在当今的电力电子产品中，质量和可靠性是既定的，设计重点是最大限度地提高效率和功率密度，同时最大限度地降低成本。工作频率的急剧增加挑战了当前的设计实践，以提高电磁干扰兼容性 (EMIEMC) 性能和

氮化镓是一种二元IIIV族直接带隙半导体晶体，也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外，氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常坚硬的材料;其原子的化学键是高度离子化的氮化镓化

前言过去几年，智融科技推出的多款可用于氮化镓充电器的协议降压二合一芯片，在车充和氮化镓快充中应用极其广泛。近日，智融科技发布了全新的AC-DC产品，用于氮化镓开关管的初级主控芯片SW1106，支持直驱

0 引言近年来，电动汽车、高铁和航空航天领域不断发展，对功率器件模块在高频、高温和高压下工作的需求不断增加。传统的 Si 基功率器件模块达到其自身的材料性能极限，氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半

【导读】硅材料制作的功率器件，也被称为第一代半导体，而砷化镓（GaAs）等材料制作的功率器件，则被成为第二代半导体，第二代半导体在高频性能上优于硅器件，通常用于射频应用。 氮化镓（GaN）或碳化硅（S

在过去的几十年中，全球SiC 和 GaN领域的特点是发展、行业接受度不断提高以及有望实现数十亿美元的收入。第一个商用 SiC 器件于 2001 年以德国英飞凌的肖特基二极管的形式出现。随之而来的是快速

能源转型的挑战涉及不同的市场。电动汽车 (EV) 的技术进步正在降低成本，但最重要的是提供了许多消费者所需的更大范围效率。更高功率密度的电池、更高效的电动机以及用于整个动力系统的新型宽带隙半导体解决方

氮化镓 (GaN) 解决方案的集成将使您拥有更小、功率更大的外壳。OPPO 宣布全面采用 Navitas Semiconductor 的 GaN (GaNFast) 电源 IC，以实现超薄 50W 快

STMicroelectronics 的 MasterGaN 是一个集成了基于硅技术的半桥驱动器的平台，刚刚通过添加一对氮化镓功率晶体管进行了进一步优化。ST 在接受 Power Electronic

基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件具有出色的电气特性，是高压和高开关频率电机控制应用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我们在这里的讨论集中在 GaN HEMT

高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布，全球电源产品和电动汽车充电站供应商飞宏(Phihong)新推出的6

在过去几年中，氮化镓 (GaN) 在用于各种高功率应用的半导体技术中显示出巨大的潜力。与硅基半导体器件相比，氮化镓是一种物理上坚硬且稳定的宽带隙 (WBG) 半导体，具有更快的开关速度、更高的击穿强度

碳化硅和氮化镓等宽带隙功率半导体可减小组件尺寸、提高效率并改善混合动力和全电动汽车的性能。现在越来越多的汽车制造商押注于 SiC 和 GaN，芯片制造商正在转变他们的业务，以利用电动汽车市场的爆炸式增

为了实现高功率密度，使用了混合电感-电容开关转换器。这些混合电感-电容开关可防止瞬态浪涌电流，这通常会导致传统开关电容转换器的输出损耗 。许多不同的转换器拓扑可以轻松混合，并有助于从软充电 *** 作中受益。

电子发烧友网报道（文梁浩斌）上周日，问天实验舱由长征5号B遥三运载火箭送上太空，并与中国空间站天和核心舱顺利完成对接。而除了将问天实验舱这个当今世界上现役最大的单体载人航天舱段送上太空之外，这次“问

有鉴于全球环保意识抬头，碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）两种功率转换材料备受瞩目。其中，碳化硅掌握早期开发优势，其功率模块在再生能源与车用电子领域，商机已纷纷涌现。而主要锁定低功率市场的氮化镓，则将

目前，我们正面临着各式各样的电源挑战，例如电池电量的迅速消耗、电池的使用寿命以及续航等。设计人员应当如何在当前和未来的设计中解决这些潜在的实际问题呢？从某种程度上来说，设计人员首先需要学习和了解电源管

导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 （GaN） 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当压

中国上海，2016年6月2日 – 领先的高性能模拟射频、微波、毫米波和光波半导体产品供应商MACOM Technology SoluTIons Inc.  (“MACOM”)日前宣布推出其针对大规模固