半导体单晶生长方式中直拉法和悬浮法的优缺点

半导体单晶生长方式中直拉法和悬浮法的优缺点如下：

1、直拉法优点：工艺成熟，可拉出大直径硅棒，是目前采用最多的硅棒生产方法。

2、直拉法缺点：直拉法中会使用到坩埚，而坩埚的使用会带来污染。同时在坩埚中，会有自然对流存在，导致生长条纹和氧的引入。直拉法生长多是采用液相掺杂，受杂质分凝、杂质蒸发，以及坩埚污染影响大，直拉法生长的单晶硅掺杂浓度的均匀性较差。

3、悬浮区熔法优点：多晶与单晶均由夹具夹着，由高频加热器产生一悬浮的溶区，多晶硅连续通过熔区熔融，在熔区与单晶接触的界面处生长单晶。与直拉法相比，去掉了坩埚，没有坩埚的污染，因此能生长出无氧的，纯度更高的单晶硅棒。

4、悬浮区熔法缺点：应用范围比较窄，不及直拉工艺成熟，单晶中一些结构缺陷没有解决。

1、材料不纯。（包括硅料、气体、真空度、坩埚、装料等等）2、温度、转速、提升速度等是否控制得当。单晶硅片：硅的单晶体，是一种具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。

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