3SC06503

现在的电子设备具有更高的移动性并且比以前更绿色，电池技术进步推动了这一进展，并惠及了包括便捷式电动工具、插电式混合动力车、无线扬声器在内的广泛产品。近年来，电池效率（输出功率尺寸比）和重量均出现大幅

摘要：DS2784高边nFET保护器没有针对充电器反接的保护电路。因此，故障状态下，如果充电器反向连接，DC FET将可能处于导通状态。本文介绍了发生充电器反接时可使DC FET保持关闭的外部电路。

Abstract: This power-supply sequencer senses a loss of the main supply voltage and, by controlling t