位错的分类
从位错的几何结构来看，可将它们分为两种基本类型：即刃型错和螺型错。二者都属于线缺陷。
刃型位错
设有一简单立方结构的晶体，在切应力
的作用下发生局部滑移，发生局部滑移后晶体内在垂直方向出现了一个多余的半原子面，显然在晶格内产生了缺陷，这就是位错，这种位错在晶体中有一个刀刃状的多余半原子面，所以称为刃型位错。位错线的上部邻近范围受到压应力，而下部邻近范围受到拉应力，离位错线较远处原子排列正常。通常称晶体上半部多出原子面的位错为正刃型位错，用符号“┴”表示，反之为负刃型位错，用“┬”表示。当然这种规定都是相对的。
刃位错与螺位错的区别
它们的不同点是：
（1）刃型位错具有一个额外的半原子面，而螺型位错无；
（2）刃型位错必须与滑移方向垂直，也垂直与滑移矢量；而螺型位错线与滑移矢量平行，且位错线的移动方向与晶体滑移方向互相垂直。
（3）刃型位错的滑移线不一定是直线，可以是折线或曲线；而螺位错的滑移线一定是直线。
（4）刃位错的滑移面只有一个，其不能在其他面上进行滑移；而螺位错的滑移面不是唯一的。
（5）刃位错周围的点阵发生弹性畸变，既有切应变，又有正应变；而螺位错只有切应变而无正应变
在实际晶体中，位错线不能一段段孤立地存在，不能终止在晶体内部，而只能终止在晶体自由表面或晶界这样的内表面上。在晶体内部，位错线一定是封闭的：或形成一位错环,或结成三维的位错网络。设有一晶体，EFGH是其中一晶面，该晶面上包含ABC0圆环，若将ABCD园环所包含的面积切开，使其上物分晶体沿箭头指向移动一原子距离b，再和下半部晶体结合起来。这样，在晶体中造成了一个ABC0环型位错，称为位错环