帮看看电脑温度正常吗 下面的是我玩了10小时以后的测试的温度

女人就是爱乱花钱，这么个问题都舍得出200分。。。

如果价格相差不大当然首选第一台啊。

1CPU双核对单核就不说了，而且奔腾E2160可不是高频低能的奔腾D，源自酷睿2架构，执行效率高，发热和功耗低。不管是办公性能还是游戏性能都远超单核的速龙3400+。

2内存方面1G对512M也有很大的优势，毕竟目前来看，512M内存实在是太小了，开开卡丁，玩玩儿腾讯还行，碰上WOW，永恒之塔这样的大型游戏就等着卡吧。

3显卡方面X1550是X1300的更名版，4管线128BIT显存位宽（如果这块没有缩水的话），性能略低于7300GT，介于6600和6600GT之间，要比2管线的集成6150强太多了。

4声卡么。。。相信你不会在意，而且都是集成声卡，不过第一台集成的HD AUDIO还是比第二台集成的老AC97音质好一些的。

5其他东西就没什么好说的了，硬盘容量一样，网卡没什么好苛求的。第一台比较不好的是主板采用的是少见的SIS芯片组，兼容性和性能以及口碑上不如INTEL自己的芯片组。不过主板只要没有瓶颈对性能的影响很有限。

当然，就算是第一台，性能也够落伍的，可能的话还是配新吧，现在电脑配件也不贵，3000块已经可以配出一台性能还不错的电脑了。

重点提醒一下，机不可貌相，这点对MM必须要说，漂亮、可爱的机箱或者显示器不是全部，要学会欣赏“内在美”。另外最后一点，无图无真相，这么有自信自称美女，建议上图，相信有更多人趋之若鹜的来帮助你的，说不定还能预定买机的时候的地陪还有苦力。。。

1,进入BIOS关闭频展2,锁定PCIE 为100

2,关闭节能模式

3,降低内存外频分频到1066

4,提高CPU外频

5按F10保存退出重启电脑

超频的时候要耐心不要一下就超的很高,要一MBHZ这样超逐渐提高CPU外频

是用EVEREST看的吗？ 按这上面的提示因该来说很正常了。就是不懂得你CPU风扇是大扇叶还是小扇叶了。如果是小扇叶转数就有点不够了。就因该换个风扇了。小扇叶风扇转速因该要在3600RPM左右。

风扇转速太低是导致温度过高的主要原因。换个风扇或者给风扇加点润滑油，提高转速就可以了。

那就给机箱加个风扇就可以了撒。主要原因是CPU放出的热空气在机箱里形成死循环，越来越热。在机箱后面都应该留有散热风扇位置的，在那个位置上装上一个12CM（看位置大小可以小一点）的风扇固定好，把电源插在主板上就可以很好解决温度高的问题了。

你的芯片没有问题 热风q一喷就好了说明虚焊、接触不良或者有氧化

三块硬盘不会损坏主板 6块硬盘都不会损坏主板 更别说三块了 呵呵 导致芯

片损坏应该是楼主无意碰到芯片的针脚或者是大力碰到芯片 造成针脚脱焊所致

维修费40元 不是很便宜呢 有一定的水分哦~

如果你要配电脑，也没有什么主流配置的了，像i3，i5，i7CPU配的电脑就是主流的啊，看你想装多少钱的电脑了。

你的CPU也很低端的了，建议换为E5200就可以了，你的内存小了，才1G的，内存再加一条相同品牌容量的，显卡加条GT240，不过这个显卡也要500元了的。

说说内存的概念：

DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。

从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持25V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的33V电压的LVTTL标准。

DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍。

什么是DDR1

有时候大家将老的存储技术 DDR 称为 DDR1 ，使之与 DDR2 加以区分。尽管一般是使用 “DDR” ，但 DDR1 与 DDR 的含义相同。

DDR1规格

DDR-200: DDR-SDRAM 记忆芯片在100 MHz下运行 DDR-266: DDR-SDRAM 记忆芯片在133 MHz下运行 DDR-333: DDR-SDRAM 记忆芯片在166 MHz下运行 DDR-400: DDR-SDRAM 记忆芯片在200 MHz下运行（JEDEC制定的DDR最高规格） DDR-500: DDR-SDRAM 记忆芯片在250 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格） DDR-600: DDR-SDRAM 记忆芯片在300 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格） DDR-700: DDR-SDRAM 记忆芯片在350 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格） DDR22G

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什么是 DDR2

DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达 667MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据预读取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

DDR3与DDR2的比较

DDR3与DDR2几个主要的不同之处 ：

1突发长度（Burst Length，BL）

由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取 *** 作加上一个BL=4的写入 *** 作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断 *** 作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。

2寻址时序（Timing）

就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和 DDR3

CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。

DDR2内存的频率

3DDR3新增的重置（Reset）功能

重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有 *** 作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。

在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。

4DDR3新增ZQ校准功能

ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新 *** 作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

参考电压分成两个

在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。

点对点连接（Point-to-Point，P2P）

这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。

面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。

DDR4

据介绍美国JEDEC将会在不久之后启动DDR4内存峰会，而这也标志着DDR4标准制定工作的展开。一般认为这样的会议召开之后新产品将会在3年左右的时间内上市，而这也意味着我们将可能在2011年的时候使用上DDR4内存，最快也有可能会提前到2010年。

JEDEC表示在7月份于美国召开的存储器大会MEMCON07SanJose上时就考虑过DDR4内存要尽可能得继承DDR3内存的规格。使用Single-endedSignaling( 传统SE信号)信号方式则表示64-bit存储模块技术将会得到继承。不过据说在召开此次的DDR4峰会时，DDR4 内存不仅仅只有Single-endedSignaling方式，大会同时也推出了基于微分信号存储器标准的DDR4内存。

DDR4规格

因此DDR4内存将会拥有两种规格。其中使用Single-endedSignaling信号的DDR4内存其传输速率已经被确认为16～32Gbps，而基于差分信号技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到64Gbps。由于通过一个DRAM实现两种接口基本上是不可能的，因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和微分信号的两种规格产品。

根据多位半导体业界相关人员的介绍，DDR4内存将会是Single-endedSignaling( 传统SE信号)方式DifferentialSignaling( 差分信号技术 )方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品，因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品。

DDR5

新一代的显存会有较低的能量消耗量，且数据传输为每秒6 Gbps 直至目前为止，我们只看到极少数的绘图卡使用gddr4显存，但三星已发布下一代的gddr5记忆体，并声称它的样本已经发向了主要的图形处理器公司。

当然，三星并不是第一家提供gddr5的样品的公司。海力士Hynix和奇梦达双方也宣布了类似的零件，但三星的记忆已经进了一步提供了数据传输速率6gb/sec ，超过标准5gb/sec 。因此，三星大胆声称它的产品为“世界上速度最快的记忆体”并且说，它的产品“能够传输移动影像及相关数据，在24千兆字节每秒。”

除了增加带宽， gddr5记忆体也比较低功耗，三星公司声称其记忆体运作，只是15v 。

三星是目前采样512MB的gddr5芯片（ 16 MB × 32 ） ， mueez 迪恩，三星绘图记忆体的市场营销主管，他说，该记忆体“将使种图形硬体的表现将推动软件开发商提供了一个新台阶眼膨化游戏。不过，我们可能要等待一段时间之前， gddr5成为普遍。三星公司估计，该记忆体将成为”在顶级产品细分市场中的事实上的标准“。

你的电源稳压有问题啊

一般大风扇的打开电源看到有两个大铝片中间有有个小的变压器在线包上外边引出两条线他负责就你说的响声把它线的另一边电路板上的胶处理一下吹干就好我的就是那修的

还有 就是负载稳压方面的了就是后极输出一般有5，12，之类的稳压模块还有一个保护集成用于比较电压的你找个家电维修的看吧估计你的开焊了多换件也不贵不还输出我就修这个的嘻嘻

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