求解：向Flash芯片中写入数据是怎样一个过程？Programm 和Re-Programm具体是怎样实现的？

是这样的，

首先Flash芯片要求在修改一个Cell中的位的时候，在修改之前，必须先Erase即擦除掉这个Cell。Erase完成之后，Cell中全为1，然后再写入数据。

写入时，当某个Cell的数据位恰好为1，这个Cell的电路就不做任何动作；如果遇到待写入某个Cell的数据位为0，电路将对应Cell的字线电压提高到足以让电子穿过绝缘体的高度，这个电压被加到Control Gate上，从而对Cell中的FG进行充电，Cell的状态从1变为0，完成了写入，这个写0的动作又叫做“Programm”。由于Flash的最常见表现形式——EPRROM一般是只读的，但是一旦要将其中的程序更改，则需要重新写入新程序，即Re-Programm，所以就顺便将写入Flash的过程叫做Programm了。一块崭新的SSD上所有Cell都是已经被Erase好的，也可以使用特殊的程序对整个SSD重新整盘Erase。

首先你先要折算一下两边的速率。串口的实际速率（有效数据，也就是你所需要的数据）例如波特率9600，一位起始位，一位停止位，8位数据，无校验的情况下，那么你的传输速率是960B/s（注意：字节不是位了）

那么你要知道FLASH中的传输的速率是多少。去掉指令。实际有效传输速率是多少。datasheet里面肯定有。

如果说串口数据有效速率>flash的读写有效速率。那么这个设计本身就是错误的。（哈哈。基本不可能啦。而且串口速率可设。）

串口数据有效速率<flash的有效速率。那么可以用一个FIFO缓存一下。发完指令以后读取数据。不过这个是要注意格式的。

其中牵扯到的时序概念这里就不详述了。

简单流程，串口输入数据，串并转换后控制FIFO的写部分。利用FIFO的空信号指示FLASH读写模块的工作。然后么当发完指令以后FLASH从FIFO里面读取数据。这样就搞定了~

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