
2015-09-191,有
极性电容于无极性电容的区别在于,介质的不同:有极性电容大多采用电解质做介质材料,通常同体积的电容有极性电容容量大。另外,不同的电解质材料和工艺制造出的有极性电容同体积的容量也会不同。再有就是耐压和使用介质材料也有密切关系。无极性电容介质材料也很多,大多采用金属氧化膜、涤纶等。由于介质的可逆或不可逆性能决定了有极、无极性电容的使用环境。2,相同点,原理上相同。(1)都是存储电荷和释放电荷;(2)极板上的电压(这里把电荷积累的电动势叫电压)不能突变。单极性
半导体(Unipolar semiconductor):[1] 单极性半导体就是只能制作成n型或p型的半导体,即难以改变导电型号的半导体。 一般, 离子性较强的半导体(如Ⅱ-Ⅵ族半导体)多数为单极性半导体。例如CdS晶体:其中形成负离子空位(S)所需要的能量比形成正离子空位的要小,则通常总是存在有一定数量的(S);而(S)是带两个电荷的正电中心, 束缚有2个电子, 起着施主作用,因此CdS一般是n型的。又如ZnO、ZnSe、CdSe晶体:其中通常也是存在有负离子空位, 因此一般也是n型的。但是ZnTe的情况相反:其中通常存在的是正离子空位, 起受主作用, 因此一般是p型的。单极
器件和双极器件的单双指的是载流子的类型。双极器件内部有两种载流子参与导电,比如双极结型晶体管,也就是常说的三极管,存在两对PN结,电流来自于两种载流子的扩散电流。单极器件则是只有一种载流子参与导电的器件,比如MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)。其栅极控制栅下方的沟道反型形成二维电子气或者二维空穴气,所以参与导电过程的只有电子或者空穴,而不是两种载流子同时参与。由此可见单极器件一般可达到的电流要小于双极器件。因此在大电流应用的领域中一般要采用双极器件,比如最近几年兴起的IGBT。但是双极器件往往是PN结组成的器件,其漏电往往较高,因此在静态情况下需要低损耗的领域需要采用单极器件,比如现在的集成电路,都是CMOS工艺,其中主要器件都是MOSFET。
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